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本发明公开了一种检测外延硅缺陷的方法，在硅片外延层上生长热氧化层，硅片外延层与硅片衬底同型；对硅片表面注入电荷，通过表面电压测量，得到硅片各位置的热氧化层与外延层界面的热氧化浅层缺陷寿命；在热氧化层表面产生感应电荷，同理也可得到硅片各位置的...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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