阵列基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及显示技术领域，特别涉及一种显示装置、阵列基板及其制作方法。该阵列基板，包括基板以及形成在所述基板上的薄膜晶体管和像素电极，所薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、有源层、以及源极和漏极，而且在所述薄膜晶体管上方覆盖有钝化层；所述薄膜晶体管的有源层为氧化物半导体；所述钝化层包括至少一层无机绝缘薄膜或有机绝缘薄膜。该阵列基板中的栅极绝缘层和钝化层通过采用分层结构结合退火工艺、分层结构可最大程度的钝化层中以及外界环境中含氢的基团，可有效避免氢基团对氧化物半导体的影响，最大程度地提高整个TFT器件的稳定性，提高最终产品的良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
氧化物薄膜晶体管(Oxide TFT)是一类以金属氧化物半导体作为有源层的薄膜晶体管(TFT)，具有超薄、重量轻、低耗电等优势，不仅可以用于液晶显示面板的制造，而且为制作更艳丽的色彩和更清晰的影像的新一代有机发光显示面板OLED (OrganicLight-EmittingDiode,有机发光二极管)走上实用阶段提供可能。参照图1、图2A 图2M，对现有技术中的Oxide TFT阵列基板的制造方法进行说明。图1为现有的Oxide TFT阵列基板的制造方法的流程框图，图2A 图2M为OxideTFT阵列基板的制造过程中的截面图。SIO I’、在基板上形成栅极金属薄膜。如图2A所示，在基板12上形成栅极金属薄膜13。在TFT的制作过程中，栅电极多为采用磁控溅射的方法来制备，电极材料根据不同的器件结构和工艺要求可以进行选择。其中，基板12可以是玻璃基板、石英基板等基于无机材料的透明基板，也可以是采用有机柔性材料制作的透明基板。S102’、对栅极金属薄膜进行图形化，形成栅线和栅电极。如图2B所示，通过湿法刻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括基板以及形成在所述基板上的薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、有源层、以及源极和漏极，而且在所述薄膜晶体管上方覆盖有钝化层；其特征在于，所述薄膜晶体管的有源层为氧化物半导体；所述钝化层包括至少一层无机绝缘薄膜或有机绝缘薄膜。

【技术特征摘要】
2012.10.26 CN 201210418592.X1.一种阵列基板，包括基板以及形成在所述基板上的薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、有源层、以及源极和漏极，而且在所述薄膜晶体管上方覆盖有钝化层；其特征在于，所述薄膜晶体管的有源层为氧化物半导体；所述钝化层包括至少一层无机绝缘薄膜或有机绝缘薄膜。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层为一层，包括第一钝化层；所述第一钝化层为无机绝缘层或有机绝缘层； 所述无机绝缘层包括二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、氮氧化硅薄膜、氧化铝薄膜、氧化钛薄膜、氧化锆薄膜、氧化钽薄膜、钛酸钡薄膜或氧化钕薄膜； 所述有机绝缘层包括树脂系绝缘膜或亚克力系绝缘膜。3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，在所述第一钝化层为无机绝缘层时，所述第一钝化层的厚度为50nnT500nm ； 在所述第一钝化层为有机绝缘层时，所述第一钝化层的厚度为0.5 μ πΓ2.5 μ m。4.如权利要求2或3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一钝化层为经过退火工艺处理的钝化层。5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层为两层，包括第一钝化层和第二钝化层；其中，所述第一钝化层贴近所述薄膜晶体管； 所述第一钝化层为第一无机绝缘层，该第一无机绝缘层包括氧化硅薄膜、氧化铝薄膜、三氧化二钇薄膜、氧化锆薄膜、氧化钽薄膜、钛酸钡薄膜、氧化钕薄膜或氮氧化硅薄膜； 所述第二钝化层为第二无机绝缘层或第一有机绝缘层；所述第二无机绝缘层包括氮化硅薄膜、三氧化二钇薄膜、氮氧化硅薄膜、氧化锆薄膜、氧化钽薄膜、钛酸钡薄膜或氧化钕薄膜；所述第一有机绝缘层 包括树脂系绝缘膜或亚克力系绝缘膜。6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一钝化层的厚度为50nnT600nm。7.