一种用于液相外延生长的石墨舟及液相外延生长方法技术

技术编号:8485429 阅读:310 留言:0更新日期:2013-03-28 04:42
本发明专利技术公开了一种用于液相外延生长的石墨舟及液相外延生长方法,所述石墨舟包括按照顺序从下到上布置的底托、滑条、母液槽、石墨片和上盖,其中,在滑条上设置有容纳衬底的多个衬底容纳部,使得衬底能够随着滑条沿石墨舟的纵向在底托内滑动,母液槽布置在滑条上方,在母液槽中具有容纳母液的多个母液容纳部,母液容纳部穿透母液槽并且其尺寸使得滑动到母液槽正下方的衬底能够与母液完全接触,从而在衬底上进行液相外延生长,并且上盖布置在母液槽和石墨片上方。石墨片被布置在母液容纳部中并覆盖容纳在母液容纳部中的母液,通过改变石墨片的孔径的预定布置方式可以改变母液中的材料的挥发速度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于液相外延制备薄膜材料所用石墨舟的可调式新结构设计以及使用该石墨舟的液相外延生长方法。
技术介绍
液相外延生长技术可以被用来在各种衬底上生长各种薄膜,以下以碲镉汞薄膜为例。由于其HgCdTe材料由于本身是一种直接带隙半导体材料且具有可调的禁带宽度,可以覆盖整个红外波段,使其成为一种理想的红外探测器材料,从70年代就开始被广泛应用于制备不同类型的红外探测器,当前已经成为红外探测领域应用最广泛的探测器材料。经过近三十年的不断发展,目前已经能够采用LPE (液相外延)、M0VPE (金属有机物气相外延)以及MBE (分子束外延)等多种方法制备出许多高质量的HghCdxTe外延薄膜和高性能的红外探测器件,但其中工艺最成熟、生长的薄膜晶体质量最好的仍然是LPE技术,特别是对于长 波及甚长波领域,传统的液相外延技术仍然是最主要的探测器材料制备方式。采用液相外延技术生长碲镉汞薄膜的方法实际上是按照所需的碲镉汞薄膜组分的要求,将一定组分比例的由碲镉汞三种原料组成的溶液在高温下完全熔化,通过调整温度改变固液二相的平衡状态的方式,再通过控制降温速率使其缓慢降温,在浸入溶液中的衬底表本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于液相外延生长的石墨舟,包括按照顺序从下到上布置的底托、滑条、母液槽和上盖;其中:所述滑条上设置有容纳衬底的多个衬底容纳部,使得所述衬底能够随着所述滑条沿所述石墨舟的纵向在所述底托内滑动;所述母液槽布置在所述滑条上方,所述母液槽上设有一个或多个用于容纳母液的母液容纳部,以及设有一个或多个用于容纳补偿液的补偿液容纳部;其中,所述母液容纳部穿透所述母液槽并且其尺寸使得滑动到所述母液槽正下方的衬底能够与母液完全接触;其特征在于,所述石墨舟还包括:具有多孔结构的石墨片;所述石墨片布置在所述母液槽的母液容纳部中并覆盖容纳在所述母液容纳部中的母液,在液相外延生长时,通过使用不同孔径规格的石墨片,实现...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:田震周立庆马建立胡尚正
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第十一研究所
类型:发明
国别省市:

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