【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种层叠型陶瓷电容器，属于电容器
技术介绍
近年来，伴随着携带电话等移动机器的普及、作为个人电脑等的主要部件的半导体元件的高速化及高频化，对于搭载于此种电了机器中的叠层陶瓷电容器，为了满足作为旁通电容器的特性，小型、高容量化的要求不断提高。但存在以下技术问题: 现有陶瓷电容器体积较大，提高电容量会导致占用电子产品的较大的空间，因此在减小器件体积时增加电容量成为技术难点，且现有射频用电容的馈入点及接地点设置在固定的位置，故在将天线安装至电路板时，只能安装于电路板特定位置，不能灵活设置； 其次，陶瓷电容器需要将基板两面上的相互分离电路点做导通连接或者是做基板两面间的导热处理时，容易发生于连接孔中未完全填满而有孔洞，从而在产品的良率控管上有其瓶颈。因此，如何解决上述技术问题，成为本领域普通技术人员努力的方向。
技术实现思路
本专利技术目的是提供一种层叠型陶瓷电容器，该陶瓷电容器在高频下具有高品质因数，从而降低了高频损耗，且具有稳定的温度系数；其次，大大降了烧结时连接孔内的金属表面产生凹陷的几率，从而有效避免了空洞的产生，提高了产品的可靠性和良率...
【技术保护点】
一种层叠型陶瓷电容器，其特征在于：包括氮化铝基片（1）和氧化铝基片（2），此氮化铝基片（1）和氧化铝基片（2）之间夹有具有位于同一平面的第一U型导电层（3）、第二U型导电层（4），此第一U型导电层（3）和第二U型导电层（4）之间电隔离；所述氮化铝基片（1）、第一U型导电层（3）和氧化铝基片（2）中具有两个贯通三者的第一连通孔（5），此第一连通孔（5）内填充有第一金属柱（6），所述氮化铝基片（1）、第二U型导电层（4）和氧化铝基片（2）中具有两个贯通三者的第二连通孔（7），此第二连通孔（7）内填充有第二金属柱（8），所述第一金属柱（6）、第二金属柱（8）由位于中心的铜柱（14...
【技术特征摘要】
1.一种层叠型陶瓷电容器，其特征在于:包括氮化铝基片(I)和氧化铝基片(2)，此氮化铝基片(I)和氧化铝基片(2)之间夹有具有位于同一平面的第一 U型导电层(3)、第二 U型导电层(4)，此第一 U型导电层(3)和第二 U型导电层(4)之间电隔离；所述氮化铝基片(I)、第一 U型导电层(3)和氧化铝基片(2)中具有两个贯通三者的第一连通孔(5)，此第一连通孔(5)内填充有第一金属柱(6)，所述氮化铝基片(I)、第二 U型导电层(4)和氧化铝基片(2)中具有两个贯通三者的第二连通孔(7)，此第二连通孔(7)内填充有第二金属柱(8)，所述第一金属柱(6)、第二金属柱(8)由位于中心...
【专利技术属性】
技术研发人员：乔金彪，
申请(专利权)人：苏州斯尔特微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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