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，在所述第二钝化层为无机绝缘层时，所述第二钝化层的厚度为50nnT500nm ； 在所述第二钝化层为有机绝缘层时，所述第二钝化层的厚度为0.5μπΓ2.5μπι。8.如权利要求5至7中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一钝化层和所述第二钝化层均为经过退火工艺处理的钝化层。9.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层为三层，包括依次设置的第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层；其中，所述第一钝化层贴近所述薄膜晶体管； 所述第一钝化层为第一无机绝缘层；该第一无机绝缘层包括氧化硅薄膜、氧化铝薄膜、氧化钛薄膜、氮氧化硅薄膜、氧化锆薄膜、氧化钽薄膜、钛酸钡薄膜或氧化钕薄膜； 所述第二钝化层为第二无机绝缘层或第一有机绝缘层；所述第二无机绝缘层包括氮氧化硅薄膜、氮氧化铝薄膜、氮氧化锆薄膜、氮氧化钽薄膜或氮氧化钕薄膜；所述第一有机绝缘层包括树脂系绝缘薄膜或亚克力系绝缘薄膜； 所述第三钝化层为第三无机绝缘层或第二有机绝缘层；所述第三无机绝缘层包括氮化硅薄膜、氮化铝薄膜、氮化锆薄膜或氮化钽薄膜；所述第二有机绝缘层包括树脂系绝缘薄膜或亚克力系绝缘薄膜。10.如权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述第一钝化层的厚度为50nm 600nm ；在所述第二钝化层为无机绝缘层时，所述第二钝化层的厚度为50nnT650nm ;在所述第二钝化层为有机绝缘层时，所述第二钝化层的厚度为0.5μπΓ2.5ym ； 在所述第三钝化层为无机绝缘层时，所述第三钝化层的厚度为50nnT500nm ;在所述第三钝化层为有机绝缘层时，所述第三钝化层的厚度为0.5 μ πΓ2.5 μ m。11.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层为四层，包括依次设置的第一钝化层、第二钝化层、第三钝化层和第四钝化层；其中，所述第一钝化层贴近所述薄膜晶体管； 所述第一钝化层为第一无机绝缘层，该第一无机绝缘层包括氧化硅薄膜、氧化铝薄膜、氧化钛薄膜、氮氧化硅薄膜、氧化锆薄膜、氧化钽薄膜、钛酸钡薄膜、氧化钕薄膜、氮氧化铝薄膜、氮氧化锆薄膜、氮氧化钽薄膜或氮氧化钕薄膜； 所述第二钝化层为第二无机绝缘层，该第二无机绝缘层包括氮氧化铝薄膜、氮氧化锆薄膜、氮氧化钽薄膜或氮氧化钕薄膜； 所述第三钝化层为第三无机绝缘层，该第三无机绝缘层包括氮化硅薄膜、氮化铝薄膜、氮化锆薄膜或氮化钽薄膜； 所述第四钝化层为第一有机绝缘层，该第一有机绝缘层包括树脂系绝缘薄膜或亚克力系绝缘薄膜。12.如权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，所述第一钝化层的厚度为50nnT600nm ;所述第二钝化层的厚度为50nnT650nm ;所述第三钝化层的厚度为50nnT500nm ;所述第四钝化层的厚度为0.5 μ πΓ2.5 μ m。13.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层为五层，包括依次设置的第一钝化层、第二钝化层、第三钝化层、第四钝化层和第五钝化层；其中，所述第一钝化层贴近所述薄膜晶体管； 所述第一钝化层为第一无机绝缘层，该第一无机绝缘层包括氧化硅薄膜、氧化铝薄膜、氧化钛薄膜、氮氧化硅薄膜、氧化锆薄膜、氧化钽薄膜、钛酸钡薄膜、氧化钕薄膜、氮氧化铝薄膜、氮氧化锆薄膜、氮氧化钽薄膜或氮氧化钕薄膜； 所述第二钝化层为第二无机绝缘层，该第二无机绝缘层包括氮氧化铝薄膜、氮氧化锆薄膜、氮氧化钽薄膜或氮氧化钕薄膜； 所述第三钝化层为第三无机绝缘层，该第三无机绝缘层包括氮化硅薄膜、氮化铝薄膜、氮化锆薄膜或氮化钽薄膜； 所述第四钝化层为第一有机绝缘层，该第一有机绝缘层包括树脂系绝缘薄膜或亚克力系绝缘薄膜； 所述第五钝化层为第四无机绝缘层，该第四无机绝缘层包括氮氧化硅薄膜、氧化硅薄膜、氧化锆薄膜、氧化钽薄膜、钛酸钡薄膜、氧化钕薄膜、氮氧化铝薄膜、氮氧化锆薄膜、氮氧化钽薄膜、氮氧化钕薄膜、氮化硅薄膜、氮化铝薄膜、氮化锆薄膜或氮化钽薄膜。14.如权利要求13所述的阵列基板，其特征在于，所述第一钝化层的厚度为50nnT600nm,所述第二钝化层的厚度为50nnT650nm ;所述第三钝化层的厚度为50nnT500nm ;所述第四钝化层的厚度为0.5...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁广才，李禹奉，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：