4H-SiC制造技术

本申请提供了一种

【技术实现步骤摘要】
4H
‑
SiC单晶中位错缺陷的检测方法


[0001]本申请涉及于半导体材料测试表征
，尤其涉及
4H
‑
SiC
单晶中螺位错
(TSD)、
刃位错
(TED)
或混合位错
(TMD)
缺陷的快速检测方法
。

技术介绍

[0002]近年来，随着市场对电力电子器件需求的增加，
4H
‑
SiC
凭借其高击穿电场强度
、
高电子迁移速率和高热导率等优异性能成为最有前途的宽禁带半导体材料之一
。
在过去的几十年中，随着单晶生长工艺的优化，
4H
‑
SiC
晶体的质量有了显著的提升
。
已经成功制备出了低微管密度的晶体
。
然而，碳化硅
(Silicon Carbide
，
SiC)
晶体中仍然存在大量的结构缺陷，例如基平面位错
(BPD)、
螺位错
(TSD本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种
4H
‑
SiC
单晶中位错缺陷的检测方法，其特征在于，应用于半绝缘型碳化硅单晶，所述方法包括：将经表面抛光和清洗处理后的
4H
‑
SiC
晶片放置在熔融的盐类腐蚀液中腐蚀，使所述
4H
‑
SiC
晶片中含有位错的区域形成腐蚀坑；利用金相显微镜在暗场模式下观察所述
4H
‑
SiC
晶片硅面的腐蚀坑，其中，亮白色六边形腐蚀坑为刃位错缺陷，黑色六边形腐蚀坑为螺位错和混合位错缺陷；利用所述金相显微镜在微分干涉模式观察所述黑色六边形腐蚀对应区域，其中，黑色六边形腐蚀中白色图案呈第一样式的为螺位错缺陷
、
黑色六边形腐蚀中白色图案呈第二样式的为混合位错缺陷
。2.
根据权利要求1所述的
4H
‑
SiC
单晶中位错缺陷的检测方法，其特征在于，利用金相显微镜在暗场模式下观察所述
4H
‑
SiC
晶片硅面的腐蚀坑，还包括：椭圆形腐蚀坑为基平面位错缺陷
。3.
根据权利要求1所述的
4H
‑
SiC
单晶中位错缺陷的检测方法，其特征在于，所述熔融的盐类腐蚀液为熔融的
KOH。4.
根据权利要求1或3所述的
4H
‑
SiC
单晶中位错缺陷的检测方法，其特征在于，放置在熔融的盐类腐蚀液中腐蚀，包括：将所述
4H
‑
SiC
晶片...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨祥龙，李华东，陈秀芳，胡小波，王垚浩，
申请(专利权)人：广州南砂晶圆半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：