本发明专利技术公开了一种将一双极性结型晶体管用于一缓冲电路的方法和缓冲电路。该缓冲电路包含有：一电容器，该电容器具有一第一端子与一第二端子，其中该电容器的该第一端子是电气连接至该缓冲电路的一第一端子；以及一双极性结型晶体管，其中该双极性结型晶体管的发射极与集电极中的一者是电气连接至该电容器的该第二端子，且其发射极与集电极中的另一者是电气连接至该缓冲电路的一第二端子。该缓冲电路可并联于一主动组件或一负载以保护负载所连接的电路，尤其可吸收主动组件在高频切换时所产生的突波或噪声以做能量回收，而可达到降低突波电压、提高效率的功效。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于电力/电子组件的保护电路，尤指一种缓冲电路(SnubberCircuit)以及将双极性结型晶体管(Bipolar Junction Transistor, BJT)用于缓冲电路的方法。
技术介绍
近年来由于电子电路的技术不断地发展，各种电力/电子组件的保护电路被广泛地实施于诸多应用中。因此，这些保护电路的设计遂成为相当热门的议题。传统的保护电路当中，有某些缓冲电路，其构造简单、易于实施，故被广泛地应用于电力/电子电路。然而，这些传统的缓冲电路还是有不足之处。例如传统的缓冲电路的能量损耗很高，且其效率通常很差。又例如传统的缓冲电路无法确保最高突波电压值的限制，也就是说，突波电压值可能超过整体电路所能承受的范围，故采用传统的缓冲电路易造成半导体组件的损坏。因此，需要一种新颖的方法来提升缓冲电路的电路保护的效能。
技术实现思路
因此本专利技术的一目的在于提供一种缓冲电路(Snubber Circuit)以及将双极性结型晶体管(Bipolar Junction Transistor, BJT)用于缓冲电路的方法，以解决上述问题。本专利技术的一目的在于提供一种缓冲电路以及将双极性结型晶体管用于缓冲电路的方法，以保护负载所连接的电路，且降低突波电压、改善效率。本专利技术的较佳实施例中提供一种缓冲电路，该缓冲电路包含有一电容器，该电容器具有一第一端子与一第二端子，其中该电容器的该第一端子是电气连接至该缓冲电路的一第一端子；以及一双极性结型晶体管(Bipolar Junction Transistor, BJT),其中该双极性结型晶体管的发射极(Emitter)与集电极(Collector)中的一者是电气连接至该电容器的该第二端子，且该双极性结型晶体管的发射极与集电极中的另一者是电气连接至该缓冲电路的一第二端子。尤其是，该双极性结型晶体管的基极(Base)与发射极是被导通。本专利技术的较佳实施例中提供一种缓冲电路，该缓冲电路包含有一第一电容器，该第一电容器具有一第一端子与一第二端子，其中该第一电容器的该第一端子是电气连接至该缓冲电路的一第一端子；一电阻器，该电阻器具有一第一端子与一第二端子，其中该电阻器的该第一端子是电气连接至该第一电容器的该第二端子；以及一双极性结型晶体管，其中该双极性结型晶体管的发射极与集电极中的一者是电气连接至该电阻器的该第二端子，且该双极性结型晶体管的发射极与集电极中的另一者是电气连接至该缓冲电路的一第二端子。尤其是，该双极性结型晶体管的基极与发射极是被导通。本专利技术于提供上述缓冲电路的同时，亦对应地提供一种将一双极性结型晶体管用于一缓冲电路的方法，该方法包含有下列步骤将该双极性结型晶体管的基极与发射极导通；以及基于该双极性结型晶体管的基极与集电极之间的至少一接面特性，利用该双极性结型晶体管作为一快速二极管，以供设置于该缓冲电路。尤其是，利用该双极性结型晶体管作为该快速二极管以供设置于该缓冲电路的步骤包含将该双极性结型晶体管的发射极与集电极中的一者电气连接至一电容器的一端子；将该电容器的另一端子电气连接至该缓冲电路的一第一端子；以及将该双极性结型晶体管的发射极与集电极中的另一者电气连接至该缓冲电路的一第二端子。本专利技术的好处之一是，本专利技术的缓冲电路的构造简单且易于实施，同时能避免相关技术的问题。另外，本专利技术的缓冲电路可并联于一主动组件或一负载以保护负载所连接的电路，例如可设置于交换式电源供应器中以保护变压器一次侧连接的交换组件或二次侧连接的输出整流电路，尤其可吸收主动组件在高频切换时所产生的突波或噪声以做能量回收，而可降低突波电压、提高效率。