一种阵列基板、显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种阵列基板、显示装置，用以提高阵列基板的工作性能，提高显示装置的图像画质。本实用新型专利技术提供的阵列基板包括：基板、形成在所述基板上的多个薄膜晶体管；还包括：形成所述基板上位于基板与薄膜晶体管之间的缓冲层；其中，所述缓冲层为金属氧化物膜层。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板、显示装置。
技术介绍
在显示
,平板显示装置,如液晶显示器(Liquid Crystal Display, IXD)和有机电致发光显示器(Organic Light Emitting Display, 0LED),因其具有轻、薄、低功耗、高亮度，以及高画质等优点，在平板显示领域占据重要的地位。尤其是大尺寸、高分辨率，以及高画质的平板显示装置，如液晶电视，在当前的平板显示器市场已经占据了主导地位。目前，图像信号的延迟成为制约大尺寸、高分辨率及高画质平板显示装置的关键因素之一。具体地，图像信号的延迟主要由基板上的栅极、栅极线，或数据线等信号电阻R和相关电容C决定。随着显示装置尺寸的不断增大，分辨率不断提高，驱动电路施加的信号频率也不断提高，图像信号的延迟越来越严重。在图像显示阶段，栅极线打开，像素充电，由于图像信号的延迟，某些像素充电不充分，导致图像显示画面的亮度不均匀，严重影响图像的显示质量。降低栅极、栅极线，数据线等的电阻可以减小图像信号的延迟，改善图像的画质。 目前，降低栅极线和数据线的电阻的方法为采用电阻较低的金属Cu制作栅极线和数据线。但是存在以下缺点Cu金属在基板上的附着力差需要形成一层缓冲层，一般使用的缓冲层为钛Ti或者钛合金，由于钛金属难以刻蚀，在刻蚀的过程中，一般需要使用酸液HF，如果基板使用玻璃基板，HF会对玻璃基板造成一定程度的腐蚀，影响阵列基板的工作性能。
技术实现思路
本技术实施例提供一种阵列基板、显示装置，用以提高阵列基板的工作性能，提闻图像的画质。为实现上述目的，本技术实施例提供的阵列基板，包括基板、形成在所述基板上的多个薄膜晶体管；还包括形成在所述基板上位于所述基板与薄膜晶体管之间的缓冲层；其中，所述缓冲层为金属氧化物膜层。较佳地，所述缓冲层为铟锡氧化物膜层或铟锌氧化物膜层。较佳地，所述阵列基板还包括像素电极和公共电极，像素电极设置于公共电极下方，所述缓冲层与所述像素电极同层设置。较佳地，所述公共电极与薄膜晶体管中的源漏极同层设置。较佳地，所述阵列基板还包括像素电极和公共电极，像素电极设置于公共电极上方，所述缓冲层与所述公共电极同层设置。较佳地，所述阵列基板还包括栅极线和数据线，所述缓冲层位于与所述栅极线、数据线，以及薄膜晶体管中至少之一相对应的区域。较佳地，栅极线和数据线同层设置，与栅极线交叉处的数据线断开，通过过孔搭桥的方式连接。较佳地，薄膜晶体管的栅极绝缘层为双层或三层结构；双层结构的薄膜晶体管，与栅极相接触的一层为氮化硅层，与半导体层相接触的一层为氧化娃层；三层结构的薄膜晶体管，与栅极相接触的一层为氮化硅层，与半导体层相接触的一层为氧化娃层，氮化娃层和氧化娃层之间为氮氧化娃层。本技术实施例还提供一种显示装置，包括所述阵列基板。本技术实施例提供的阵列基板，在形成TFT各膜层之前，在基板上形成金属氧化物缓冲层，提高TFT中的金属膜层在基板上的附着力，提高阵列基板的工作性能，从而提高显示装置的图像画质。附图说明图1为本技术实施例提供的底栅型TFT阵列基板结构示意图；图2为本技术实施例提供的具有像素电极的阵列基板结构示意图；图3为本技术实施例提供的形成有栅极、栅极线，数据线和像素电极的阵列基板俯视不意图；图4为本技术 实施例提供的具有公共电极的阵列基板结构示意图；图5为本技术实施例提供的顶栅型TFT阵列基板结构示意图。具体实施方式本技术实施例提供了一种阵列基板、显示装置，用以提高阵列基板的工作性能，提闻图像的画质。本技术实施例通过在阵列基板上形成TFT之前设置一层金属氧化物缓冲层，用以提高TFT中的金属膜层在基板上的附着力；并且，该缓冲层可以为透明导电金属氧化物膜层。该缓冲层可以与像素电极或公共电极同层设置，且在同一次构图工艺中形成，节约工艺流程，降低阵列基板的成本。本技术实施例提供的阵列基板可以但不限于适用于扭曲向列型(TwistedNematic, TN)模式的液晶显示屏的阵列基板，或适用于ADS (ADvanced Super DimensionSwitch,高级超维场转换技术)模式的液晶显示屏的阵列基板。