【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种沉积槽，尤其是涉及一种能够装卸的新型石墨沉积槽，属于镀膜设备。
技术介绍
为了使化学反应能在较低的温度下进行，常利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。在现有的PECVD设备中，为控制镀膜沉积的方向，防止生成的镀膜物质沉积在气体源管路及腐蚀管道以及减少气体源消耗等问题，常常使用沉积槽。现有的沉积槽主要 分为两种不锈钢金属沉积槽、石墨沉积槽。采用不锈钢金属制作而成，通常采用焊接或者弯折而成。不锈钢沉积槽因热胀冷缩膨胀系数和常规的镀膜物质(如SiNx)的差异很大，造成严重的掉渣问题，影响镀膜的质量。个别还采用表面喷砂处理，增加表面粗糙度，提高吸附镀膜物质的能力。传统石墨沉积槽为一体结构，石墨沉积槽的膨胀系数和常规镀膜物质的膨胀系数接近，能很好的减少因热胀冷缩引起的掉渣问题。石墨纤维板和常见镀膜物质(如SiNx)的膨胀系数接近，表面粗糙度很好。现有石墨沉积槽镀膜效果很好，但制作工艺复杂，成本高；其结构复杂，不便于后期清理；且如果部分损坏必须全部更换，维护成本高。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述现有技术的缺...
【技术保护点】
一种能够装卸的新型石墨沉积槽，其特征在于：包括支撑装置以及设置在支撑装置内部的沉积槽，所述支撑装置包括若干个U型支撑架（7），U型支撑架（7）串联为纵行结构，且U型支撑架（7）的外部设置有两条平行的支撑棍（5），支撑棍（5）与对应的U型支撑架（7）的端头连接；沉积槽设置在U型支撑架（7）内部，所述沉积槽包括依次连接为U型的底板（6）、侧板（2）以及顶板（3），且底板（6）设置在U型支撑架（7）的底部，侧板（2）设置在U型支撑架（7）的侧壁上，顶板（3）设置在U型支撑架（7）的开口端上，且底板（6）和侧板（2）上设置有气孔（1）。
【技术特征摘要】
1.一种能够装卸的新型石墨沉积槽，其特征在于包括支撑装置以及设置在支撑装置内部的沉积槽，所述支撑装置包括若干个U型支撑架(7 )，U型支撑架(7 )串联为纵行结构，且U型支撑架(7)的外部设置有两条平行的支撑棍(5)，支撑棍(5)与对应的U型支撑架(7)的端头连接；沉积槽设置在U型支撑架(7)内部，所述沉积槽包括依次连接为U型的底板(6 )、侧板(2 )以及顶板(3 )，且底板(6 )设置在U型支撑架(7 )的底部，侧板(2 )设置在U型支撑架(7)的侧壁上，顶板(3)设置在U型支撑...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘林，吴欣，路忠林，林洪峰，盛雯婷，张凤鸣，
申请(专利权)人：天威新能源控股有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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