将双极性结型晶体管用于缓冲电路的方法和缓冲电路技术

本发明专利技术公开了一种将一双极性结型晶体管用于一缓冲电路的方法和缓冲电路。该缓冲电路包含有：一电容器，该电容器具有一第一端子与一第二端子，其中该电容器的该第一端子是电气连接至该缓冲电路的一第一端子；以及一双极性结型晶体管，其中该双极性结型晶体管的发射极与集电极中的一者是电气连接至该电容器的该第二端子，且其发射极与集电极中的另一者是电气连接至该缓冲电路的一第二端子。该缓冲电路可并联于一主动组件或一负载以保护负载所连接的电路，尤其可吸收主动组件在高频切换时所产生的突波或噪声以做能量回收，而可达到降低突波电压、提高效率的功效。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于电力/电子组件的保护电路，尤指一种缓冲电路(SnubberCircuit)以及将双极性结型晶体管(Bipolar Junction Transistor, BJT)用于缓冲电路的方法。
技术介绍
近年来由于电子电路的技术不断地发展，各种电力/电子组件的保护电路被广泛地实施于诸多应用中。因此，这些保护电路的设计遂成为相当热门的议题。传统的保护电路当中，有某些缓冲电路，其构造简单、易于实施，故被广泛地应用于电力/电子电路。然而，这些传统的缓冲电路还是有不足之处。例如传统的缓冲电路的能量损耗很高，且其效率通常很差。又例如传统的缓冲电路无法确保最高突波电压值的限制，也就是说，突波电压值可能超过整体电路所能承受的范围，故采用传统的缓冲电路易造成半导体组件的损坏。因此，需要一种新颖的方法来提升缓冲电路的电路保护的效能。
技术实现思路
因此本专利技术的一目的在于提供一种缓冲电路(Snubber Circuit)以及将双极性结型晶体管(Bipolar Junction Transistor, BJT)用于缓冲电路的方法，以解决上述问题。本专利技术的一目的在于提供一种缓冲电路以及将双极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种缓冲电路，该缓冲电路的特征在于包含有：一电容器，该电容器具有一第一端子与一第二端子，其中该电容器的该第一端子是电气连接至该缓冲电路的一第一端子；以及一双极性结型晶体管，其中该双极性结型晶体管的发射极与集电极中的一者是电气连接至该电容器的该第二端子，且该双极性结型晶体管的发射极与集电极中的另一者是电气连接至该缓冲电路的一第二端子。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：林国藩，
申请(专利权)人：全汉企业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：