一种瞬态电压抑制器用重掺杂衬底硅外延片的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种瞬态电压抑制器用重掺杂衬底硅外延片的制备方法。该方法通过将掺杂气源预先通入硅外延设备反应腔体，形成稳定的掺杂气相环境，并且通过硅外延设备内外两区的两路进气方式，精确调整内外两区的掺杂混合气的进气流量比，从而控制硅外延片内的电阻率均匀性，最终有效抑制自掺杂效应，获得一种高均匀性硅外延层厚度和电阻率分布；该方法工艺简单，适合工业化连续生产，可满足瞬态电压抑制器对硅外延片的应用要求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体硅外延材料的制备，尤其涉及一种瞬态电压抑制器用重掺杂衬底硅外延片的制备方法。

技术介绍

1、目前，瞬态电压抑制器存在品种型号多、参数规格要求严的特点。作为瞬态电压抑制器制备工艺的关键支撑结构，需要在重掺杂硅衬底片上生长超高均匀性的硅外延层（不均匀性<1%），但是在硅外延片的生产过程中，基于重掺杂硅衬底片的硅外延工艺自掺杂现象普遍存在。自掺杂是由于热蒸发或者化学反应的副产物对硅衬底片的扩散，硅衬底片中的硅及杂质进入气相，改变了气相中的掺杂成分和浓度，从而导致了硅外延层中的杂质实际分布偏离理想的情况。按产生的原因，自掺杂可分为气相自掺杂、固相外扩散及系统自掺杂。气相自掺杂的掺杂物主要来自硅衬底片的背面和边缘固相外扩散。固相外扩散的掺杂物主要来自硅衬底片的扩散，掺杂物在硅衬底片与硅外延层的接触面由硅衬底片扩散至外延层。系统自掺杂的掺杂物来自石墨基座和反应炉腔体等。通常如中国专利cn202210936963.7、zl201410225224.2所述，为了抑制重掺杂硅衬底片的自掺杂现象，实现超高均匀性目标要求的硅外延层，需要采用减压反应腔体本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种瞬态电压抑制器用重掺杂衬底硅外延片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的一种瞬态电压抑制器用重掺杂衬底硅外延片的制备方法，其特征在于，所述硅外延片生长所用的硅外延设备为常压单片平板式硅外延设备，型号为Centura 200。

【技术特征摘要】

1.一种瞬态电压抑制器用重掺杂衬底硅外延片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的一种瞬态电压抑制器...

【专利技术属性】
技术研发人员：李明达，傅颖洁，龚一夫，刘云，李杨，边娜，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十六研究所，
类型：发明
国别省市：