【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体工艺,特别涉及一种。
技术介绍
外延工艺在半导体中十分重要,各种高压器件、高频器件均需要用到外延工艺,作为掩埋层或者提高双极器件集电极的击穿电压等。由于外延层的广泛应用在众多器件关键的工艺中,因此外延层薄膜的质量十分重要。外延层薄膜的质量通常会遇到许多方面的问题,比如颗粒、缺陷等。其中对于缺陷的检测,由于是晶格级的反映,且与硅片衬底为同种物质,因此很难用普通的光学法量测手段来解决。通常对于缺陷的评价,主要是通过厚外延生长后酸法腐蚀,然后在显微镜下进行确认。这种方法虽然较为直观明了,但是仍然存在着一些无法避免的问题。首先,酸腐蚀法缺陷监测对于操作的技师要求较高,否则难以保证非常准确。其次,酸腐蚀法属于硅片破环性测量,完成后硅片将无法继续使用。另外,酸腐蚀法还要面临的一个问题就是不可以对少量缺陷的面分布情况进行检测。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种,可以定性、定量判定硅片外延层缺陷产生的程度和位置,更准确、更全面。为解决上述技术问题,本专利技术的,包括以下步骤—.在娃片外延层上生长热氧化层,娃片外延层与娃片衬底同型;二.对硅片表面注入电荷,然后通过测量表面电压得到硅片各位置的热氧化层与外延层界面的热氧化浅层缺陷寿命;在热氧化层表面产生感应电荷,同样通过测量表面电压得到硅片各位置的感应电荷复合寿命;三.如果该硅片各位置的热氧化浅层缺陷寿命大于设定值,则以该硅片上各位置的感应电荷复合寿命的长短表不各位置的娃片外延层的缺陷程度。所述热氧化层的厚度范围在400埃 2500埃,成膜温度范围为800°C 1200°C。所注入电荷范围为 ...
【技术保护点】
一种检测外延硅缺陷的方法,其特征在于,包括以下步骤:一.在硅片外延层上生长热氧化层,硅片外延层与硅片衬底同型;二.对硅片表面注入电荷,然后通过测量表面电压得到硅片各位置的热氧化层与外延层界面的热氧化浅层缺陷寿命;在热氧化层表面产生感应电荷,同样通过测量表面电压得到硅片各位置的感应电荷复合寿命;三.如果该硅片各位置的热氧化浅层缺陷寿命大于设定值,则以该硅片上各位置的感应电荷复合寿命的长短表示各位置的硅片外延层的缺陷程度。
【技术特征摘要】
1.一种检测外延硅缺陷的方法,其特征在于,包括以下步骤 一.在娃片外延层上生长热氧化层,娃片外延层与娃片衬底同型; 二.对硅片表面注入电荷,然后通过测量表面电压得到硅片各位置的热氧化层与外延层界面的热氧化浅层缺陷寿命; 在热氧化层表面产生感应电荷,同样通过测量表面电压得到硅片各位置的感应电荷复合寿命; 三.如果该硅片各位置的热氧化浅层缺陷寿命大于设定值,则以该硅片上各位置的感应电荷复合寿命的长短表不各位置的娃片外延层的缺陷程度。2.根据权利要求1所述的检测外延硅缺陷的方法,其特征在于,所述热氧化层的厚度范围在400埃 2500埃,成膜温度范围为800°C 1200°C。3.根据权利要求1所述的检测外延硅缺陷的方法,其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙勤,高杏,钱志刚,
申请(专利权)人:上海华虹NEC电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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