本发明涉及碳化硅晶圆检测技术领域，公开了一种碳化硅晶圆真空检漏的装置及检测方法，其包括若干个漏斗状晶圆卡盘、真空泵、真空压力表。漏斗状晶圆卡盘内壁有多层用于放置待检晶圆的同轴的圆环凸台；漏斗状晶圆卡盘底部通过管道连通于真空泵；每一个所述...

本申请属于晶体生长技术领域，本申请实施例提供一种碳化硅晶体的籽晶固定装置及制备方法。包括坩埚盖；环状支撑件，设置于所述坩埚盖的底部，所述环状支撑件的外端面用于固定碳化硅籽晶；其中，所述环状支撑件的外端面与所述碳化硅籽晶的形状适配。本申请...

本申请属于晶圆加工技术领域，本申请实施例提供一种晶圆拿取装置及方法，包括拿取部；承载部，与拿取部连接，且构造有取放口，承载部包括对称设置于取放口两侧的第一承载件和第二承载件，第一承载件和第二承载件被配置为，承托住待取晶圆的边沿处，以在待...

本申请提供了一种用于液相法碳化硅单晶生长的籽晶杆，该籽晶杆包括压力传感器、上杆、与上杆相连接的下杆，其中，上杆中用于与下杆连接的端面上开设有用于放置压力传感器的第一安装区；下杆中用于与上杆连接的端面上开设有用于放置压力传感器的第二安装区...

本申请提供了一种

本申请提供了一种碳化硅单晶中基平面位错的检测方法，具体的，沿碳化硅单晶的纵向切割，同时纵切片表面与碳化硅单晶中的一组基平面位错线的延伸方向相垂直或近似垂直，由于碳化硅单晶中基平面位错的延伸方向主要平行于[1

本申请提供了一种碳化硅粉料合成装置和碳化硅粉料合成方法，将装料坩埚设计为由多层子坩埚组成的结构。与传统坩埚相比，减小了原料层的厚度，进而可以减小料中的氮向外传输的路径，可达到有效的脱氮的目的。同时，在各子坩埚底上开设有通孔；在通孔所在位...

本申请提供了一种碳化硅晶片中位错分布的快速检测方法，通过将碳化硅晶片进行表面处理，使其位错缺陷显露；然后，将所述碳化硅晶片置于起偏器和检偏器之间，其中，所述起偏器方向和检偏器的偏振方向垂直；光源发出的光线依次通过起偏器、晶片、检偏器，并...

本申请提供了一种用于碳化硅晶体生长时提高原料传输效率的装置，包括石墨筒和石墨板，其中，石墨筒为中空的筒形结构，用于放置在坩埚的底部；石墨筒的中轴线与坩埚的中轴线重合或近似重合；石墨板用于插置在石墨筒中。利用石墨筒和石墨板，将坩埚的装料区...

本申请提供了一种用于碳化硅单晶退火的装置，包括石墨感应加热器，石墨感应加热器放置在感应加热线圈所围成加热区的中心位置，石墨感应加热器为中空的筒形结构，内部用于放置碳化硅单晶；沿石墨感应加热器的轴向方向，石墨感应加热器的侧壁分为第一感应加...

本申请提供了一种无应力碳化硅籽晶固定装置、坩埚及碳化硅籽晶固定方法，该碳化硅籽晶固定装置包括籽晶托和籽晶盖。籽晶托为中部掏空的环形结构，并且沿其中轴线方向依次包括籽晶支撑部、籽晶容纳部、籽晶盖容纳部。同时，籽晶支撑部的内周形状与籽晶的外...

本申请提供了一种晶片夹具装置，包括底板和两个或两个以上的晶片支撑件，同时，在与底板的上表面平行或近似平行的方向，将晶片支撑件的晶片固定部上开设晶片卡槽。使用时，其中的一个或多个晶片支撑件从底板上拆下来，以留出晶片装入的通道，将晶片装入已...

本申请提供了一种用于碳化硅晶片退火的装置，通过在坩埚体内设有一层或多层用于放置碳化硅晶片的夹层板，并且设置各夹层板沿坩埚体的轴向方向排布，相邻的夹层板之间具有一定的间距。这样，在碳化硅晶片退火时，在各夹层板上分别摞若干片碳化硅晶片，与将...

本申请提供了一种碳化硅粉料合成装置，将装料坩埚设计为由多层子坩埚组成的结构。与传统坩埚相比，减小了原料层的厚度，进而可以减小料中的氮向外传输的路径，可达到有效的脱氮的目的。同时，在各子坩埚底上开设有通孔；在通孔所在位置处，坩埚底上设与通...

本申请提供了一种除湿机，包括壳体，壳体内设有隔离部件、压缩机、冷凝器、毛细管和蒸发器，隔离部件上设有通气结构，隔离部件将壳体分为冷凝区和除湿区，冷凝器位于冷凝区内，蒸发器位于除湿区内；冷凝器的一端与压缩机相连通、另一端与毛细管的一端相连...

本申请提供了一种晶片花篮，包括：两个平行设置侧板，两个侧板通过支撑体连接，侧板和支撑体围成晶片放置区；同时，两个侧板上均开设有支架穿入孔、支架滑动槽和支架卡槽，支架卡槽通过支架滑动槽与支架穿入孔相连通；支架卡槽在侧板上的位置根据不同的晶...

本申请提供了一种无应力碳化硅籽晶固定装置及坩埚，该碳化硅籽晶固定装置包括籽晶托和籽晶盖。籽晶托设计为中部掏空的环形结构，并且沿其中轴线方向依次包括籽晶支撑部、籽晶容纳部、籽晶盖容纳部。同时，设置籽晶支撑部的内周形状与籽晶的外周形状相同，...

本申请提供了一种用于碳化硅晶片退火的装置，通过在坩埚体内设有一层或多层用于放置碳化硅晶片的夹层板，并且设置各夹层板沿坩埚体的轴向方向排布，相邻的夹层板之间具有一定的间距。这样，在碳化硅晶片退火时，在各夹层板上分别摞若干片碳化硅晶片，与将...

本申请提供了一种用于生长大尺寸碳化硅单晶的坩埚，通过将坩埚体分为上坩埚体和下坩埚体两部分结构，并且，设置坩埚盖扣合在上坩埚体的顶部，上坩埚体的底部与下坩埚体的顶部连接；下坩埚体的电阻率小于上坩埚体的电阻率，上坩埚体的电阻率小于或等于坩埚...

本申请提供了一种用于提高原料利用率的坩埚，通过将坩埚体底面的中部区域设计为向所述坩埚体的内部凹陷的结构，进而从坩埚体的外部观察，可以在坩埚体的底部形成一凹陷部，而从坩埚体的内部观察，可以在坩埚体的内部形成一凸起结构；同时，与所述凹陷部的...