【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体加工，尤其是涉及一种氮化铝晶体单线切割粘接装置以及切割工艺。
技术介绍
1、氮化铝(aln)晶体具有导热性好、热膨胀系数小、耐热冲击能力强、抗熔融金属侵蚀能力强等诸多优异的性质。基于这些优良特性，氮化铝成为熔铸纯铁、铝或铝合金理想的坩埚材料。但氮化铝极高的硬度(莫氏硬度为9-10之间)对其切割加工造成了极大的困难。
2、目前半导体加工中常见的切割方法是利用金刚石线进行切割，使用的粘接装置大多为圆弧形的石墨托，这对于形状为正六棱柱的氮化铝晶体来说非常不便。在氮化铝单线切割加工中使用圆弧形石墨托，晶体与石墨托之间会存在较大缝隙，这使晶体粘接变得不牢固，在切割加工中极易引起晶片脱落，造成晶片破裂。为填充晶体与石墨托之间的缝隙，会过度使用粘接剂(石蜡、环氧树脂等)，使加工成本变大，同时当金刚石线运行到粘接区时，会由于粘接剂的粘性对加工造成一定影响。
3、对于单晶硅、蓝宝石、碳化硅等晶体的切割工艺目前已经比较成熟，而氮化铝由于其材料性能的不同，使用其他晶体的加工工艺可能会造成加工效率慢，加工质量差等问题，因此需要开发一套适合于氮化铝晶体加工的粘接装置以及切割工艺。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术旨在克服现有技术中的缺陷，提出一种氮化铝晶体单线切割粘接装置以及切割工艺。
2、为达到上述目的，本专利技术的技术方案是这样实现的：
3、第一方面，本专利技术提供了一种氮化铝晶体单线切割粘接装置，所述粘结装置包括两组对称设置的基
4、进一步的，所述支撑部的内表面与底座的上表面的夹角为120°。
5、进一步的，所述基座的材质为石墨。
6、第二方面，本专利技术还提供了应用上述氮化铝晶体单线切割粘接装置进行氮化铝晶体单线切割的工艺，具体包括如下步骤：
7、s1：将待切割氮化铝晶体放置于上述氮化铝晶体单线切割粘接装置的氮化铝晶体放置空间内并通过粘结剂与基座粘结；
8、s2：将粘结有待切割氮化铝晶体的基座通过粘结剂粘结于工作板表面后置于切割机床的工作台上，使待切割氮化铝晶体位于金刚石线正下方，并使其处于切割零点处；
9、s3：设定切割工艺参数，启动切割设备进行切割。
10、优选地，所述步骤s3中切割工艺参数线速度为4-6m/s，摇摆角度为3-5°，摇摆次数为10-20次/min。
11、优选地，所述步骤s3中切割过程分为入刀阶段和出刀阶段；
12、入刀阶段，加工位置h的进给速度vf满足如下公式(1)：
13、
14、所述入刀阶段对应的加工位置h为：
15、
16、出刀阶段，加工位置h的进给速度vf满足如下公式(2)：
17、
18、所述出刀阶段对应的加工位置h为：
19、
20、其中，v入为入刀时的进给速度，vmin为切割到晶体中间位置时最小的进给速度，v出为出刀时的进给速度，h为加工高度。
21、优选地，所述入刀时的进给速度v入为0.30-0.40mm/min，所述最小的进给速度vmin为0.15-0.20mm/min，所述出刀时的进给速度v出为0.25-0.35mm/min。
22、优选地，所述粘结剂为石蜡或环氧树脂。
23、优选地，所述待切割氮化铝晶体为六棱柱型。
24、相对于现有技术，本专利技术具有以下优势：
25、本专利技术所述的氮化铝晶体单线切割粘接装置用于氮化铝晶体的粘接，在切割过程中起到支撑氮化铝晶体的作用，同时减少了粘接剂的使用量，降低了氮化铝晶片在切割过程中的破片率，同时本专利技术的切割工艺与所述切割粘结装置协同配合能够实现氮化铝晶体的高质高效切割加工。
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1.一种氮化铝晶体单线切割粘接装置，其特征在于：所述粘结装置包括两组对称设置的基座，两组基座之间形成氮化铝晶体放置空间，所述基座包括支撑部和底座，所述支撑部的内表面为斜面，所述底座的上表面为水平面，所述支撑部的内表面与底座的上表面的夹角为钝角。
2.根据权利要求1所述的氮化铝晶体单线切割粘接装置，其特征在于：所述支撑部的内表面与底座的上表面的夹角为120°。
3.根据权利要求1所述的氮化铝晶体单线切割粘接装置，其特征在于：所述基座的材质为石墨。
4.应用权利要求1-3任一所述的氮化铝晶体单线切割粘接装置进行氮化铝晶体单线切割的工艺，其特征在于：包括如下步骤：
5.根据权利要求4所述的氮化铝晶体单线切割的工艺，其特征在于：所述步骤S3中的切割工艺参数为：线速度为4-6m/s，摇摆角度为3-5°，摇摆次数为10-20次/min。
6.根据权利要求4所述的氮化铝晶体单线切割的工艺，其特征在于：所述步骤S3中切割过程分为入刀阶段和出刀阶段；
7.根据权利要求5所述的氮化铝晶体单线切割的工艺，其特征在于：所述入刀时的进
8.根据权利要求4所述的氮化铝晶体单线切割的工艺，其特征在于：所述粘结剂为石蜡或环氧树脂。
9.根据权利要求4所述的氮化铝晶体单线切割的工艺，其特征在于：所述待切割氮化铝晶体为六棱柱型。
...【技术特征摘要】
1.一种氮化铝晶体单线切割粘接装置，其特征在于：所述粘结装置包括两组对称设置的基座，两组基座之间形成氮化铝晶体放置空间，所述基座包括支撑部和底座，所述支撑部的内表面为斜面，所述底座的上表面为水平面，所述支撑部的内表面与底座的上表面的夹角为钝角。
2.根据权利要求1所述的氮化铝晶体单线切割粘接装置，其特征在于：所述支撑部的内表面与底座的上表面的夹角为120°。
3.根据权利要求1所述的氮化铝晶体单线切割粘接装置，其特征在于：所述基座的材质为石墨。
4.应用权利要求1-3任一所述的氮化铝晶体单线切割粘接装置进行氮化铝晶体单线切割的工艺，其特征在于：包括如下步骤：
5.根据权利要求4所述的氮化铝晶体单线切割的工艺，其特征在于：所述步骤...
【专利技术属性】
技术研发人员：张博楠，李晖，张弛，高鹏程，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十六研究所，
类型：发明
国别省市：
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