陶瓷电子元件制造技术

本发明专利技术提供一种陶瓷电子元件的制造方法，以克服如果水分浸入到了陶瓷电子元件所具有的空隙部分中的话，则电绝缘性及寿命特性即陶瓷电子元件的可靠性降低这样的课题。为了防止水分浸入到空隙部分，使用疏水处理剂至少对陶瓷电子元件1的元件主体2赋予疏水性。此时，使用以超临界CO2流体这样的超临界流体为溶剂溶解后的疏水处理剂，至少对元件主体2赋予疏水性。优选在赋予疏水性之后，去除元件主体2的外表面上的疏水处理剂。作为疏水处理剂，适宜使用硅烷偶联剂。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及陶瓷电子元件的制造方法，特别是涉及具备为了防止水分浸入到陶瓷电子元件的内部，而对元件主体赋予疏水性的工序的陶瓷电子元件的制造方法。
技术介绍
在陶瓷电子元件中，如果其空隙部分浸入了水分，就会造成电绝缘性及寿命特性的恶化。这种水分的浸入，容易发生在例如为了形成外部端子电极所实施的电镀处理的时候，或者在高湿度环境下使用的时候。特别是，在具备有层叠构造的元件主体的层叠型陶瓷电子元件的情况下，水分很容易通过在内部电极和陶瓷层的界面所形成的缝隙而浸入。这种情况下，为了与内部电极电连接，在元件主体的外表面上形成有外部端子电极，即便是在内部电极和陶瓷层的界面被外部端子电极覆盖的状态下，水分也可由各种空隙或缝隙浸入。特别是，在外部端子电极仅通过电镀而形成的情况下，水分就更容易浸入。作为防止如上述那样的水分浸入的方法，在很多专利文献中都提到赋予疏水处理剂(也可称为“防水处理剂”)的方法。例如，在日本专利第3304798号公报(专利文献I)及日本专利第3444291号公报(专利文献2)所记载的技术中，在外部电极上实施电镀处理之前，通过在陶瓷素体表面、夕卜部电极表面形成疏水膜，来防止水分的浸入。此外，在专利文献I及2所记载的内容中，上述疏水膜，是在大气压下或者真空减压下，通过将形成有外部电极的陶瓷素体浸溃在疏水处理剂中而形成的。另一方面，在日本专利第4167360号公报(专利文献3)所记载的技术中，在外部电极上实施电镀处理之后，通过在外部端子电极的表面及内部多孔部分，浸渗拥有疏水性的构材，来防止水分的浸入。在这里，在向多孔部分浸渗具有疏水性的构材的浸渗工序中，在真空减压下，将电镀处理完后的芯片(chip)浸溃在具有疏水性的构材中。另外，在专利文献3所记载的内容中，为了不损坏外观及焊料湿润性，从外部端子电极的表面去除具有疏水性的构材。如上所述，在专利文献I 3所记载的技术中，在大气压下或者真空减压下浸渗疏水处理剂。但是，仅仅在大气压下或者真空减压下进行的浸渗，对于细小的空隙或深部，就存在不能充分浸透疏水处理剂，造成疏水(防水)效果不充分，引起可靠性降低的情况。另外，如专利文献I及2记载的技术，在陶瓷素体表面及外部电极表面形成疏水膜之后，在不实施去除疏水I吴的工序的情况下，如若疏水处理剂的疏水能力过闻，则在其后的电镀处理中，可能会发生电镀薄膜的析出不良或粘合不良等缺陷。但是，相反地，若重视抑制电镀处理中的上述缺陷而降低所使用的疏水处理剂的疏水能力的话，则不能充分地获得本来的防止水分浸入的效果。由于这些因素，在应用专利文献I及2所记载的技术的情况下，在疏水处理剂的选定及浸渗处理条件方面受很大制约。另一方面，如专利文献3记载的技术，在浸渗具有疏水性的构材之后，实施去除其的工序的情况下，如果去除不充分的话，则外观及软钎焊性(soldering)会产生缺陷，相反地，如果去除过量，则不能充分获得本来的防止水分浸入的效果。由于这些因素，在应用专利文献3所记载的技术的情况下，在具有疏水性的构材的选定及浸渗处理条件方面受很大限制，并且在去除条件方面也受很大制约。专利文献I日本专利第3304798号公报专利文献2日本专利第3444291号公报专利文献3日本专利第4167360号公报
