【技术实现步骤摘要】
本技术涉及单晶硅制造，具体涉及一种用于单晶炉防漏硅的锅托与锅邦装配结构。
技术介绍
1、由于单晶炉是处于真空状态，炉内通入高纯氩气。高温下，石英坩埚会析出氧气杂质，90％以上的氧气杂质会被氩气带走，剩余少部分氧气会融入硅熔液中，从而进入硅单晶中。进入氩气中的氧气，在单晶炉内高温下会腐蚀碳碳埚邦及埚托，使埚邦与埚托配合间隙变大，气流杂质通过间隙与石英坩埚外层接触，腐蚀石英坩埚，使石英坩埚在短时间内析晶，析晶后石英坩埚强度变低，硅溶液会渗透石英坩埚，从而造成漏硅事故，事故损失轻则几万，严重的漏硅事故甚至造成几十万的损失。
2、现有技术中，碳碳埚邦与石墨埚托配合，经过多次拆炉打磨石墨件和碳碳件，埚邦与埚托的缝隙会变大，在使用过程中，氩气中的气流杂质通过埚托与埚邦的配合缝隙，使石英坩埚在r角处很容易腐蚀，强度变低，硅溶液从坩埚r角处穿透石英坩埚，然后从埚邦与埚托配合缝隙中溢出，造成漏硅事故。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种用于单晶炉防漏硅的锅托与锅邦装配结构，通过在锅邦的底...
【技术保护点】
1.一种用于单晶炉防漏硅的锅托与锅邦装配结构，其特征在于，包括锅托(3)和位于锅托(3)上部的埚邦，在锅邦(2)的底端设置第一卡接结构(20)，在锅托(3)的顶端设置第二卡接结构(30)，锅邦(2)和锅托(3)通过第一卡接结构(20)和第二卡接结构(30)相互适配。
2.根据权利要求1所述的一种用于单晶炉防漏硅的锅托与锅邦装配结构，其特征在于，第一卡接结构(20)和第二卡接结构(30)均为环状。
3.根据权利要求1所述的一种用于单晶炉防漏硅的锅托与锅邦装配结构，其特征在于，所述第一卡接结构(20)从锅邦(2)的外周面依次为第一台阶面(201)和...
【技术特征摘要】
1.一种用于单晶炉防漏硅的锅托与锅邦装配结构，其特征在于，包括锅托(3)和位于锅托(3)上部的埚邦，在锅邦(2)的底端设置第一卡接结构(20)，在锅托(3)的顶端设置第二卡接结构(30)，锅邦(2)和锅托(3)通过第一卡接结构(20)和第二卡接结构(30)相互适配。
2.根据权利要求1所述的一种用于单晶炉防漏硅的锅托与锅邦装配结构，其特征在于，第一卡接结构(20)和第二卡接结构(30)均为环状。
3.根据权利要求1所述的一种用于单晶炉防漏硅的锅托与锅邦装配结构，其特征在于，所述第一卡接结构(20)从锅邦(2)的外周面依次为第一台阶面(201)和第二台阶面(202)。
4.根据权利要求3所述的一种用于单...
【专利技术属性】
技术研发人员：曾宏强，关树军，洪华，路建华，
申请(专利权)人：乐山市京运通新材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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