磁阻感测组件与磁阻传感器制造技术

本发明专利技术提供了一种磁阻感测组件与磁阻传感器。磁阻感测组件包含一长形的水平磁阻层、一导电部与一第一磁场感应层。水平磁阻层位于基板表面上方，沿着其长度延伸方向具有第一侧以及与该第一侧相对的第二侧。导电部位于该水平磁阻层的上方或下方与其电耦合，该长形的水平磁阻层与该导电部构成至少一电流路径。第一磁场感应层是不平行于该基板表面，在该水平磁阻层的该第一侧处与该水平磁阻层磁耦合。磁阻传感器包含一惠斯通电桥的配置，此惠斯通电桥具有四只电阻臂，每一只该电阻臂包含上述的磁阻感测组件。本发明专利技术的设置使得成本较低、装置的不良率下降以及封装的困难度降低。

【技术实现步骤摘要】
磁阻感测组件与磁阻传感器
本专利技术是关于一种磁场感测组件及磁场传感器，特别是关于一种可感测与基板表 面垂直的磁场且可与感测平行基板表面的磁场的磁场感测组件整合在相同芯片中的磁场 感测组件。
技术介绍
磁阻组件中所包含的磁阻材料可因应磁场强度的变化而改变其电阻值，目前大量 地应用于运动产品、汽车、马达、通讯产品中。常见的磁阻材料可依其作用方式的差异以及 灵敏度的不同而分为异向性磁阻(anisotropic magnetoresistance, AMR)、巨磁阻(giant magnetoresistance, GMR)及穿隧磁阻(tunneling magnetoresistance, TMR)等类型。迄今，无论所用的磁阻材料为何，能量测三维磁场变化的磁阻装置大多需要将量 测不同方向的多个磁阻装置藉由封装而整合在一起，这使得成本上升、装置的良率下降以 及封装的困难度增加。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种磁阻感测组件，其可感测与基板表面垂直的磁场，且 其材料与制程使其易与感测平行基板表面的磁阻感测组件整合在相同芯片中。本专利技术提出一种磁阻感测组件，包含一长形的水平磁阻层、一导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁阻感测组件，其特征在于，包含：一长形的水平磁阻层，位于一基板的表面上方，沿着其长度延伸方向具有第一侧以及与该第一侧相对的第二侧；一导电部，在该水平磁阻层的上方或下方与其电耦合，该长形的水平磁阻层与该导电部构成至少一电流路径；一第一磁场感应层，不平行于该基板表面，在该水平磁阻层的该第一侧处与该水平磁阻层磁耦合。

【技术特征摘要】
2011.09.29 TW 100135263;2012.09.04 TW 1011322021.一种磁阻感测组件，其特征在于，包含 一长形的水平磁阻层，位于一基板的表面上方，沿着其长度延伸方向具有第一侧以及与该第一侧相对的第二侧； ー导电部，在该水平磁阻层的上方或下方与其电耦合，该长形的水平磁阻层与该导电部构成至少ー电流路径； 一第一磁场感应层，不平行于该基板表面，在该水平磁阻层的该第一侧处与该水平磁阻层磁耦合。2.如权利要求1所述的磁阻感测组件，其特征在于，该水平磁阻层与该磁场感应层包含异向性磁阻材料。3.如权利要求1所述的磁阻感测组件，其特征在于，该水平磁阻层与该磁场感应层的电阻值会随外在磁场变化而改变，其包含铁磁材料、反铁磁材料、非铁磁性金属材料、穿隧氧化物材料的其中任一或其组合。4.如权利要求1所述的磁阻感测组件，其特征在干，该导电部包含多个长形导电条，该多个长形导电条的长度延伸方向皆与该水平磁阻层的长度延伸方向夹ー相等的鋭角。5.如权利要求1所述的磁阻感测组件，其特征在于，该第一磁场感应层是自该水平磁阻层的该第一侧向上或向下延伸。6.如权利要求1所述的磁阻感测组件，其特征在于，该第一磁场感应层可为长条形或包含多个离散子部。7.如权利要求1所述的磁阻感测组件，其特征在干，该导电部包含自该水平磁阻层的该第一侧朝向该第二侧延伸的多个第一侧导电部以及自该水平磁阻层的该第二侧朝向该第一侧延伸的多个第二侧导电部。8.如权利要求1所述的磁阻感测组件，其特征在于，第二磁场感应层，自该水平磁阻层的该第二侧向上或向下延伸，并与该水平磁阻层磁耦合。9.如权利要求7所述的磁阻感测组件，其特征在于，还包含该第一磁场感应层位于该水平磁阻层的该第一侧，且包含多个离散子部，该多个离散子部的每ー个皆由该水平磁阻层的该第一侧向上或向下延伸；不平行于该基板表面的第二磁场感应层，位于该水平磁阻层的该第二侧处与该水平磁阻层磁耦合，该第二磁场感应层且包含多个离散子部，该多个离散子部的每ー个皆由该水平磁阻层的该第二侧向上或向下延伸。10.如权利要求9所述的磁阻感测组件，其特征在于，该第一磁场感应层的该多个离散子部与该第二磁场感应层的该多个离散子部是沿着该水平磁阻层的长度延伸方向以交错方式配置。11.如权利要求1所述的磁阻感测组件，其特征在于，第三磁场感应层，不平行于该基板表面，位于该水平磁阻层的上方与该水平磁阻层磁耦合。12.如权利要求9所述的磁阻感测组件，其特征在于，该第一磁场感应层的该多个离散子部与对应的该多个第一侧导电部在第一侧上至少部分交迭，且该第二磁场感应层的该多个离散子部与对应的该多个第二侧导电部在第二侧上至少部分交迭。13.如权利要求9所述的磁阻感测组件，其特征在干，该多个的第一侧导电部与该多个的第二侧导电部是沿着该水平磁阻层的长度延伸方向以交错或对称方式配置。14.如权利要求1所述的磁阻感测组件，其特征在于，至少一第一磁通量集中结构。15.如权利要求1所述的磁阻感测组件，其特征在于，还包含至少ー第一磁通量集中结构且该第一磁场感应层还包含多个离散子部，该至少一第一磁通量集中结构，沿着该水平磁阻层的长度延伸方向与该第一磁场感应层的该至少一离散子部交替配置，且该至少ー第一磁通量集中结构自该水平...

【专利技术属性】
技术研发人员：傅乃中，陈光镜，刘富台，
申请(专利权)人：宇能电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：