存储器及其驱动电路、向存储器执行写入操作的方法技术

本发明专利技术涉及一种存储器及其驱动电路、向存储器执行写入操作的方法。该存储器包括驱动电路，所述的驱动电路包括升压电路、分压电路、比较电路及控制电路，其中，控制电路根据被选中执行写入操作的存储单元的位线电流对所述分压电路中输出比较电压的阻抗元件的阻值进行调整。该方法包括当向被选中的存储单元执行写入操作时，根据被选中的存储单元的位线电流对分压电路中向所述比较电路输出比较电压的阻抗元件的阻值进行调整。存储器的驱动电路能够直接产生所需的编程电压，降低了存储器外围驱动电路的损耗，进一步提高了存储器写入操作的工作效率。

【技术实现步骤摘要】
存储器及其驱动电路、向存储器执行写入操作的方法
本专利技术涉及半导体领域，特别涉及一种存储器及其驱动电路、一种向存储器执行写入操作的方法。
技术介绍
一般存储器存储单元的横截面结构如图1所示，漏极11与源极12在衬底10上被沟道区13隔开，在源极12与沟道区13上方设置一个处于绝缘材料（如二氧化硅层14）的包围之中不与任何部分相连的栅极，称为浮栅15，在浮栅15和沟道区13上方设置另一个栅极，由导线引出，称为控制栅16。通常情况下，浮栅15不带电荷，则存储单元处于不导通状态，存储单元的漏极电平为高，例如为Vcc，则表示数据1。写入时，存储单元的源极12加上编程电压Vpp，控制栅16加上开启电压，漏极11电压接近0V且电流为Idp（不为零）。这样大量电子从漏极11流向源极12，形成相当大的电流，产生大量热电子，并从衬底10俘获电子，由于电子的密度大，有的电子就到达了衬底10与浮栅15之间的二氧化硅层14，这时由于控制栅16加有电压，在电场作用下，这些电子又通过二氧化硅层到达浮栅15，并在浮栅15上形成电子团。浮栅15上的电子团即使在掉电的情况下，仍然会存留在浮栅15上。由于浮栅15电压本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器，包括存储单元阵列及用于向存储单元的源线提供编程电压的驱动电路，其特征在于，所述的驱动电路包括：升压电路，用于输出编程电压；分压电路，用于对所述升压电路输出的编程电压进行分压获得比较电压，所述分压电路包括至少两个串联的阻抗元件，其中一个阻抗元件输出比较电压；比较电路，用于将所述比较电压与参考电压进行比较并将比较结果反馈至所述升压电路，以调整所述升压电路输出的编程电压；以及，控制电路，用于根据被选中执行写入操作的存储单元的位线电流对所述分压电路中输出比较电压的阻抗元件的阻值进行调整。

【技术特征摘要】
1.一种存储器，包括存储单元阵列及用于向存储单元的源线提供编程电压的驱动电路，其特征在于，所述的驱动电路包括：升压电路，用于输出编程电压；分压电路，用于对所述升压电路输出的编程电压进行分压获得比较电压，所述分压电路包括至少两个串联的阻抗元件，其中一个阻抗元件输出比较电压；比较电路，用于将所述比较电压与参考电压进行比较并将比较结果反馈至所述升压电路，以调整所述升压电路输出的编程电压；以及，控制电路，用于根据被选中执行写入操作的存储单元的位线电流对所述分压电路中输出比较电压的阻抗元件的阻值进行调整；其中，所述控制电路包括可变电流源，所述可变电流源输出的电流为：Icomp＝x·IBL-n·IBL，其中，Icomp为可变电流源输出的电流，IBL为存储单元的位线电流，x为写入操作中一个字节所包含的位数，n为被选中执行写入操作的存储单元的个数；所述的阻抗元件为PMOS管，其中，输出比较电压的PMOS管的栅极与控制电路相连，源极输出比较电压；其他PMOS管栅极和漏极相连；所述控制电路还包括电阻，所述电阻的一端与可变电流源及输出比较电压的PMOS管的栅极相连，所述电阻的另一端接地；所述位线电流使所述可变电流源输出的电流与存储单元的源线电流的变化趋势相异。2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述的升压电路为电荷泵...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡剑，杨光军，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：