【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体工艺中硅片的清洗设备，具体地说是一种用于清洗半导体硅 片的清洗槽。
技术介绍
在现有工艺上，一般采用石英缸对半导体硅片进行冲洗，在冲洗前，需要将半导体 硅片放入石英缸中进行冲洗，不但耗费大量的人工且效率不高，同时需要用去离子水对半 导体硅片进行冲洗，增加了去离子水的成本。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对现有技术的缺陷，提供一种结构简单，清洗效率高的用于清 洗半导体硅片的清洗槽。本专利技术的目的是通过以下技术方案解决的一种用于清洗半导体硅片的清洗槽，它包括清洗槽本体，所述清洗槽本体的清洗区内 设有漏水搁板，该漏水搁板水平设置在清洗区内的中下部；所述清洗槽本体的侧壁外侧设 有出水阀，所述的出水阀位于漏水隔板与清洗槽本体的槽底之间的侧壁上。所述的漏水搁板上设有贯穿漏水搁板厚度的漏水孔。所述的漏水孔呈圆形、椭圆形、方形、长方形或三角形中的一种或几种。所述的漏水搁板上设有竖直设置的隔离板，所述的隔离板位于漏水搁板的等分线 上。所述漏水搁板上表面一侧的等分线处设有凹槽，所述的凹槽与隔离板的下端镶嵌 相连。所述清洗槽本体的侧壁上部设有提手，所述的提手对称设置在清洗槽本体的侧壁 上。所述的漏水搁板采用塑料板制成。本专利技术相比现有技术有如下优点本专利技术可根据实际需要设计成尺寸大小不同的清洗槽，清洗槽内的漏水搁板上可放置 两个及两个以上的插有半导体硅片的花篮，并缩短了半导体硅片的清洗时间和节省了去离 子水的使用成本。本专利技术结构简单、操作方便，减少了手工操作，并提高了工作效率，适宜在半导体 硅片生产中推广使用。附图说明附图1是本专利技术的部分剖视...
【技术保护点】
一种用于清洗半导体硅片的清洗槽，它包括清洗槽本体（1），其特征在于所述清洗槽本体（1）的清洗区（2）内设有漏水搁板（3），该漏水搁板（3）水平设置在清洗区（2）内的中下部；所述清洗槽本体（1）的侧壁外侧设有出水阀（4），所述的出水阀（4）位于漏水隔板（3）与清洗槽本体（1）的槽底之间的侧壁上。
【技术特征摘要】
1.一种用于清洗半导体硅片的清洗槽，它包括清洗槽本体(1)，其特征在于所述清洗槽本体(I)的清洗区(2)内设有漏水搁板(3)，该漏水搁板(3)水平设置在清洗区(2)内的中下部；所述清洗槽本体(I)的侧壁外侧设有出水阀(4)，所述的出水阀(4)位于漏水隔板(3)与清洗槽本体(I)的槽底之间的侧壁上。2.根据权利要求1所述的用于清洗半导体硅片的清洗槽，其特征在于所述的漏水搁板(3)上设有贯穿漏水搁板(3)厚度的漏水孔(5)。3.根据权利要求2所述的用于清洗半导体硅片的清洗槽，其特征在于所述的漏水孔(5)呈圆形、椭圆形、方形、长方形或三角形中的一种或几种。4.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄国勇，曹珍裕，王兴鸿，
申请(专利权)人：宜兴市环洲微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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