一种没有电阻的CMOS带隙基准电压源制造技术

本发明专利技术公开了一种没有电阻的CMOS带隙基准电压源，本发明专利技术通过加在二极管两端的正向偏置电压，此电压与绝对温度成正比（PTAT），来产生一个和温度变化不敏感输出，添加电压的相对比重通常是通过微调两个电阻的比值来调整的，而本发明专利技术采用工作在饱和或截止状态MOS晶体管取代了上述两电阻，通过修改MOS管的宽长比替代原先修改电阻的比值。电路没有电阻，结构非常简单，也就大大降低了芯片的面积；在0～70取得了非常小的温度漂移系数；输出噪声比较低，而且主要由PM0、PM1和NM0管的热噪声构成，占总噪声的56.83%。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及CMOS电路领域，具体涉及一种没有电阻的CMOS带隙基准电压源。
技术介绍
输出不随温度、电源电压变化的基准电压源在模拟和混合集成电路中应用非常广泛，比如数据转换电路和稳压电路。在集成电路中，有三种常用的基准电压源掩埋齐纳(Zener)基准电压源、XFET基准电压源和带隙(Bandgap)基准电压源。CMOS带隙基准电压源由于其各方面的综合优势，在集成电路中应用非常广泛，为系统提供不随温度、电源电压变化的基准电压或电流。它在不同的应用环境需要满足低电源电压、高精度、低功耗、高PSRR不同要求。因此，研究不同性能的CMOS带隙基准电压源是非常有意义的。
技术实现思路
本专利技术目的在于提供一种没有电阻的CMOS带隙基准电压源，其可产生一个和温度变化不敏感的输出，而且结构简单，降低了芯片面积，噪声低。为了解决现有技术中的这些问题，本专利技术提供的技术方案是一种没有电阻的CMOS带隙基准电压源，所述CMOS带隙基准电压源包括基准电路、电压-电流-电压转换电路，所述基准电路包括启动电路、自偏置配置电路，所述启动电路在工作开始时拉伸自偏置配置电路内的门电压使得自偏置配置电路正常工作本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种没有电阻的CMOS带隙基准电压源，其特征在于，所述CMOS带隙基准电压源包括基准电路、电压?电流?电压转换电路，所述基准电路包括启动电路、自偏置配置电路，所述启动电路在工作开始时拉伸自偏置配置电路内的门电压使得自偏置配置电路正常工作，与自偏置配置电路相连的电压?电流?电压转换电路用于转换输入电压再通过晶体管将电流放大后转换为正常输出电压。

【技术特征摘要】
1.一种没有电阻的CMOS带隙基准电压源，其特征在于，所述CMOS带隙基准电压源包括基准电路、电压-电流-电压转换电路，所述基准电路包括启动电路、自偏置配置电路，所述启动电路在工作开始时拉伸自偏置配置电路内的门电压使得自偏置配置电路正常工作，与自偏置配置电路相连的电压-电流-电压转换电路用于转换输入电压再通过晶体管将电流放大后转换为正常输出电压。2.根据权利要求1所述的一种没有电阻的CMOS带隙基准电压源，其特征在于，所述电压-电流-电压转换电路包括电压-电流转换电路、电流放大电路、电流-电压转换电路， 输入电压经电压-电流转换电路转换后由电流放大电路放大，放大后的电流再经电流-电压转换电路转换为输出电压。3.根据权利要求2所述的一种没有电阻的CMOS带隙基准电压源，其特征在于，电压-电流-电压电路与自偏置配置电路之间设有晶体管PM3，所述电压-电流-电压电路包括晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄成，刘昊，江川，乔磊，任亮，关晓龙，胡慧，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：