多灰度光掩模、多灰度光掩模的制造方法、图案转印方法技术

本发明专利技术提供多灰度光掩模、其制造方法及图案转印方法。在为产生相位移动效果而使遮光部具有规定的透光性的多灰度光掩模中，抑制因遮光部内的离开与透光部、半透光部的边界的区域使被加工体上的抗蚀剂膜感光。在具备包含透光部、遮光部、半透光部的转印用图案，在被加工体上形成具有多个不同的残膜值的抗蚀剂图案的多灰度光掩模中，光学膜具有使多灰度光掩模的曝光用光所包含的代表波长的相位移动大致180度的作用，并对代表波长的光具有3%～50%的透过率，在透光部与半透光部中，透明基板表面的一部分露出，遮光部具有形成了在多灰度光掩模的曝光条件下无法分辨的线宽度的微细透过图案的光学膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于将电子设备用的电路图案等转印到被转印体的转印用光掩模，特别涉及用于高效地制造液晶显示装置、有机EL (电致发光(electroluminescence))等显示设备的多灰度光掩模、其制造方法、以及使用了上述多灰度光掩模的图案转印方法以及薄膜晶体管的制造方法。
技术介绍
专利文献I中公开了按照使透过遮光膜的光的相位与透过半透明膜的光的相位在150度-210度的范围内不同的方式构成的灰度掩模。专利文献1:日本特开2008-65138号公报专利文献I所记载的灰度光掩模使透过遮光膜的曝光用光的相位与透过半透明膜的曝光用光的相位在上述范围内不同，从而能够产生使遮光部与半透光部的边界区域中曝光用光(衍射光)相抵消的效果(相位的反转效果。以下，也称为相位移动效果)，在遮光部与半透光部的边界部分，能够使透过光强度急剧地变化。因此，若使用该灰度光掩模来对抗蚀剂膜进行曝光，则能够在与遮光部和半透光部的边界部分对应的区域中使光分辨力提高，能够使形成在被加工体上的抗蚀剂图案的端部成为陡峭的形状。由于使形成在被加工体上的抗蚀剂图案的端部形成为陡峭的形状，在将抗蚀剂图案用作蚀刻掩模来在被加工本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多灰度光掩模，其具备转印用图案，该转印用图案包含通过对在透明基板上成膜的光学膜进行图案化而形成的透光部、遮光部以及半透光部，该多灰度光掩模在被加工体上形成具有多个不同的残膜值的抗蚀剂图案，该多灰度光掩模的特征在于，上述光学膜具有使上述多灰度光掩模的曝光用光所包含的代表波长的光的相位移动大致180度的作用，并且对上述代表波长的光具有3%～50%的透过率，在上述透光部与上述半透光部中，上述透明基板表面的一部分露出，上述遮光部是在上述光学膜上形成在上述多灰度光掩模的曝光条件下无法分辨的线宽度的微细透过图案而成的。

【技术特征摘要】
2011.09.30 JP 2011-2177841.一种多灰度光掩模，其具备转印用图案，该转印用图案包含通过对在透明基板上成膜的光学膜进行图案化而形成的透光部、遮光部以及半透光部，该多灰度光掩模在被加工体上形成具有多个不同的残膜值的抗蚀剂图案，该多灰度光掩模的特征在干， 上述光学膜具有使上述多灰度光掩模的曝光用光所包含的代表波长的光的相位移动大致180度的作用，并且对上述代表波长的光具有3% 50%的透过率， 在上述透光部与上述半透光部中，上述透明基板表面的一部分露出， 上述遮光部是在上述光学膜上形成在上述多灰度光掩模的曝光条件下无法分辨的线宽度的微细透过图案而成的。2.根据权利要求1所述的多灰度光掩模，其特征在于， 上述微细透过图案对上述遮光部中的曝光用光的透过强度分布进行平坦化。3.根据权利要求1所述的多灰度光掩模，其特征在于， 上述转印用图案是薄膜晶体管制造用图案，上述半透光部形成沟道。4.一种多灰度光掩模的制造方法，该多灰度光掩模具备转印用图案，该转印用图案包含通过对在透明基板上成膜的光学膜进行图案化而形成的透光部、遮光部以及半透光部，该多灰度光掩模在被加工体上形成具有多...

【专利技术属性】
技术研发人员：山口昇，
申请(专利权)人：HOYA株式会社，
类型：发明
国别省市：