一种超薄单晶硅片的直拉制备方法技术

本发明专利技术涉及超薄单晶硅片制造技术领域，特别涉及一种厚度小于40um的单晶硅片的制备方法，应用于半导体器件和太阳电池领域。其特征在于包括如下步骤：把原料多晶硅块放入单晶炉的石英坩埚中；单晶炉关闭，抽真空到10-2-10-3Torr，然后冲入高纯氩，保持单晶炉内真空度保持在10~20Torr；在单晶炉中，加热融化石英坩埚中的多晶硅原料，单晶炉中加热温度为1412-1450℃；当硅熔体的温度稳定以后，将固定在提拉结构上的线状籽晶浸入硅熔体中，保温5-10min后提拉，提拉结构是由线径为10-30微米钨丝线组成的钨丝线框，提拉速度在20-50mm/min；提拉结构与液面分开后，升至上炉室冷却20-60min后取出，超薄晶片覆盖在钨丝框上；开单晶炉取出硅片。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及超薄单晶娃片制造
,特别涉及一种厚度小于40um的单晶娃片的制备方法，应用于半导体器件和太阳电池领域。
技术介绍
当前能源危机与环境问题日趋严重，对太阳能利用的需求愈加迫切，但是相对于常规的石化、煤炭发电，太阳能光伏发电成本仍然偏高；高效、低成本是太阳电池技术追求的目标，在众多的太阳能电池中，晶体硅太阳能电池占据整个光伏市场的85%左右；目前，产业界所用单晶硅太阳电池的硅片厚度为180 200 ym，而太阳能发电成本中很大一部分来源于硅片材料，降低成本的一个重要和直接的途径是降低硅片厚度，在不久的将来，硅片太阳能电池厚度预期可降至40 y m以下，这将给太阳能电池技术带来一场革命。 目前半导体行业和光伏产业所用的单晶硅片都是通过切割单晶硅锭获得。而厚度低于100微米的超薄娃片，美国Silicon Genesis公司在2008年已开始研发利用氢离子注入-剥离的方式进行生产A. Brailove et al. , First Demonstration ofHigh Volume Manufacturing of Kerf-Free PolyMax Wafers, 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超薄单晶硅片的直拉制备方法，其特征在于包括如下步骤：（1）把原料多晶硅块放入单晶炉的石英坩埚中；（2）单晶炉关闭，抽真空到10?2?10?3Torr，然后冲入高纯氩，保持单晶炉内真空度保持在10~20?Torr；（3）在单晶炉中，加热融化石英坩埚中的多晶硅原料，单晶炉中加热温度为1412?1450℃；（4）当硅熔体的温度稳定以后，将固定在提拉结构上的线状籽晶浸入硅熔体中，保温5?10min后提拉，提拉结构是由线径为10?30?微米钨丝线组成的钨丝线框，提拉速度在20?50?mm/min；（5）提拉结构与液面分开后，升至上炉室冷却20?60min后取出，超薄晶片覆盖在钨丝框上；（6）开单晶炉...

【技术特征摘要】
1.一种超薄单晶硅片的直拉制备方法，其特征在于包括如下步骤 (1)把原料多晶硅块放入单晶炉的石英坩埚中； (2)单晶炉关闭，抽真空到ICT2-1O-3T0rr,然后冲入高纯氩，保持单晶炉内真空度保持在 10 20 Torr ； (3)在单晶炉中，加热融化石英坩埚中的多晶硅原料，单晶炉中加热温度为1412-1450°C ； (4)当硅熔体的温度稳定以后，将固定在提拉结构上的线状籽晶浸入硅熔体中，保温5-10min后提拉，提拉结构是由线径为10-30微米钨丝线组成的钨丝线框，提拉速度在...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁建宁，袁宁一，
申请(专利权)人：常州大学，
类型：发明
国别省市：