【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体领域,涉及ー种显影过程中的装置,尤其涉及ー种新型显影处理单元结构。
技术介绍
集成电路制造技术随着摩尔定律快速向前发展,在关键尺寸的不断縮小的同时,对于光刻胶的要求也越来越高,因此对于定义不同的图形时就需要研发出不同特性的光刻胶,而不同特性的光刻胶对于显影液的反应特性又随之不同,从而对于传统的DEV(develop,显影)nozzle (喷嘴)的运动方式而言,出现ー个⑶U (特征尺寸均匀性)的问题,对于不同的光刻胶,甚至不同层次需要研发出不同的显影程式来解决CDU的问题。如图1中所示,对于传统的LD nozzle而言,显影液从显影喷头I中喷洒到wafer(晶圆)2上,同时显影喷头I会开始沿直径的方向扫过整个wafer 2表面。显影喷头I移动速度的快慢直接影响到显影液涂布到wafer 2表面时的均一性。对于反应速度慢的,移动速度应当设定较慢;对于反应速度较快的,移动速度应当设定较快。另如图2中所示,对于传统的GP、MGP nozzle而言,单一喷嘴(nozzle) 3在wafer 2中心喷洒显影液。同时,旋转wafer 2将显影液散开,而达到均 ...
【技术保护点】
一种新型显影处理单元结构,其特征在于,包括显影臂、平台、两个或两个以上喷嘴,所述显影臂与所述平台连接,所述平台上设有连接面,所述喷嘴设于所述连接面上,所述连接面的面积大于或等于晶圆的面积。
【技术特征摘要】
1.一种新型显影处理单元结构,其特征在于,包括显影臂、平台、两个或两个以上喷嘴, 所述显影臂与所述平台连接,所述平台上设有连接面,所述喷嘴设于所述连接面上,所述连接面的面积大于或等于晶圆的面积。2.如权利要求1所述的显影处理单元结构,其特征在于,所述喷嘴均匀分布于所述连接面上。3.如权利要求2所述的显影处理单元结构,其特征在于,所述连接面为圆形。4.如权利要求3所述的显影处理单元结构,其特征在于,所述连接面的面积为8-12寸。5...
【专利技术属性】
技术研发人员:何伟明,邢精成,朱骏,张旭昇,
申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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