附图说明 图1为依据本专利技术一第一实施例的一种缓冲电路(Snubber Circuit)的示意图，其中该缓冲电路是为电容器-双极性结型晶体管(Bipolar Junction Transistor, BJT)缓冲电路，故可简称为CB缓冲器。图2至图5绘示图1所示的缓冲电路于不同的实施例中所涉及的实施细节，其中图2至图5的实施例分别对应于类型TYPEp TYPE2、TYPE3、TYPE4。图6至图9为依据本专利技术一第二实施例的一种缓冲电路的不同类型的示意图，其中图6至图9所示的一系列的缓冲电路是为电阻器(Resistor)-电容器(Capacitor)-双极性结型晶体管(BJT)缓冲电路，故可简称为RCB缓冲器。图10绘示图1所示的缓冲电路于一实施例中所涉及的某些实验的架构。图11绘示图10右半部所示的缓冲电路于一实施例中的实施细节。图12绘示图10右半部所示的缓冲电路于另一实施例中的实施细节。图13绘示上述实施例的缓冲电路于一实施例中所涉及的交换式电源供应器。图14绘示图2所示的缓冲电路于一实施例中针对图13所示的交换式电源供应器中的隔离功率变压器的一次侧的设置方案，其中该设置方案对应于类型TYPEp图15绘示图3所示的缓冲电路于另一实施例中针对图13所示的交换式电源供应器中的隔离功率变压器的二次侧的设置方案，其中该设置方案对应于类型type2。图16绘示本专利技术的缓冲电路诸如上述的CB缓冲器与RCB缓冲器于某些实施例中对突波电压的影响。其中，附图标记说明如下100、缓冲电路100A、100B、100C、100D、200A、200B、200C、200D、300A、300B、300C、400120、C1、C2、C6、C7、电容器C8、C9、C10、C11、C12130、Q1、Q2、Q7、Q8、双极性结型晶体管Q9、Q10、Q11、Q12A、B缓冲电路的端子Dll二极管G接地端子LI电感器Qa, Qb, Qc金属氧化物半导体场效应晶体管R1、R2、R3、R4、R5、R6 电阻器T1隔离功率变压器Vin输入电压Vout输出电压具体实施例方式图1为依据本专利技术一第一实施例的一种缓冲电路(Snubber Circuit) 100的示意图，其中缓冲电路100是为电容器(Capacitor)-双极性结型晶体管(Bipolar JunctionTransistor, BJT)缓冲电路，故可简称为CB缓冲器。于本实施例中，缓冲电路100包含一电容器120以及一双极性结型晶体管130。尤其是，电容器120具有一第一端子与一第二端子，其中电容器120的该第一端子是电气连接至缓冲电路100的一第一端子A，而双极性结型晶体管130的发射极(Emitter)与集电极(Collector)中的一者是电气连接至电容器120的该第二端子，并且双极性结型晶体管130的发射极与集电极中的另一者是电气连接至缓冲电路100的一第二端子B。实作上，双极性结型晶体管130的基极(Base)与发射极是被导通。依据本实施例，一种将一双极性结型晶体管诸如双极性结型晶体管130用于一缓冲电路诸如缓冲电路100的方法包含有下列步骤将该双极性结型晶体管的基极与发射极导通；以及基于该双极性结型晶体管的基极与集电极之间的至少一接面特性，利用该双极性结型晶体管作为一快速二极管，以供设置于该缓冲电路。其中利用该双极性结型晶体管作为该快速二极管以供设置于该缓冲电路的步骤包含将该双极性结型晶体管诸如双极性结型晶体管130的发射极与集电极中的一者电气连接至一电容器诸如电容器120的一端子(于本实施例中尤其是电容器120的该第二端本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种缓冲电路，该缓冲电路的特征在于包含有：一电容器，该电容器具有一第一端子与一第二端子，其中该电容器的该第一端子是电气连接至该缓冲电路的一第一端子；以及一双极性结型晶体管，其中该双极性结型晶体管的发射极与集电极中的一者是电气连接至该电容器的该第二端子，且该双极性结型晶体管的发射极与集电极中的另一者是电气连接至该缓冲电路的一第二端子。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：林国藩，
申请(专利权)人：全汉企业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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