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本发明公开了一种半导体发光元件制作方法，更具体地说是一种具有高反射系数电流扩展层的氮化镓基发光二极管及其制作方法。该氮化镓基发光二极管，至少包括：氮化镓基外延层，包括n型层、发光层和p型层；电流扩展层，形成于所述p型层的部分表面上，包括Ag...
该专利属于厦门市三安光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门市三安光电科技有限公司授权不得商用。

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