【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及单晶炉提拉法生长单晶，具体涉及一种重掺单晶引晶放肩的拉晶方法。
技术介绍
1、因n型重掺单晶掺杂浓度高，当杂质浓度越高或者炉内压、氩气越高时，单晶结构容易被破坏（单晶结构被破坏，以ng代替），被破坏的单晶无法作为产品使用，必须进行回融重新拉晶，每次回融的动作称作一次引放，多次回融重新拉晶导致拉晶的时间越来越长，炉内的氧化物堆积越来越严重，长晶成活的几率也越来越小。
2、一般ng位置有四处：1：引晶；2：放肩；3：等径前期；4：等径中后期，每个位置ng的原因各不相同，其中前三个ng原因第次影响，引晶差会影响引晶、放肩和等径前期，放肩差会影响放肩和等径前期，因此如何降低高掺杂浓度下的引放次数成为了必须攻克的难点。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供一种降低引放次数的重掺单晶引晶放肩的拉晶方法。
2、本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：
3、一种重掺单晶引晶放肩的拉晶方法，包括以下步骤
4、s1：根据第一预定引晶直径、第一预定引晶温度曲线、第一预定拉速曲线进行引晶，以提高引晶质量；
5、s2：根据预设的不同放肩高度的放肩肩型夹角的角度设定值得到放肩直径d；
6、s3：根据放肩直径d、第二预定放肩功率曲线、第二预定拉速曲线、第二预定拉速上限曲线、第二预定拉速曲线下限曲线进行放肩，进而降低引放次数；
7、s4：放肩结束后进行转肩、等径、收尾拉制，以得到放肩肩型为对称的阶梯状的晶棒
8、优选地，所述s1步骤中：自引晶第一预定距离后，第一预定引晶直径为5~7mm；
9、所述第一预定引晶温度曲线自引晶第二预定距离后持续下降，且所述第二预定距离的温度值与引晶结束的温度值差值位于第一预定范围内；
10、所述第一预定拉速曲线波动位于所述第二预定范围内至少第三预定距离，第三预定距离指引晶结束前的连续长度。
11、优选地，所述第一预定距离为90mm~100mm，所述第二预定距离为48mm~52mm，所述第一预定拉速范围为-4℃~-6℃，所述第二预定范围为2mm/min~6mm/min，所述第三预定距离为148mm~150mm
12、优选地，所述s1步骤中，还包括所述第一预定引晶直径上、下限，所述第一预定引晶直径上、下限为所述第一预定引晶直径的±0.5mm。
13、优选地，所述s2步骤中，所述放肩直径d通过以下式子得到：
14、d=2htan（α/2）
15、其中：d为放肩直径设定值，h为放肩高度，α为放肩肩型夹角的角度设定值。
16、优选地，所述s3步骤中，预设的不同放肩高度的放肩肩型夹角的角度设定值具体为：
17、根据放肩高度将放肩过程分为起始阶段、生长阶段、结束阶段，所述起始阶段的放肩肩型夹角的角度设定值为第一角度值，所述生长阶段的放肩肩型夹角的角度设定值为第二角度值，所述结束阶段的放肩肩型夹角的角度设定值为第三角度值；所述第一角度值、第二角度值、第三角度值依次增大。
18、优选地，所述起始阶段的放肩高度为放肩0mm至80mm，所述生长阶段的放肩高度为放肩85mm至210mm，所述结束阶段的放肩高度为放肩215mm至280mm。
19、优选地，所述第一角度值为35°~40°，所述第二角度值为40°~45°，所述第三角度值为45°~55°。
20、优选地，所述s3步骤中，所述第二预定拉速上限曲线、第二预定拉速曲线下限曲线为所述第二预定拉速曲线的±0.3mm/min。
21、优选地，所述s3步骤中，所述第二预定放肩功率曲线随着放肩高度从0到-12kw持续下降。
22、与现有技术相比，本专利技术的有益效果在于：
