一种半色调掩模板及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种半色调掩模板及其制造方法，属于显示领域。该半色调掩模板中，包括像素区和外围走线区，所述像素区包括半透光区域，其中，从所述远离像素区边缘到所述像素区边缘的方向上，所述掩模板的半透光区域的透光率逐渐减小。本发明专利技术的技术方案能够有效避免TFT-LCD阵列基板外围走线区附近像素区域沟道光刻胶偏薄，经刻蚀工艺后易发生源漏极沟道半导体缺失，从而改善TFT-LCD出现的像素点灯不良现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示领域，特别是指。
技术介绍
在薄膜晶体管-液晶显示器(TFT-1XD)中，TFT作为数字电路的开关器件，扮演着十分重要的角色。目前，在TFT-1XD阵列基板的生产中，普遍采用单缝衍射掩模板(SingleSlit Mask)、灰色调掩模板(Gray Tone Mask)或半色调掩模板(Half Tone Mask)进行源漏金属层掩模(SD Mask)工艺。当采用半色调掩模板进行源漏金属层掩模工艺时，源漏极沟道区域则通过半透光薄膜进行曝光。由于源漏极沟道本身较窄，若半透光薄膜透光率太低，曝光不足，经显影和刻蚀后，则容易导致TFT-1XD阵列基板发生源漏极沟道金属桥接；若半透光薄膜透光率太高，曝光过度，经显影和刻蚀后，则又可能导致发生源漏极沟道半导体缺失。因此，在源漏金属层半色调掩模板的生产过程中，需要恰当地控制源漏极沟道区域半透光薄膜的透光率。由于TFT-1XD阵列基板外围走线区的扇形布线区(Fanout Line)高度密集，在经曝光后显影过程中对显影液的消耗比较少，使得该区域附近的局部区域显影液浓度高于像素区域，以至于容易导致外围走线区附近的像素区域沟道光刻胶偏薄，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半色调掩模板，包括像素区和外围走线区，所述像素区包括半透光区域，所述外围走线区包括至少一个扇形布线区，其特征在于，从所述远离像素区边缘到所述像素区边缘的方向上，所述掩模板的半透光区域的透光率逐渐减小。

【技术特征摘要】
1.一种半色调掩模板，包括像素区和外围走线区，所述像素区包括半透光区域，所述外围走线区包括至少一个扇形布线区，其特征在于， 从所述远离像素区边缘到所述像素区边缘的方向上，所述掩模板的半透光区域的透光率逐渐减小。2.根据权利要求1所述的半色调掩模板，其特征在于，所述像素区边缘沿着与所述扇形布线区对称轴的垂直延伸方向，所述掩模板的半透光区域的透光率逐渐减小。3.根据权利要求1或2所述的半色调掩模板，其特征在于，所述半透光区域的透光率逐渐减小通过逐渐增大半透光薄膜的厚度实现。4.根据权利要求3所述的半色调掩模板，其特征在于，从远离像素区边缘到像素区边缘的方向上，所述半透光区域的半透光薄膜厚度的变化满足下述公式Tx= (l+x%)*T T为远离像素区边缘的半透光薄膜厚度，X为设定的补偿比例，补偿比例X值逐渐增大。5.根据权利要求3所述的半色调掩模板，其特征在于，所述像素区边缘沿着与所述扇形布线区对称轴的垂直延...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗丽平，贠向南，许朝钦，金基用，周子卿，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：