【技术实现步骤摘要】
本申请涉及晶体生长，尤其涉及一种碳化硅晶体的籽晶固定装置及制备方法。
技术介绍
1、sic是第三代半导体材料的典型代表，与第一代si和第二代gaas半导体材料相比，具有热导率高、禁带宽度宽、化学稳定性高、抗辐射能力强等优异的综合性能。这使sic半导体材料被用于制备高功率电力电子器件和微波器件，并已在高压电力传输、5g通信、电动汽车等领域获得广泛应用。
2、sic晶体制备的常用方法物理气相传输法(physical vapor transport,pvt)，其典型的生长方法是碳化硅籽晶(简称籽晶)粘接在上面的坩埚盖上，碳化硅原料装在下部的埚内，碳化硅原料升华后在籽晶处结晶形成碳化硅晶体，在此过程中，碳化硅籽晶的固定方式对晶体生长品质影响较大。
3、传统的籽晶固定方式主要采用葡萄糖、树脂、ab胶、石墨胶等胶水将碳化硅籽晶片粘接于坩埚盖上，这种籽晶固定方法会存在石墨材料与碳化硅籽晶之间的热膨胀系数、热导率差异，导致后续晶体生长中产生大量的缺陷，影响碳化硅晶体的良品率和质量。
技术实现思路>
1、本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种碳化硅晶体的籽晶固定装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的碳化硅晶体的籽晶固定装置，其特征在于，所述环状支撑件凸出所述坩埚盖的底部10mm-30mm。
3.根据权利要求2所述的碳化硅晶体的籽晶固定装置，其特征在于，所述环状支撑件外端面与所述碳化硅籽晶的形状相同；
4.根据权利要求1-3中任意一项所述的碳化硅晶体的籽晶固定装置，其特征在于，所述坩埚盖和所述环状支撑件的材质为石墨；
5.根据权利要求1-3中任意一项所述的碳化硅晶体的籽晶固定装置，其特征在于，还包括坩埚，所述坩埚的内壁设置有环形石墨托，在所...
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶体的籽晶固定装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的碳化硅晶体的籽晶固定装置，其特征在于，所述环状支撑件凸出所述坩埚盖的底部10mm-30mm。
3.根据权利要求2所述的碳化硅晶体的籽晶固定装置，其特征在于，所述环状支撑件外端面与所述碳化硅籽晶的形状相同；
4.根据权利要求1-3中任意一项所述的碳化硅晶体的籽晶固定装置，其特征在于，所述坩埚盖和所述环状支撑件的材质为石墨；
5.根据权利要求1-3中任意一项所述的碳化硅晶体的籽晶固定装置，其特征在于，还包括坩埚，所述坩埚的内壁设置有环形石墨托，在所述坩埚盖扣合于所述坩埚时，所述环状支撑件至少...
【专利技术属性】
技术研发人员：于国建，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：广州南砂晶圆半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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