本实用新型专利技术公开了一种基座支撑装置，所述支撑装置由石英制成，安装在桶式外延炉中：所述支撑装置为等径空心圆柱结构，上表面为平面，嵌入式地与基座底盘凹槽相连接；下表面设置有卡槽，与外延炉托盘上的石英盘相连接。本实施例装置可以整体提高基座在腔内的位置，相当于提高了最底层外延片所处的温区，同时可以通过调节垫圈高度来调整最上层外延片所处的温区，做到不影响反应腔内流场的分布，达到增加最底层外延片下边的厚度，改善厚度均匀性的目的。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体硅外延生长
，特别是涉及一种基座支撑装置。
技术介绍
硅外延产品是制备各种电子器件的重要材料，随着5寸外延产品的需求不断扩大，进一步提高5寸外延片厚度均匀性，提高产品质量，也变得越来越重要。目前LPE (Liquid Phase Epitaxial,液相外延)外延炉生产的5寸外延片存在第三层外延片厚度均匀性较差的问题。在做该尺寸产品过程中发现厚度均匀性偏差一般都在 2%以上，有时会出现3%的情况。表I是4、5、6寸外延片不同位置外延片的厚度数据。表I不同尺寸外延片厚度数据夕t延^ 位置中心上 下左 右平均 std%At_________T(F3,1) ~ 5.148 ~T002 5.19~ 5.11 ~ 5.122 5.116 ~Τ4 ~ 4寸 T(F6,2) ~ 5.109 ~~4.993 5.076 5.101~ 5.047 5.065 ~ 0.931_ T(F10，3) ~ 5.168 1.073 5.167 5.198— 5.029 5.127 ~ 1.405T(F1，1) ~ 5.102 —5.29 5.102 4.919— 5.143 5.111 ~ 2.59 5寸 T(F6，2) ~ 5.044 ~5.126 5.038 4.995— 5.042 5.049 ~ 0.945_ T(F3,3) — 5.212 —5.326 ~^085 5.035~ 4.953 5.122 ~ 2.878~~ T(F6,1) — 5.567 —5.63 ~5.7 5.678~ 5.763 5.688 ~ 0.856 6T(F6,2) 5.683 5.693 5.653 5.518 5.61 5.632 1.267从数据中可以看出4寸、6寸外延片的厚度均匀性均小于2%。针对5寸外延片厚度均匀性偏差大的问题，我们对厚度数据进行分析，发现在一例中，最上面一点厚度最厚，最下面一点厚度最薄。针对5寸外延片厚度均匀性偏差大的问题，对现有技术生产的5寸外延片厚度数据进行分析，发现第三层外延片最上面一点厚度最厚，最下面一点厚度最薄。因此，现有技术中，存在5寸外延片厚度均匀性差的缺陷。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是一种基座支撑装置，用以增加最底层外延片下边的厚度，改善厚度均匀性。为解决上述技术问题，本技术提供一种基座支撑装置，所述支撑装置由石英制成，安装在桶式外延炉中所述支撑装置为等径空心圆柱结构，上表面为平面，嵌入式地与基座底盘凹槽相连接；下表面设置有卡槽，与外延炉托盘上的石英盘相连接。进一步，所述支撑装置的高度为189. 5 193. 125mm。进一步，所述支撑装置从上表面到下表面设置有一条缝隙。进一步，所述基座上设直有闻度可调的塾圈。进一步，所述基座是5英寸以上硅单晶外延生长中使用的基座。本技术有益效果如下本实施例装置可以整体提高基座在腔内的位置，相当于提高了最底层外延片所处的温区，同时可以通过调节垫圈高度来调整最上层外延片所处的温区，做到不影响反应腔内流场的分布，达到增加最底层外延片下边的厚度，改善厚度均匀性的目的。附图说明图I是本技术实施例中4、5、6寸三种基座片坑不同位置的尺寸对比图；图2是本技术实施例中一种基座支撑装置的结构示意图；图3是图2的仰视图。具体实施方式为了解决现有技术外延片厚度均匀性差的问题，本技术提供了一种基座支撑装置，以下结合附图以及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不限定本技术。从LPE外延炉结构来看，影响最下面一点厚度偏薄的原因主要有主氢流量小和最下面一点的温度低。主氢流量小生长出的外延片的规律是最上面一片最厚，最下面一个最薄，中间一片在两者之间，但通过产品的测试未发现有此规律。因此，分析认为5寸片最下面一点薄的产生原因是最下面一点温度低引起的。用红外测温仪测热场温度分布，数据见表2。表2 A腔热场分布数据权利要求1.一种基座支撑装置，其特征在于，所述支撑装置由石英制成，安装在桶式外延炉中所述支撑装置为等径空心圆柱结构，上表面为平面，嵌入式地与基座底盘凹槽相连接；下表面设置有卡槽，与外延炉托盘上的石英盘相连接。2.如权利要求I所述的基座支撑装置，其特征在于，所述支撑装置的高度为189.5 193. 125mm。3.如权利要求I所述的基座支撑装置，其特征在于，所述支撑装置从上表面到下表面设置有一条缝隙。4.如权利要求I所述的基座支撑装置，其特征在于，所述基座上设置有高度可调的垫圈。5.如权利要求I所述的基座支撑装置，其特征在于，所述基座是5英寸以上硅单晶外延生长中使用的基座。专利摘要本技术公开了一种基座支撑装置，所述支撑装置由石英制成，安装在桶式外延炉中所述支撑装置为等径空心圆柱结构，上表面为平面，嵌入式地与基座底盘凹槽相连接；下表面设置有卡槽，与外延炉托盘上的石英盘相连接。本实施例装置可以整体提高基座在腔内的位置，相当于提高了最底层外延片所处的温区，同时可以通过调节垫圈高度来调整最上层外延片所处的温区，做到不影响反应腔内流场的分布，达到增加最底层外延片下边的厚度，改善厚度均匀性的目的。文档编号C30B19/06GK202786500SQ20122027905公开日2013年3月13日 申请日期2012年6月14日 优先权日2012年6月14日专利技术者殷海丰, 王文林 申请人:中国电子科技集团公司第四十六研究所本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种基座支撑装置，其特征在于，所述支撑装置由石英制成，安装在桶式外延炉中：所述支撑装置为等径空心圆柱结构，上表面为平面，嵌入式地与基座底盘凹槽相连接；下表面设置有卡槽，与外延炉托盘上的石英盘相连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：殷海丰，王文林，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十六研究所，
类型：实用新型
国别省市：
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