一种适用于单管反激的无源无损缓冲电路制造技术

技术编号:8183345 阅读:347 留言:0更新日期:2013-01-09 00:41
本实用新型专利技术公开了一种适用于单管反激的无源无损缓冲电路,包括变压器、缓冲模块、MOS管、第一二极管和第一电容,所述缓冲模块的第一端连接变压器的初级绕组的异名端,所述缓冲模块的第二端连接变压器的初级绕组的同名端,缓冲模块的第三端接地;所述变压器的次级绕组的同名端连接第一二极管的正极,所述第一二极管的负极通过第一电容连接变压器的次级绕组的异名端;所述MOS管的漏极连接变压器的初级绕组的同名端和缓冲模块的第二端,源极接地。在本实用新型专利技术的无源无损缓冲电路中没有阻性元件消耗能量,降低了钳位损耗,保证了电源的可靠性,并且由于缓冲电路的作用,限制了MOS管上的电压应力,保证MOS管工作在安全区域。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及缓冲电路控制技术,特别涉及一种适用于单管反激的无源无损缓冲电路
技术介绍
请参阅图1,传统的RCD缓冲电路包括变压器Tl、第一二极管D1、第二二极管D2、电阻R1、第一电容Cl、第二电容C2和MOS管VI。所述变压器Tl的初级绕组的异名端通过 第一电容C1连接第一二极管Dl的负极,第一二极管Dl的正极连接变压器Tl的同名端和MOS管Vl的漏极,电阻Rl并接在第一电容Cl的两端。所述变压器Tl的次级绕组的同名端连接第二二极管D2的正极,第二二极管D2的负极通过第二电容C2连接变压器Tl的次级绕组的异名端,MOS管Vl的源极接地。上述的RCD缓冲电路的主要作用是消耗变压器漏感能量,降低漏感电压。当MOS管Vl导通,能量储存在变压器中,当MOS管Vl关断时,漏感能量先转移到第一电容Cl上,并最终消耗在电阻Rl上。由于漏感能量损耗在电阻Rl上,导致电源系统的效率降低,还会引起周围器件的温度变高,使得整个电源系统的温度升高,从而使得电源的可靠性不高。因而现有技术还有待改进和提高。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足之处,本技术的目的在于提供一种适用于单管反激的无源无损缓冲电路,以解本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种适用于单管反激的无源无损缓冲电路,其特征在于,包括变压器、缓冲模块、MOS管、第一二极管和第一电容,所述缓冲模块的第一端连接变压器的初级绕组的异名端,所述缓冲模块的第二端连接变压器的初级绕组的同名端,缓冲模块的第三端接地;所述变压器的次级绕组的同名端连接第一二极管的正极,所述第一二极管的负极通过第一电容连接变压器的次级绕组的异名端;所述MOS管的漏极连接变压器的初级绕组的同名端和缓冲模块的第二端,源极接地。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:郭伟胜
申请(专利权)人:深圳市垅运照明电器有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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