【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种采用直拉法生产单晶硅的单晶炉装置。
技术介绍
随着太阳能光伏产业的技术发展和规模化，行业竞争日益加剧，降低成本和提高光电转换效率已经成为众多光伏厂家生产的主导方向。通常，降低成本是通过降低热场的能耗或提升晶体拉速，进而缩短拉晶时间，节省功耗来实现的；而提高光电转换效率则通过需要通过改善晶体的品质来达到。长期以来，直拉法是较为经济且普遍采用的一种制备单晶硅的方法，所采用的相应设备为直拉单晶炉装置，如图1所示。在直拉单晶硅的过程中，主要采用惰性气体(如氩气)作为保护性气体，氩气从副室顶部充入经阀室进入主炉室内，因炉体的特殊性，氩气会 在保温盖上方区域14发生停滞，且由于经过的路径较长，氩气流速存在一定的衰减；这样就使得氩气的利用效率不高，而且对晶体生长所释放的结晶潜热以及硅溶液表面上方的气尘杂质的携带能力较弱，从而导致所生产的晶体中碳氧等杂质较多，同时，对热场中石墨件(由于单晶炉内部的热场部件均采用石墨材质，因此简称“石墨件”)的侵蚀损耗也较大。此夕卜，现有的众多热场均设计为塔式结构，目标在于产生较大的纵向温度梯度，以使晶体能够较快地生长，然而晶体生长...
【技术保护点】
一种单晶炉装置，包括炉体，所述炉体内包括有坩埚(10)和设于所述坩埚上方的第一导流筒(7)，其特征在于，炉体内还包括有一个中空的直筒(4)，所述直筒的上端面设置在炉体的炉勃口(2)处，其下端面设置在所述第一导流筒的上方或设置在与所述第一导流筒上端面的高度平齐的位置。
【技术特征摘要】
1.一种单晶炉装置，包括炉体，所述炉体内包括有坩埚(10)和设于所述坩埚上方的第一导流筒(7)，其特征在于，炉体内还包括有一个中空的直筒(4)，所述直筒的上端面设置在炉体的炉勃口(2)处，其下端面设置在所述第一导流筒的上方或设置在与所述第一导流筒上端面的高度平齐的位置。2.根据权利要求1所述的单晶炉装置，其特征在于，所述炉体内还包括有支撑环(1)，所述直筒(4)通过支撑环支撑在所述炉勃口处，支撑环为环状，其下端部向支撑环的中心方向延伸形成肩部，所述肩部设置在炉体的炉勃口处，所述直筒为圆筒状，直筒的上端部向外延伸形成凸缘(3)，所述凸缘能够支撑在所述支撑环的肩部上。3.根据权利要求2所述的单晶炉装置，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：昝武，苏金玉，李建帅，战永强，李仪成，
申请(专利权)人：特变电工新疆新能源股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。