【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及碳化硅基板、半导体装置及SOI晶圆，特别涉及用于搭载在高频区域操作的半导体元件的碳化硅基板及使用该碳化硅基板的半导体装置与SOI晶圆。
技术介绍
以往以来，在高频区域操作的半导体元件被用于手机及各种通讯设备等电子装置，各种介电质陶瓷作为安装这种半导体元件用的基板材料被提出。在这些介电质陶瓷中，碳化硅由于兼具高机械强度与稳定的化学特性而为公众所知，然而以往的机械零件等所使用的碳化硅在高频区域中的损失大，并不适合作为搭载高频用半导体元件的基板材料。因此，例如专利文献I公开了通过增加热处理等使高频区域中的损失降低的由多结晶碳化硅构成的碳化硅基板。[先前技术文献] [专利文献][专利文献I]特开2009-260117号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题如果使用这样一种碳化硅基板，通过在碳化硅基板的表面上搭载半导体元件，或着在碳化硅基板上通过绝缘膜形成硅层后，通过使用该硅层来形成元件，可以制作高频损失少的半导体装置。但是，由于专利文献I公开的碳化硅基板，热传导率不高，如果搭载发热量大的半导体元件，可能无法充分地进行散热。另外，专利文献I公开的碳化硅基板，虽...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.07.06 JP 2010-1537301.一种碳化硅基板，其特征在于具备由多结晶碳化硅构成的第I层、及 由形成于所述第I层的表面上的多结晶碳化硅构成的第2层， 所述第2层具有比所述第I层更小的高频损失，且所述第I层具有比所述第2层更大的热传导率。2.如权利要求1记载的碳化硅基板，其中，所述第2层的表面侧在频率20GHz的高频损失为2dB/mm以下，热传导率为200W/mK以上。3.如权利要求1或2记载的碳化硅基板，其中，所述第2层具有所述碳化硅基板的总厚度的20%以下、且10 μ m以上的厚度。4.一种碳化娃基板,其特征在于 具备由多结晶碳化硅构成的第I层、及 由形成于所述第I层的表面上的多结晶...
【专利技术属性】
技术研发人员：川本聪，中村将基，
申请(专利权)人：三井造船株式会社，株式会社ADMAP，
类型：
国别省市：
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