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本发明公开了一种瞬态电压抑制器用重掺杂衬底硅外延片的制备方法。该方法通过将掺杂气源预先通入硅外延设备反应腔体，形成稳定的掺杂气相环境，并且通过硅外延设备内外两区的两路进气方式，精确调整内外两区的掺杂混合气的进气流量比，从而控制硅外延片内的电...
该专利属于中国电子科技集团公司第四十六研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十六研究所授权不得商用。

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