巨磁阻抗效应二维磁场传感器制造技术

一种属于传感器技术领域的巨磁阻抗效应二维磁场传感器，本发明专利技术由基片上1两个正交的巨磁阻抗效应磁敏传感器2和3，以及集成电路信号处理模块4组成，每个磁敏传感器2和3由非晶薄带4，以及以其为磁芯的信号采集线圈5，绝缘填充材料6以及两端的Cu导线7，以及电极引脚8组成，传感器的非晶薄带的各向异性场沿着宽度方向，具有直线，曲折几何形状，传感器为通过微机电系统MEMS工艺制造。传感器工作时，信号处理模块提供磁芯中流过0.1-100MHz的高频交流信号或者0.1ns的脉冲信号，信号采集线圈用于感应磁芯对外磁场的反应，由于磁敏传感器对沿着线条长度方向的磁场具有最大灵敏度，因此可以分别对芯片平面内沿着线条长度方向的磁场分量进行测量，从而确定磁场在平面内的方向和大小。本发明专利技术可以作为电子指南针来确定汽车，手机等的姿态，具有体积小，反应灵敏度高，快速响应，低功耗的特点。

【技术实现步骤摘要】
巨磁阻抗效应二维磁场传感器本专利技术涉及的是一种磁场测量器件，具体是一种巨磁阻抗效应二维磁场传感器，属于传感器

技术介绍
空间地磁场的精确测量对于确定电子设备的位置和取向是电子指南针的基本原理，相对于GPS全球定位系统来说，具有价格低，使用方便等优点，因此被广泛应用于各种移动设备如手机，汽车，笔记本电脑等。磁敏传感器构成了电子指南针系统的重要组成部分，常见的磁敏传感器包括Hall霍尔传感器，虽然可以通过半导体工艺进行加工，且尺寸较小，但是，其存在输出信号幅度弱，灵敏度较低，而且容易受温度的影响。磁阻传感器，新型娃基磁敏传感器AMR各向异性磁阻传感器,可以米用微机电系统MEMS技术制备，但AMR磁阻变化率大小只有2% _4%，其磁场灵敏度小于1% /Oe0 GMR巨磁阻传感器磁阻变化率可以达到80%以上，也可以获得较高信号输出，但驱动磁场很高(3000e以上)，其磁场灵敏度在1% -2% /Oe0巨磁阻抗传感器是一种新型的磁敏传感器，近年来得到广泛研究，其原理是利用软磁合金材料在很小直流磁场作用下展示巨磁阻抗(Giant magneto-1mpedance,简称为GMI)效应，即当本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种巨磁阻抗二维磁场传感器，其特征在于，由基片1上两个正交的巨磁阻抗效应磁敏传感器2和3，以及集成电路信号处理模块4组成，磁敏传感器2和3分别测量平面磁场的两个磁场分量，集成电路信号处理模块4用于产生磁敏传感器的信号激励信号以及采集其对外磁场的相应信号进行处理和合成；

【技术特征摘要】
1.一种巨磁阻抗二维磁场传感器，其特征在于，由基片I上两个正交的巨磁阻抗效应磁敏传感器2和3，以及集成电路信号处理模块4组成，磁敏传感器2和3分别测量平面磁场的两个磁场分量，集成电路信号处理模块4用于产生磁敏传感器的信号激励信号以及采集其对外磁场的相应信号进行处理和合成；2.如权利I所述的巨磁阻抗效应磁场传感器2和3，其特征在于，传感器由软磁非晶薄带5、信号采集线管线圈6，以及绝缘填充材料7，导线8，信号采集电极9组成；3.如权利I所述的巨磁阻抗效应磁场传感器2和3，其特征在于，非晶薄带5中通过高频交流信号或者脉冲信号，当有外磁场作用时，通过测量信号采集线圈6两端感应信号的变化来测量外磁场的强度；4.如权利I所述的巨磁阻抗效应磁场传感器2和3，其特征在于，高频交流信号频率为O.1-1OOMHz，脉冲信号脉宽为O.1ns ；5.如权利3所述的软磁非晶薄带4的各向异性场为沿着线条的宽度方向；6.如权利3所述的软磁非晶薄带4为Fe基非晶材料如FeSiBNbCu或Co基非晶合金材料如CoFeSiB材料。7.如权利3所...

【专利技术属性】
技术研发人员：周志敏，
申请(专利权)人：周志敏，刘明，胡晓东，
类型：发明
国别省市：