【技术实现步骤摘要】
本技术涉及传感器
，尤其涉及一种压力/二维磁场单片集成传感器。
技术介绍
随着科学技术的进步，传感器的应用越来越受到重视，但是单一的传感器只能测量一个物理量，而在工业生产、航天航空等领域，为了准确全面地认识对象或环境，以进行进一步控制，往往需要多个物理量，而在一个芯片上集成多种功能敏感元器件的集成传感器能同时测量多个物理量，此种集成传感器具有体积小、重量轻以及集成一体化等优点。专利号为201310208494.8的专利技术专利采用集成化的设计技术将温度、湿度、二氧化碳传感器和数字信号处理电路设计成一个模块，温度、湿度、二氧化碳传感器的功能是将外界温度、湿度、二氧化碳信号转换为电信号输出；数字信号处理电路的功能是通过控制原理传感器输出的电信号转换成标准的电压信号输出；因为采用一体式的工艺结构，从而减少了外界对传感器信号的影响，提高了稳定性，减少了体积，降低了生产成本。申请号为201210451111.5的专利技术专利提供了一种温度压力集成传感器，该集成传感器包括温度传感器、绑定电路板、温度传感器安装槽、感压元件、压力座、压力进入口和导线，其特征在于：压力进入口位于压力座的下端，绑定电路板位于压力座的上端，绑定电路板紧贴于压力座的顶面，温度传感器安装在温度传感器安装槽中且紧贴压力座，被测介质的热量通过压力座传导至温度传感器，温度传感器通过导线与绑定电路板相连接进行信号传输。但是，对于压力/二维磁场的集成化传感器的报道较少，同时，由于传感器基本结构和集成化工艺条件限制，传感器存在灵敏度低、温度漂移大等问题，...
【技术保护点】
一种压力/二维磁场单片集成传感器，其特征在于，该单片集成传感器包括：用来检测二维磁场的X轴方向磁场的第一磁敏二极管(MD1)和第二磁敏二极管(MD2)，用来检测二维磁场的Y轴方向磁场的第三磁敏二极管(MD3)和第四磁敏二极管(MD4)，用来检测压力的第一压敏电阻(R1)、第二压敏电阻(R2)、第三压敏电阻(R3)和第四压敏电阻(R4)，分别与第一磁敏二极管(MD1)的正极、第二磁敏二极管(MD2)的正极、第三磁敏二极管(MD3)的正极和第四磁敏二极管(MD4)的正极相连的第一负载电阻(Rx1)、第二负载电阻(Rx2)、第三负载电阻(Ry3)和第四负载电阻(Ry4)，和高阻SOI衬底，在其上设置第一磁敏二极管(MD1)、第二磁敏二极管(MD2)、第三磁敏二极管(MD3)、第四磁敏二极管(MD4)、第一压敏电阻(R1)、第二压敏电阻(R2)、第三压敏电阻(R3)、第四压敏电阻(R4)、第一负载电阻(Rx1)、第二负载电阻(Rx2)、第三负载电阻(Ry3)和第四负载电阻(Ry4)。
【技术特征摘要】
1.一种压力/二维磁场单片集成传感器，其特征在于，该单片集成传感器包括：
用来检测二维磁场的X轴方向磁场的第一磁敏二极管(MD1)和第二磁敏二极管(MD2)，
用来检测二维磁场的Y轴方向磁场的第三磁敏二极管(MD3)和第四磁敏二极管(MD4)，
用来检测压力的第一压敏电阻(R1)、第二压敏电阻(R2)、第三压敏电阻(R3)和第四压敏电阻(R4)，
分别与第一磁敏二极管(MD1)的正极、第二磁敏二极管(MD2)的正极、第三磁敏二极管(MD3)的正极和第四磁敏二极管(MD4)的正极相连的第一负载电阻(Rx1)、第二负载电阻(Rx2)、第三负载电阻(Ry3)和第四负载电阻(Ry4)，和
高阻SOI衬底，在其上设置第一磁敏二极管(MD1)、第二磁敏二极管(MD2)、第三磁敏二极管(MD3)、第四磁敏二极管(MD4)、第一压敏电阻(R1)、第二压敏电阻(R2)、第三压敏电阻(R3)、第四压敏电阻(R4)、第一负载电阻(Rx1)、第二负载电阻(Rx2)、第三负载电阻(Ry3)和第四负载电阻(Ry4)。
2.根据权利要求1所述的一种压力/二维磁场单片集成传感器，其特征在于，
所述第一磁敏二极管(MD1)与第二磁敏二极管(MD2)的磁敏感方向相反；
所述第三磁敏二极管(MD3)与第四磁敏二极管(MD4)的磁敏感方向相反。
3.根据权利要求1或2所述的一种压力/二维磁场单片集成传感器，其特征在于，
所述第一磁敏二极管(MD1)和第二磁敏二极管(MD2)的负极相连形成公共负极，正极形成差分输出，从而实现二维磁场的X轴方向磁场的检测；
所述第三磁敏二极管(MD3)和第四磁敏二极管(MD4)的负极相连形成公共负极，正极形成差分输出，从而实现二...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵晓锋，李宝增，温殿忠，
申请(专利权)人：黑龙江大学，
类型：新型
国别省市：黑龙江;23
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