一种石墨烯或氧化石墨烯薄膜的转移方法技术

本发明专利技术涉及一种石墨烯或氧化石墨烯薄膜的转移方法，将石墨烯或氧化石墨烯薄膜从柔性基片转移到目标基片上，包括以下步骤：对目标基片进行去污、干燥处理，备用；对目标基片进行活化处理，使目标基片的表面带上羟基；在真空抽滤装置中，在柔性基片的一侧上形成薄膜；在潮湿的气氛中，将柔性基片具有薄膜的一侧在30s内平铺在目标基片上；用毛刷挤压柔性基片没有薄膜的一侧，排除薄膜和目标基片之间的气泡；待薄膜未干时，用挤压机迅速挤压柔性基片与目标基片，使薄膜和目标基片充分接触；将柔性基片缓慢揭掉，即将薄膜由柔性基片转移到目标基片上。与现有技术相比，本发明专利技术操作简单，重现性好，不引入杂质，不使用有机物质。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于功能薄膜
，涉及一种石墨烯薄膜的转移方法，具体说是将石墨烯薄膜从制备基片转移到目标基片上的一种方法。
技术介绍
1907年Badeker等利用派射法制备出CdO透明导电薄膜(Transparentconductingfilms,TCFs)。TCFs的研究经历了 60年代的IT0(Sn掺杂的In203基薄膜)、70年代的透明导电多层膜和80年代掺杂的ZnO。近年来随着科技的进步和新材料的发现，出现了新型的碳纳米管TCFs、石墨烯TCFs。2004年石墨烯被成功制备后，相比于目前工业上广泛使用的IT0.FT0 (F掺杂的SnO2基薄膜)和AZO (Al掺杂的ZnO基薄膜)材料，具有透光率高(理论值为97.5% )、柔韧性好、耐久性高、资源丰富等特点被迅速引入到功能薄膜领域中。石墨烯薄膜的制备方法主要有化学气相沉积法，真空抽滤法、旋涂法、自组装等。由于大量研究表明单层石墨烯λ = 300-2500nm光谱范围内，其带间吸收只有2.3%。多层石墨烯的不透光率随其层数的增加而增加，每一层约增加2.3%的不透明度。室温下载流子的迁移率可达15000cm2/Vs以上，同时常温本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种石墨烯或氧化石墨烯薄膜的转移方法，将石墨烯或氧化石墨烯薄膜从柔性基片转移到目标基片上，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)对目标基片进行去污、干燥处理，备用；(2)对经步骤(1)处理的目标基片进行活化处理，使目标基片的表面带上羟基；(3)在真空抽滤装置中，在柔性基片的一侧上形成薄膜；(4)在潮湿的气氛中，将柔性基片具有薄膜的一侧在30s内平铺在目标基片上；(5)用毛刷挤压柔性基片没有薄膜的一侧，排除薄膜和目标基片之间的气泡；(6)待薄膜未干时，用挤压机迅速挤压柔性基片与目标基片，使薄膜和目标基片充分接触；(7)将柔性基片缓慢揭掉，即将薄膜由柔性基片转移到目标基片上。

【技术特征摘要】
1.一种石墨烯或氧化石墨烯薄膜的转移方法，将石墨烯或氧化石墨烯薄膜从柔性基片转移到目标基片上，其特征在于，该方法包括以下步骤: (1)对目标基片进行去污、干燥处理，备用； (2)对经步骤(I)处理的目标基片进行活化处理，使目标基片的表面带上羟基； (3)在真空抽滤装置中，在柔性基片的一侧上形成薄膜； (4)在潮湿的气氛中，将柔性基片具有薄膜的一侧在30s内平铺在目标基片上； (5)用毛刷挤压柔性基片没有薄膜的一侧，排除薄膜和目标基片之间的气泡； (6)待薄膜未干时，用挤压机迅速挤压柔性基片与目标基片，使薄膜和目标基片充分接触； (7)将柔性基片缓慢揭掉，即将薄膜由柔性基片转移到目标基片上。2.根据权利要求1所述的一种石墨烯或氧化石墨烯薄膜的转移方法，其特征在于，所述的目标基片为玻璃基片或PET基片。3.根据权利要求1所述的一种石墨烯或氧化石墨烯薄膜的转移方法，其特征在于，所述的柔性基片为聚偏氟乙烯膜或水系混纤膜。4.根据权利要求1所述的一种石墨烯或氧化石墨烯薄膜的转移方法，其特征在于，步骤(I)所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：张东，李秀强，尚玉，刘琳，
申请(专利权)人：同济大学，
类型：发明
国别省市：