磁阻感测元件与磁阻传感器制造技术

本发明专利技术涉及一种磁阻感测元件，包括基板、磁阻感测单元以及磁场方向调整单元；磁阻感测单元设置于基板上方，可随着平行基板表面的第一外加磁场而产生电阻值变化；磁场方向调整单元设置于基板上方，可将垂直该基板表面的第二外加磁场导引至该第一外加磁场方向，进而使该磁阻感测单元可随着第二外加磁场而产生电阻值变化。本发明专利技术还涉及一种磁阻传感器，其包括四个如上所述的磁阻感测元件，所述这些磁阻感测元件组成惠斯登电桥，此电桥在第一外加磁场变化时，输出电压不变，在第二外加磁场变化时，输出电压改变。本发明专利技术磁阻感测元件与磁阻传感器可导引与基板表面垂直方向的磁场，改变成与基板表面同一个平面的磁场方向分量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种磁阻感测元件及以其组成的磁阻传感器，尤其涉及一种感测与基板表面垂直方向的磁场大小、方向的磁阻传感器。
技术介绍
请参考图1，其为现有单轴磁阻感测元件的剖面示意图，其组成的磁阻传感器可用以精细侦测空间中与基板平面平行的方向上磁场的大小、方向。其中主要包括有绝缘基板10、磁阻层12以及导体构造14等，而导体构造14可为“斜条状”导体(barber pole)，此种导体设计具有改变原有磁阻内电流方向，并藉以增加磁阻感测元件灵敏度的作用，且其位置不限于在磁阻层上方或下方。至于图2为图1所示的磁阻感测元件的俯视图，参照图中可看出，导线构造14的延伸方向与磁阻层12的延伸方向间约呈45度角，并与磁阻层12电性连接而形成“斜条状”导体。再请参考图3，其为由上述磁阻感测元件所组成的磁阻传感器的构造示意图，主要由四个具有“斜条状”导体的磁阻感测元件31、32、33、34，以惠斯顿电桥方式彼此电性连接且设置在基板(本图未示出)上来组成，其中磁阻感测元件31、33为第一组，磁阻感测元件32,34为第二组，当两组中四个磁阻感测元件都具有相同磁化方向(例如图中箭头M)时，因两组中“斜条状”本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁阻感测元件，其特征是：所述磁阻感测元件包括基板、磁阻感测单元以及磁场方向调整单元；所述磁阻感测单元设置于所述基板上方，可随着平行所述基板表面的第一外加磁场而产生电阻值变化；所述磁场方向调整单元设置于所述基板上方，可将垂直所述基板表面的第二外加磁场导引至所述第一外加磁场方向，进而使所述磁阻感测单元可随着所述第二外加磁场而产生电阻值变化。

【技术特征摘要】
2011.09.29 TW 1001352631.一种磁阻感测元件，其特征是所述磁阻感测元件包括基板、磁阻感测单元以及磁场方向调整单元；所述磁阻感测单元设置于所述基板上方，可随着平行所述基板表面的第一外加磁场而产生电阻值变化；所述磁场方向调整单元设置于所述基板上方，可将垂直所述基板表面的第二外加磁场导引至所述第一外加磁场方向，进而使所述磁阻感测单元可随着所述第二外加磁场而产生电阻值变化。2.根据权利要求1所述的磁阻感测元件，其特征是所述磁阻感测单元包括水平分量磁阻结构以及导体结构；所述水平分量磁阻结构形成于所述基板上方；所述导体结构形成于所述基板上方，其延伸方向与所述水平分量磁阻结构的延伸方向呈一个角度，所述角度大于零度且小于90度，可改变所述水平分量磁阻结构内的电流方向，从而使所述水平分量磁阻结构随着所述第一外加磁场而产生线性的电阻值变化。3.根据权利要求2所述的磁阻感测元件，其特征是所述水平分量磁阻结构位于所述导体结构上方。4.根据权利要求2所述的磁阻感测元件，其特征是所述水平分量磁阻结构位于所述导体结构下方。5.根据权利要求2所述的磁阻感测元件，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：傅乃中，陈光镜，刘富台，
申请(专利权)人：宇能电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：