【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及模拟集成电路
,具体是涉及一种指数补偿带隙基准电压源。
技术介绍
基准电压源通常是指在电路中做电压基准的精确、稳定的电压源。产生基准的目的是为了建立一个与电源电压以及工艺参数无关的,而且随温度变化会符合预定的相关性的直流电压/电流、作为模拟集成电路和数模混合集成电路中的核心部分,基准电压源的应用十分普遍。许多集成电路,如线性稳压器、高速内存电路、数模转换器、模数转换器等都需要精密而又稳定的基准电压源。高性能的基准电压源是设计的关键技术之一,它的精度和稳定度直接决定了整个系统的精度。现有技术中,带隙基准电路使用PNP晶体管产生基准电压,并使用一阶温度补偿来产生一个约I. 25V的稳定电压,再通过额外增加指数补偿电路来提高基准电压的精度,然而,增加补偿电路无疑将提高设计难度,还会增加芯片的面积,不利于控制成本。
技术实现思路
本专利技术实施例主要解决的技术问题是提供一种指数补偿带隙基准电压源,能够提高基准电压的稳定性,不需要额外增加补偿电路。为解决上述技术问题,本专利技术采用的一个技术方案是提供一种指数补偿带隙基准电压源,指数补偿带隙基准电压源包括指 ...
【技术保护点】
一种指数补偿带隙基准电压源,其特征在于,所述指数补偿带隙基准电压源包括指数补偿带隙基准电路,用于产生与温度无关的基准电压,所述指数补偿带隙基准电路包括:电流镜电路,包括输出端以及至少一个输入端;带隙主体电路,包括第一NPN晶体管Q1、第二NPN晶体管Q2、第一运算放大器A1以及第二运算放大器A2,所述第一运算放大器A1以及所述第二运算放大器A2耦接至所述电流镜电路的输出端,所述第一NPN晶体管Q1耦接至所述第一运算放大器A1,所述第二NPN晶体管Q2耦接至所述第二运算放大器A2;第一电阻,所述第一电阻R1耦接至所述第一运算放大器A1;第二电阻,所述第二电阻R2耦接至所述第二 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:赵辉,沈晔,庄奕琪,汤华莲,刘俊逸,
申请(专利权)人:国民技术股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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