显示装置、阵列基板及其制作方法制造方法及图纸

技术编号:8656716 阅读:173 留言:0更新日期:2013-05-02 00:30
本发明专利技术涉及显示技术领域,特别是涉及一种显示装置、阵列基板及其制作方法。该阵列基板包括:基板,设置于所述基板上的多条栅线以及与所述栅线交叉设置的数据线;所述阵列基板还包括:多条横向公共电极线和多个纵向公共电极线;所述纵向公共电极线位于所述数据线的下方,而且所述横向公共电极线和所述纵向公共电极线电连接。本发明专利技术提供的显示装置、阵列基板及其制作方法,通过在数据线下方设置纵向公共电极线,使得纵向上的公共电极大面积连接,降低公共电极整体电阻值,从而优化像素结构,最大程度地提高产品的画面性能。同时,与现有技术相比,可减少了使用掩膜版构图工艺,提高生产效率,且降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
,特别是涉及一种。
技术介绍
随着科学技术的发展,平板显示器已取代笨重的CRT显示器日益深入人们的日常生活中。目前,常用的平板显示器包括LCD (LiquidCrystal Display,液晶显示器)和OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)显示器。在成像过程中,LCD显示器中每一液晶像素点都由集成在TFT阵列基板中的薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)来驱动,再配合外围驱动电路,实现图像显示。在ADS模式下,在阵列基板上形成有两层透明电极(可以由氧化铟锡ITO来制作),通常将其中一层ITO电极应用为公共电极,而将另外一层ITO电极应用为像素电极。传统结构中,通常将公共电极与栅电极进行水平配置;当公共电极电阻较高时,其所产生的代表性不良为绿色缺陷(Greenish)。该绿色缺陷为接在公共电极上的电阻较大时引发的电压差而产生的不良。测量面板上的绿色缺陷时发现,在栅线延伸方向(后续简称横向)上的缺陷值相似,幅度差异较小;而在数据线延伸方向(后续简称纵向)的缺陷值,随着距离公共电极的起始部本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板,包括:基板,设置于所述基板上的多条栅线以及与所述栅线交叉设置的数据线;其特征在于,所述阵列基板还包括:多条横向公共电极线和多个纵向公共电极线;所述纵向公共电极线位于所述数据线的下方,而且所述横向公共电极线和所述纵向公共电极线电连接。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,包括:基板,设置于所述基板上的多条栅线以及与所述栅线交叉设置的数据线;其特征在于,所述阵列基板还包括:多条横向公共电极线和多个纵向公共电极线;所述纵向公共电极线位于所述数据线的下方,而且所述横向公共电极线和所述纵向公共电极线电连接。2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述横向公共电极线和所述纵向公共电极线均与所述栅线同层设置;所述纵向公共电极线分段位于相邻栅线之间。3.如权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,还包括覆盖在横向公共电极线和纵向公共电极线上的栅极绝缘层,所述栅极绝缘层上设有有源层、源漏电极层和树脂层,所述树脂层上设有第一过孔和第二过孔; 在所述树脂层上方形成有公共电极层,所述公共电极层通过所述第一过孔和第二过孔连接所述横向公共电极线和纵向公共电极线。4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述公共电极层具有板状结构或狭缝状结构的公共电极。5.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,还包括位于所述公共电极层上的钝化层,以及位于钝化层上的像素电极层; 所述像素电极层具有狭缝状结构,且所述像素电极层与所述阵列基板上的薄膜晶体管的漏电极通过过孔电连接。6.一种显示装置,包括权利要求1-5任一项所述的阵列基板。7.一种制作权利要求1-5任一项所述的阵列基板的方法,其特征在于,...

【专利技术属性】
技术研发人员:崔贤植李会徐智强严允晟
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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