【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及碳化硅晶圆检测，具体地，涉及一种碳化硅晶圆真空检漏的装置及检测方法。
技术介绍
1、现代科技领域对高频率、大功率、耐高温、化学稳定性好以及可以在强辐射环境中工作的电子器件的要求越来越高，由于碳化硅晶圆具有宽带隙、高临界电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点，在高温、高频、大功率、光电子及抗辐射等方面具有巨大的潜力，是重要的第三代半导体材料。
2、研究发现，碳化硅晶圆在生产过程中会产生的一种管道缺陷，这是一种晶体缺陷，这种管道缺陷是沿c轴贯穿的空心位错，形状像细小的管子；管道的半径从几十纳米到几微米；如果管道沿纵轴方向贯穿晶圆，会严重影响晶圆的质量；为了获得更高纯度、更完美的sic晶体结构，达到提高制作器件的性能，需要对碳化硅晶圆进行检测并筛除。
3、针对检测管道缺陷的碳化硅晶圆问题，行业内进行了相关研究和设计，如开一种碳化硅晶圆贯穿型管道缺陷的检测方法及装置，其能够直观地观察到是否存在贯穿型管道，能够有效保证检测的一致性；碳化硅晶圆贯穿型管道缺陷的检测方法，包括以下步骤：通过采用真空装置，使被测...
【技术保护点】
1.一种碳化硅晶圆真空检漏的装置，其特征在于，包括若干个漏斗状晶圆卡盘(1)、真空泵(3)、真空压力表(4)，其中：
2.根据权利要求1所述碳化硅晶圆真空检漏的装置，其特征在于，还包括控制器、用于固定漏斗状晶圆卡盘(1)的固定卡板(2)、用于转移晶圆的吸盘式龙门上下料机(5)，以及用于装待检晶圆、良品晶圆和次品晶圆的分料箱(6)；
3.根据权利要求2所述碳化硅晶圆真空检漏的装置，其特征在于，所述吸盘式龙门上下料机(5)包括龙门机架(51)、电磁阀(52)、用于吸取晶圆的真空吸盘(53)和上下料装置(54)；所述上下料装置(54)设置于龙门机架(
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶圆真空检漏的装置，其特征在于，包括若干个漏斗状晶圆卡盘(1)、真空泵(3)、真空压力表(4)，其中：
2.根据权利要求1所述碳化硅晶圆真空检漏的装置，其特征在于，还包括控制器、用于固定漏斗状晶圆卡盘(1)的固定卡板(2)、用于转移晶圆的吸盘式龙门上下料机(5)，以及用于装待检晶圆、良品晶圆和次品晶圆的分料箱(6)；
3.根据权利要求2所述碳化硅晶圆真空检漏的装置，其特征在于，所述吸盘式龙门上下料机(5)包括龙门机架(51)、电磁阀(52)、用于吸取晶圆的真空吸盘(53)和上下料装置(54)；所述上下料装置(54)设置于龙门机架(51)。
4.根据权利要求3所述碳化硅晶圆真空检漏的装置，其特征在于，所述上下料装置(54)包括水平滑座(541)、若干根纵向平行排列的真空吸管(542)和若干根横向平行排列的水平导杆(543)；水平导杆(543)两端设置于龙门机架(51)上；
5.根据权利要求4所述碳化硅晶圆真空检漏的装置，其特征在于，所述电磁阀(52)设置于真空吸管(542)顶部；所述真空吸盘(53)设置于真空吸管(542)底部；所述真空吸管(542)通过电磁阀(52)与真空泵(3)连接。
6.根据权利要求4所述碳化硅晶圆真空检漏的装置，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：宁敏，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：广州南砂晶圆半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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