肖特基二极管及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种肖特基二极管及其制造方法。该肖特基二极管，包括阴极金属层，阴极金属层上的N型硅芯片，该N型硅芯片上具有开口的绝缘层，位于所述开口中及所述绝缘层上的阳极金属层。该肖特基二极管进一步包括该N型硅芯片中位于所述阳极金属层下方的金属硅化物层，以及该N型硅芯片中位于所述金属硅化物层周围的高浓度P型掺杂内环和位于所述高浓度P型内环外侧的高浓度P型掺杂外环；所述阳极金属层由钛铝金属构成。根据本发明专利技术制作而得的肖特基二极管，不仅其性能参数得到了改善，并且在不增加工艺步骤的情况下其生产制作的成品率获得显著提高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及肖特基器件。更具体地，本专利技术涉及一种。
技术介绍
目前肖特基二极管芯片生产工艺中，普遍采用钛镍银三层金属与N-外延层形成肖特基势垒结构。该结构目前存在两个弊端，其一，对钛镍银湿法腐蚀的工艺精度要求非常高，该关键工艺的稳定性，往往制约着肖特基二极管的特征参数的好坏。湿法腐蚀工艺稍有不慎，极易造成肖特基二极管低的反向击穿电压和大的漏电流，因而影响了肖特基二极管的性能和芯片的成品率。其次，以钛镍银工艺生产的芯片，易受环境湿度的影响而表面氧化。在芯片的后序加工过程中，例如在芯片封装中的压焊工序，由于芯片表面的银已被氧化，导致压焊丝不能焊接或焊接不牢而产生废品，这无疑就增加了生产成本。因此，需要一种能够易于制造并具有高的成品率的。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种肖特基二极管以解决上述技术问题。根据本专利技术的一个方面提供一种肖特基二极管，该肖特基二极管包括阴极金属层，阴极金属层上的N型硅芯片，该N型硅芯片上具有开口的绝缘层，位于所述开口中及所述绝缘层上的阳极金属层，并且该肖特基二极管进一步包括，该N型硅芯片中位于所述阳极金属层下方的金属硅化物层，以及该N型硅芯片中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种肖特基二极管，包括阴极金属层；阴极金属层上的N型硅芯片；该N型硅芯片上具有开口的绝缘层；位于所述开口中及所述绝缘层上的阳极金属层；其特征在于，该肖特基二极管进一步包括，该N型硅芯片中位于所述阳极金属层下方的金属硅化物层，以及该N型硅芯片中位于所述金属硅化物层周围的高浓度P型掺杂内环和位于所述高浓度P型内环外侧的高浓度P型掺杂外环。

【技术特征摘要】
1.一种肖特基二极管，包括阴极金属层；阴极金属层上的N型硅芯片；该N型硅芯片上具有开口的绝缘层；位于所述开口中及所述绝缘层上的阳极金属层；其特征在于，该肖特基二极管进一步包括，该N型硅芯片中位于所述阳极金属层下方的金属硅化物层，以及该N型硅芯片中位于所述金属硅化物层周围的高浓度P型掺杂内环和位于所述高浓度 P型内环外侧的高浓度P型掺杂外环。2.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述高浓度P型掺杂内环和高浓度P型掺杂外环的掺杂浓度相等或不等。3.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述高浓度P型掺杂外环形成在该肖特基二极管边缘处。4.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述金属硅化物层是硅化镍层。5.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述阳极金属层包括第一金属层和第二金属层。6.根据权利要求5所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第一金属层是钛金属层，所述第二金属层是铝金属层。7.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述N型硅芯片进一步包括高浓度N型硅衬底和其上的低浓度N型外延层。8.—种制造肖特基二极管的方法，其特征在于，该方法包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：王剑敏，
申请(专利权)人：北京燕东微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：