下载碳化硅基板、半导体装置及SOI晶圆的技术资料

文档序号:8494119

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本发明提供高频损失少,且显示优异散热性的碳化硅基板。碳化硅基板S具备:由多结晶碳化硅构成的第1碳化硅层1、及由形成于第1碳化硅层的表面上的多结晶碳化硅构成的第2碳化硅层2,第2碳化硅层2具有比第1碳化硅层1更小的高频损失,且第1碳化硅层1具...
该专利属于三井造船株式会社;株式会社ADMAP所有,仅供学习研究参考,未经过三井造船株式会社;株式会社ADMAP授权不得商用。

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