23、本专利技术在引晶时根据第一预定引晶直径、第一预定引晶温度曲线、第一预定拉速曲线进行引晶，使得引晶直径、拉速、温度相互匹配，使得引晶质量提高，进而引放次数降低，引晶结束后，根据预设的不同放肩高度的放肩肩型夹角的角度设定值得到放肩直径d；根据放肩直径d、第二预定放肩功率曲线、第二预定拉速曲线、第二预定拉速上限曲线、第二预定拉速曲线下限曲线进行放肩，以在不同阶段拉制不同放肩肩型夹角的肩型，使得引晶带来的温度差被消弭且放肩过程以预定的生长状态生长，使得单晶结构不被破坏，使得引晶、放肩过程中ng率显著降低。
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1.一种重掺单晶引晶放肩的拉晶方法，其特征在于，包括以下步骤
2.如权利要求1所述的重掺单晶引晶放肩的拉晶方法，其特征在于，所述S1步骤中：自引晶第一预定距离后，第一预定引晶直径为5~7mm；
3.如权利要求2所述的重掺单晶引晶放肩的拉晶方法，其特征在于，所述第一预定距离为90mm~100mm，所述第二预定距离为48mm~52mm，所述第一预定拉速范围为-4℃~-6℃，所述第二预定范围为2mm/min~6mm/min，所述第三预定距离为148mm~150mm。
4.如权利要求1所述的重掺单晶引晶放肩的拉晶方法，其特征在于，所述S1步骤中，还包括所述第一预定引晶直径上、下限，所述第一预定引晶直径上、下限为所述第一预定引晶直径的±0.5mm。
5.如权利要求1所述的重掺单晶引晶放肩的拉晶方法，其特征在于，所述S2步骤中，所述放肩直径D通过以下式子得到：
6.如权利要求1所述的重掺单晶引晶放肩的拉晶方法，其特征在于，所述S3步骤中，预设的不同放肩高度的放肩肩型夹角的角度设定值具体为：
7.如权利要求6所述的重掺单晶
8.如权利要求6所述的重掺单晶引晶放肩的拉晶方法，其特征在于，所述第一角度值为35°~40°，所述第二角度值为40°~45°，所述第三角度值为45°~55°。
9.如权利要求1所述的重掺单晶引晶放肩的拉晶方法，其特征在于，所述S3步骤中，所述第二预定拉速上限曲线、第二预定拉速曲线下限曲线为所述第二预定拉速曲线的±0.3mm/min。
10.如权利要求1所述的重掺单晶引晶放肩的拉晶方法，其特征在于，所述S3步骤中，所述第二预定放肩功率曲线随着放肩高度从0到-12kw持续下降。
...【技术特征摘要】
1.一种重掺单晶引晶放肩的拉晶方法，其特征在于，包括以下步骤
2.如权利要求1所述的重掺单晶引晶放肩的拉晶方法，其特征在于，所述s1步骤中：自引晶第一预定距离后，第一预定引晶直径为5~7mm；
3.如权利要求2所述的重掺单晶引晶放肩的拉晶方法，其特征在于，所述第一预定距离为90mm~100mm，所述第二预定距离为48mm~52mm，所述第一预定拉速范围为-4℃~-6℃，所述第二预定范围为2mm/min~6mm/min，所述第三预定距离为148mm~150mm。
4.如权利要求1所述的重掺单晶引晶放肩的拉晶方法，其特征在于，所述s1步骤中，还包括所述第一预定引晶直径上、下限，所述第一预定引晶直径上、下限为所述第一预定引晶直径的±0.5mm。
5.如权利要求1所述的重掺单晶引晶放肩的拉晶方法，其特征在于，所述s2步骤中，所述放肩直径d通过以下式子得到：
6.如权利要求1所述的重掺...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏兴彤，芮阳，白园，王黎光，曹启刚，伊冉，王忠保，马成，赵延祥，
申请(专利权)人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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