一种GMI和GMR相结合的磁敏传感器件制造技术

一种GMI和GMR相结合的磁敏传感器件，属于磁传感器技术领域。包括位于同一衬底基片上的GMI结构单元和GMR结构单元，GMI结构单元和GMR结构单元之间采用金属连接电极实现串联。本发明专利技术在确凿的理论分析和实验验证的基础上，将GMR磁敏传感器的工作模式由直流驱动变为交流驱动，同时兼顾GMI磁敏传感器和GMR磁敏传感器的灵敏度选择合适的驱动频率。本发明专利技术提供的GMI和GMR相结合的磁敏传感器件，采用同一低频交流驱动信号，在弱磁场和强磁场下分别通过GMI结构单元和GMR结构单元实现对磁场的测量。克服了现有GMI磁敏传感器和GMR磁敏传感器固有的缺点，能够实现0~2000Gauss全量程范围的高精度测量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于磁传感器
，涉及巨磁阻抗和巨磁电阻相结合的磁敏传感器。
技术介绍
巨磁阻抗效应(Giant Magneto-1mpedance,简称GMI)是由日本名古屋大学K. Mohri在1992年发现并提出的，是指在一定频率的交流信号激励下，材料的阻抗随着外加磁场的变化而发生显著变化的效应。非晶软磁丝、薄带及其薄膜复合结构的材料都具有较大的GMI效应。S. Xiao等人利用射频溅射法制备的Fe73.5Si13.5B9CUlNb3/Cu/Fe73^Si115B9Cu1Nb3三层膜中观察到阻抗变化率高达1700%，灵敏度高达87%/0e (Phy. Rev.B 2000, 61，5734-5739)。GMI磁敏传感器就是基于GMI效应的高灵敏磁场传感器，其阻抗变 ΓΖ νΖ Ο 化率由公式v z(Q)V 100%算出，其中Z(H)，Ζ(0)分别为有、无外加磁场时的阻抗。GMI磁场传感器是典型的交流驱动器件，可采用高频交流驱动信号予以激励，但其缺点是所测磁场范围较窄，一般为(Γ几十高斯。巨磁电阻效应Giant Magneto-resistance,简称GMR)是由德国本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种GMI和GMR相结合的磁敏传感器件，包括位于同一衬底基片（1）上的GMI结构单元（2）和GMR结构单元（3）；所述GMI结构单元（2）和GMR结构单元（3）之间具有金属连接电极（4）实现二者相互串联，GMI结构单元（2）另一端具有金属电极（5）作为整个磁敏传感器件的输入或输出电极，GMR结构单元（3）另一端具有金属电极（6）作为整个磁敏传感器件的输出或输入电极。

【技术特征摘要】
1.一种GMI和GMR相结合的磁敏传感器件,包括位于同一衬底基片(I)上的GMI结构单元(2)和GMR结构单元(3);所述GMI结构单元(2)和GMR结构单元(3)之间具有金属连接电极(4)实现二者相互串联，GMI结构单元(2)另一端具有金属电极(5)作为整个磁敏传感器件的输入或输出电极，GMR结构单兀(3)另一端具有金属电极(6)作为整个磁敏传感器件的输出或输入电极。2.根据权利要求1所述的GMI和GMR相结合的磁敏传感器件，其特征在于，所述GMI结构单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋远强，周维为，向勇，张博，刘爱芳，严鹏飞，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：