晶圆切割方法技术

一种晶圆切割方法，其步骤包含将一第一晶圆与一第二晶圆接合成一已接合晶圆、从该已接合晶圆的第一面进行半切割动作、在该已接合晶圆的第二面上设置锡球、以及从该已接合晶圆的第二面进行切割动作。藉由半切割制程以及改变锡球形成步骤的顺序而使得切粒步骤中切割胶膜与晶圆接合结构之间的粘附不会受到凸出的锡球结构的影响，进而提高后续切割制程的良率与精准度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术大体上与一种有关，特别是关于一种针对晶圆级(waferlevel)接合晶圆结构的切割方法。
技术介绍
半导体元件和光电元件的制作流程中会大量使用到磊晶与镀膜制程来形成各种层结构。一般而言，要在一种材料上成长另一种不同的材料，必须要考虑两者原子晶格间的匹配程度，若是两者材料之间的晶格大小差距太大，必然会在界面处产生一应力场，缺陷或差排大多会集中在这类界面处，进而导致后续的镀膜或磊晶结构会有穿遂差排(threadingdislocation)等问题，严重地影响元件的效能。近年来，为了解决上述晶格大小不匹配与镀膜嘉晶时的穿遂差排等问题。晶圆对晶圆接合技术(wafer-to-wafer bonding)系应运开发而出。晶圆对晶圆接合系指将两晶圆接合后，藉由外加能量使接合界面的原子产生反应形成共价键而结合成一体，并使接合介面达到特定的键合强度。完成接合的晶圆接合结构之后可再如同单一晶圆般进行切割制程切割成一个个的晶粒或单元。晶圆对晶圆接合技术能克服材料本身在磊晶技术上的限制，不受限于晶格相异的材料限制，且由于所欲制作的元件是以晶圆型态完成了整体制作后才切割一个个成品单元，故省去了现本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆切割方法，其包含下列步骤：提供一已接合晶圆，其中该已接合晶圆是由一第一晶圆与一第二晶圆接合而成；对该已接合晶圆的一第一面进行一半切割制程；在该已接合晶圆相对于该第一面的一第二面上设置锡球；以及对该已接合晶圆的该第二面进行一切割制程，以切割出复数个晶粒。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆切割方法，其包含下列步骤: 提供一已接合晶圆，其中该已接合晶圆是由一第一晶圆与一第二晶圆接合而成； 对该已接合晶圆的一第一面进行一半切割制程； 在该已接合晶圆相对于该第一面的一第二面上设置锡球；以及对该已接合晶圆的该第二面进行一切割制程，以切割出复数个晶粒。2.按权利要求1所述的晶圆切割方法，其中还包含在进行该半切割制程之前将该已接合...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄腾德，
申请(专利权)人：奇景光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：