一种以金属玻璃为光刻胶的光刻方法及系统技术方案

本发明专利技术公开了一种以金属玻璃为光刻胶的光刻方法，具体为：在衬底表面沉积金属玻璃材料光刻胶层，按照目标纳米图案对沉积得到的样品进行曝光，曝光部分达到晶化温度发生相变，产生纳米晶化图形；对曝光后带有纳米晶化图形的样品进行刻蚀形成所需的纳米图案。本发明专利技术利用金属玻璃材料替代有机光刻胶，能够得到的样品光刻线宽远小于激光聚焦光斑衍射极限，并且成本低，刻蚀选择比大。本发明专利技术还公开了实现上述方法的系统，主要包括计算机、任意波形发生器、半导体激光器、准直扩束镜、光束隔离器、分光镜、聚焦伺服机构、聚焦镜头、X-Y-θ三维位移台和聚焦伺服控制箱。该系统构成简单、性价比高、操作简单、对操作环境要求相对宽松，产出率高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微纳器件制造领域，具体涉及到一种以金属玻璃为光刻胶的光刻方法，对金属玻璃进行光刻的相变光刻系统以及系统中对相变材料相变程度进行检测的检测部件。
技术介绍
在目前的半导体器件、光盘的母盘、传感器、光电子器件、微电子机械系统器件等的制造过程中，毫无疑问的都有纳米孔径的制备此步骤，到目前位置，制备纳米孔径的方法主要有以下三种(I)电子束光刻(EBL);(2)聚焦离子束光刻(FIBL)；(3)光刻法(PU;由于电子束光刻技术(EBL)和聚焦离子束光刻技术(FIBL)需要严格的真空条件，光刻设备非常昂贵并且产出率较低，所以在大多数条件下，光刻法(PL)半导体器件等制造领域得到了较为广泛的应用。传统光刻法是在衬底表面上产生各种形状和尺寸图形的光刻过程，采用在衬底上覆盖一层有机光刻胶，一束光束通过一块带有图形的掩膜板照射到光刻胶上，然后刻蚀掉曝光或者未曝光部分，以此在衬底上产生所需图案。整个过程无需真空环境，产出率较高。随着信息技术与信息产业的发展，半导体器件、传感器、光电子器件、微电子机械系统器件等产业获得迅猛的发 展。光刻作为上述器件制作过程中最关键的一道工艺，对器件的集成度有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种以金属玻璃为光刻胶的光刻方法，具体为：在衬底表面沉积金属玻璃材料光刻胶层，按照目标纳米图案对沉积得到的样品进行曝光，曝光部分达到晶化温度发生相变，产生纳米晶化图形；对曝光后带有纳米晶化图形的样品进行刻蚀形成所需的纳米图案。

【技术特征摘要】
1.一种以金属玻璃为光刻胶的光刻方法,具体为在衬底表面沉积金属玻璃材料光刻胶层，按照目标纳米图案对沉积得到的样品进行曝光，曝光部分达到晶化温度发生相变，产生纳米晶化图形；对曝光后带有纳米晶化图形的样品进行刻蚀形成所需的纳米图案。2.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，通过固定激光源，将样品按照目标图案轨迹移动，从而曝光产生纳米晶化图形；或者通过固定样品，将激光源按照目标图案轨迹移动，从而曝光产生纳米晶化图形。3.根据权利要求1或2所述的光刻方法，其特征在于，曝光过程中通过改变聚焦镜头离焦量在大范围内改变样品光刻晶化图形线宽，通过改变激光作用时间在小范围内改变样品光刻晶化图案线宽。4.根据权利要求1或2所述的光刻方法，其特征在于，所述金属玻璃材料具体为Pd-，Mg-, Zr-, Fe-, T1-, Al-, Ln-, Co-或Cu-基的非晶金属合金材料。5.根据权利要求1或2所述的光刻方法，其特征在于，所述光刻胶的上、下表面分别还分别沉积有保护层和介电层。6.根据权利要求1或2所述的光刻方法，其特征在于，采用化学气相沉积法、磁控溅射法或蒸发法在衬底表面沉积金属玻璃材料光刻胶层。7.根据权利要求1或2或3所述的光刻方法，其特征在于，曝光采用的激光工作模式为连续激光或脉冲激光。8.—种以相变材料为光刻胶的相变光刻系统,具体包括 计算机(I)、任意波形发生器(2)、半导体激光器(3)、准直扩束镜(4)、光束隔离器(6)、第一分光镜(7)、聚焦伺服机构(8)、聚焦镜头(9)、X-Y-Θ三维位移台(11)、聚焦伺服控制箱(12)； 计算机(I)控制任意波形发生器(2)驱动半导体激光器(3)，半导体激光器系统(3)发出的激光经过准直扩束镜(4)进行准直后进入光束隔离器(6)，然后通过第一分光镜(7)进入聚焦伺服机构(8...

【专利技术属性】
技术研发人员：缪向水，曾笔鉴，李震，黄君竹，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：