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种可以解决上述问题点的陶瓷电子元件的制造方法。本专利技术适用于如下的陶瓷电子元件的制造方法，包括:准备由陶瓷构成的元件主体的工序；在元件主体的外表面上形成外部端子电极的工序；和使用疏水处理剂至少对元件主体赋予疏水性的工序，为了解决上述技术课题，其特征在于，在上述赋予疏水性的工序中，实施使用以超临界流体为溶剂溶解后的疏水处理剂至少 对元件主体赋予疏水性的工序。还有，在本专利技术中，实施上述赋予疏水性的工序的时间点并没有特别限定。也就是说，本专利技术的范围既包括在形成外部端子电极的工序之前及之后的任意时间点实施，还包括在形成外部端子电极的工序中包含例如煅烧(或者硬化)工序及电镀工序这样的多个工序的情况下，在形成外部端子电极的工序的途中的时间点实施。另外，赋予疏水性的工序也可多次实施。另外，作为超临界流体，优选使用公知的CO2超临界流体。本专利技术所涉及的制造方法，优选适用于具备有如下层叠构造的元件主体的陶瓷电子元件:包括层叠的多个陶瓷层和沿陶瓷层之间的指定的界面所形成的多个内部电极，且内部电极的各一部分露出。在这种情况下，形成外部端子电极的工序包括:以与内部电极电连接的方式在元件主体的外表面上形成外部端子电极的工序。在本专利技术中所使用的超临界流体，具有高扩散性，也就是说其具有优良的浸透性，并且还具有很高的溶解性。因此，在超临界流体中所溶解的疏水处理剂，可以很容易地浸透到纳米级的细微空隙或深部。因此，根据本专利技术，可使疏水处理剂充分地浸透到陶瓷电子元件中存在的纳米级的细微空隙或深部。其结果，在陶瓷电子元件中，得到了充分的疏水(防水)效果，据此，可提高电绝缘性及寿命特性即陶瓷电子元件的可靠性。在本专利技术中，若还包括在赋予疏水性的工序之后，至少去除在元件主体的外表面上的疏水处理剂的工序，则可以抑制由疏水处理剂导致的对软钎焊性或焊料湿润性的阻碍。另外，尽管如此，但因为疏水处理剂不仅存在于表面还浸渗到深部，所以仍能保持充分的疏水(防水)效果。因此，即便采用具有较强的疏水能力的疏水处理剂也没有问题。在本专利技术中，在形成外部端子电极的工序包括形成电镀膜的工序的情况下，若形成电镀膜的工序是在赋予疏水性的工序之后实施的话，通过疏水处理剂可以有效地抑制电镀液浸入到元件主体。在上述优选实施方式中，若在赋予疏水性的工序之后且在形成电镀膜的工序之前，实施至少去除在应该形成电镀膜的面上的疏水处理剂的工序的话，即使使用了具有较强的疏水能力的疏水处理剂，也很难会发生电镀膜附着不上的现象。在本专利技术中，若赋予疏水性的工序是在形成外部端子电极的工序之前实施的，也就是在元件主体上没有形成任何电极的状态下实施的话，可使疏水处理剂很容易地浸透到元件主体的更深处。应用本专利技术所涉及的制造方法的陶瓷电子元件，若是具备有前述那样的层叠构造的元件主体的话，则因疏水处理剂浸透到了陶瓷层和内部电极的界面，可抑制水分浸入到元件主体的内部，可提升电绝缘性及寿命特性即可靠性。在上述情况下，如前述那样，若赋予疏水性的工序在形成外部端子电极的工序之前实施的话，则疏水处理剂很容易地浸透到陶瓷层和内部电极的界面，即使是内部电极间的陶瓷层的厚度非常薄的层叠型陶瓷电子元件，也可以获得充分的电绝缘性及寿命特性即较高的可靠性。在本专利技术中，若疏水处理剂包含硅烷偶联剂，则因为硅烷偶联剂同时拥有有机官能团和水解性基团双方，所以通过在陶瓷表面和金属部的氧化薄膜表面双方进行脱水缩合，可使其发挥出疏水性。附图说明图1是表示根据本专利技术的一个实施方式的制造方法所制造出的层叠型的陶瓷电子元件I的剖面图。符号说明:1-陶瓷电子元件；2_元件主体；3、4-内部电极；5-陶瓷层；6、7_端面；8、9_外部端子电极；10_第I电极层；11_第2电极层；12_第3电极层。具体实施例方式参照图1，陶瓷电子元件I具备有层叠构造的元件主体2。元件主体2，在其内部形成有多个内部电极3及4。更详细地说，元件主体2具备有:层叠的多个陶瓷层5和沿陶瓷层5本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种陶瓷电子元件，其特征在于，包括：由陶瓷构成的元件主体；对所述元件主体的外表面赋予的疏水处理剂；和在所述疏水处理剂上形成的外部端子电极。

【技术特征摘要】
2010.05.19 JP 2010-1149231.一种陶瓷电子元件，其特征在于，包括:由陶瓷构成的元件主体；对所述元件主体的外表面赋予的疏水处理剂；和在所述疏水处理剂上形成的外部端子电极。2.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐藤顺一，小林敏彦，小川诚，元木章博，川崎健一，国司多通夫，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：