ADS技术主要是通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-1XD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。本技术实施例提供的阵列基板包括基板、形成在所述基板上的多个薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT);还包括形成所述基板上位于基板与TFT之间的缓冲层；其中，所述缓冲层为金属氧化物膜层。 下面通过附图具体说明本技术实施例提供的阵列基板。本技术实施例提供的TFT可以是底栅型或顶栅型结构，下面通过附图具体说明本技术实施例提供的底栅型或顶栅型TFT阵列基板。实施例一底栅型TFT阵列基板。参见图1，本技术实施例提供的阵列基板，包括基板I ;形成在基板I上与栅极对应的缓冲层2 ；形成在缓冲层2上的栅极3;形成在栅极3上的栅极绝缘层4 ；形成在栅极绝缘层4上的半导体层5 ；形成在半导体层5上的刻蚀阻挡层6 ；形成在刻蚀阻挡层6上的源极7和漏极8。源极7和漏极8可以称简称为源漏极。下面详细介绍本技术所述缓冲层。较佳地，缓冲层可以为金属氧化物膜层，具体可以为透明导电膜层如铟锡氧化物(IndiumTin Oxide, ΙΤ0)膜层、铟锌氧化物(Indium Zinc Oxide, ΙΖ0)膜层或其他。较佳地，为了简化阵列基板的结构，简化制作工艺流程，本技术实施例提供的缓冲层可以和现有阵列基板上的同一材料制作的功能膜层同层设置。例如，像素电极或公共电极。本技术所述缓冲层可以提高基板上的膜层与基板的附着力，提高TFT阵列基板的工作性能。另外，透明导电膜层作为缓冲层，透明导电膜层比较致密，可以阻止以铜金属为栅极的栅极金属离子的扩散，提高阵列基板的工作性能，尤其是TFT的工作性能。并且，透明导电膜层相比较有色导电膜层可以提高显示装置光线的透过率，提高图像亮度和画质。较佳地，基板I可以为玻璃基板、石英或柔性塑料基板。较佳地，栅极绝缘层4可以为双层，例如与栅极相接触的一层为SiNx，与半导体层5相接触的一层为SiOx，双层栅极绝缘层可以进一步阻止栅极的金属离子扩散。较佳地，为了进一步阻止栅极的金属离子扩散，栅极绝缘层4可以为三层，例如与栅极相接触的一层为氮化娃层，与半导体层5相接触的一层为氧化娃层,氮化娃层和氧化娃层之间为氮氧化娃层。。较佳地，所述阵列基板还包括，与栅极相连的栅极线，以及与源极相连的数据线，所述底栅型TFT阵列基板的栅极线与栅极同层设置，所述数据线可以与栅极同层设置也可以与源极同层设置。当数据线与栅极同层设置时，栅极线与数据线横纵交叉排列，与某一列像素对应的数据线在与栅极线交叉的位置断开，通过过孔搭桥的方式连接。较佳地，缓冲层可以设置在与栅极、栅极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括：基板、形成在所述基板上的多个薄膜晶体管；其特征在于，还包括：形成在所述基板上位于所述基板与薄膜晶体管之间的缓冲层；其中，所述缓冲层为金属氧化物膜层。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括基板、形成在所述基板上的多个薄膜晶体管；其特征在于，还包括形成在所述基板上位于所述基板与薄膜晶体管之间的缓冲层；其中，所述缓冲层为金属氧化物膜层。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述缓冲层为铟锡氧化物膜层或铟锌氧化物膜层。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括像素电极和公共电极，像素电极设置于公共电极下方，所述缓冲层与所述像素电极同层设置。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极与薄膜晶体管中的源漏极同层设置。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括像素电极和公共电极，像素电极设置于公共电极上方，所述缓冲层与所述公共电极同层设置。...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘翔，王刚，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：