通过三维集成技术制造高性能碳纳米管晶体管集成电路的方法技术

提供用于制造基于碳纳米管的器件的技术。在一个方面中，提供用于制造基于碳纳米管的集成电路的方法。该方法包含以下步骤。提供包含碳纳米管的第一晶片。提供包含一个或多个器件元件的第二晶片。通过将第一晶片与第二晶片接合在一起，使碳纳米管中的一个或多个与器件元件中的一个或多个连接。还提供基于碳纳米管的集成电路。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及碳纳米管技术，更具体而言，涉及制造基于碳纳米管的器件的技术。
技术介绍
碳纳米管具有对高速且高性能的电路具有吸引力的非凡电子特性。在使用包含碳纳米管的器件和复杂电路的主要挑战之一在于，碳纳米管生长条件与当前互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的工艺限制不兼容。例如，化学气相沉积(CVD)生长的碳纳米管需要至少600°C的生长条件以产生高质量纳米管，这超出了 CMOS工艺的约350°C至约400°C的温度容量。围绕该温度限制的一个可能的解决方案为，从溶液将预成形的碳纳米管沉积在衬底上。然而，在后续处理期间，经沉积的碳纳米管可通过氧化而被破坏，且碳纳米管的特性也会由于表面处理而被改变。实现基于碳纳米管的集成电路的另一实际挑战为碳纳米管与电路部件的其余部分的对准。尽管在控制纳米管的生长取向和/或沉积位置方面已取得很大进展，但尚未解决纳米管与电路的其余部分的对准。因此，需要基于三维碳纳米管的集成电路器件集成的技术。
技术实现思路
本专利技术提供用于制造基于碳纳米管的器件的技术。在本专利技术的一个方面中，提供一种用于制造基于碳纳米管的集成电路的方法。该方法包括以下步骤。提供包含碳纳本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：K·陈，YM·林，P·阿沃里斯，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：
国别省市：