具有电互连的气密晶片间结合制造技术

本发明专利技术公开了一种可植入医疗设备（IMD）。该IMD包括第一衬底，第一衬底具有前侧和后侧。在前侧中形成第一通孔，该通孔从位于前侧的底部点延伸至位于前侧的表面处的第一高度。在第一通孔中形成第一导电板，且第一导电板具有低于第一高度的暴露的顶部表面。第二衬底耦合至第一衬底，第二衬底具有形成在前侧中的第二通孔，该通孔从前侧的底部点延伸至位于前侧表面的第二高度。在第二通孔中形成第二导电板，且第二导电板具有低于第二高度的暴露的顶部表面。被耦合的衬底被加热，直到一个或两个导电板的一部分回流、去湿、凝聚、并合并来形成互连、气密密封、或两者，这取决于设备的要求。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有电互连的气密晶片间结合专利
本专利技术大体涉及在材料间创建电互连，且更具体地，涉及在与低温气密晶片间结合兼容的材料之间创建电互连。此外，此处描述的方法可被应用于在晶片之间创建气密金属密封。
技术介绍
很多电子组件使用集合电路或芯片。IC包括形成在半导体材料的薄衬底表面中的半导体器件(如，二极管、晶体管等)和无源组件(如，晶体管、电容器、电阻器等)。通过晶片间结合，一个IC可连接至另一个IC或其他晶片。晶片间结合涉及接合晶片的主要表面。被接合的晶片区域创建了气密密封(多个)。晶片间结合的一个类型依赖于设置在每个晶片上的铜板。铜板高于晶片的周围平面。一个晶片上的铜板与另一个晶片上的铜板对齐。可采用热压缩扩散结合来接合位于每一个晶片上的铜板。然后IC与靠近独立芯片的外缘处的铜密封环或圈轨(race track)密封在一起。铜不是生物稳定的且对于可植入医疗设备不可在活体内提供充足的密封。此外， 与热氧化物共面的铜板可难以平面化和抛光。例如，铜和热氧化物可具有不同的抛光率。因此，为了有效且气密地密封MD中的电子线路，期望开发新的技术。
技术实现思路
本专利技术涉及包括一个或多个集成电路的可植入本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·A·鲁本，M·F·马特斯，J·R·史密斯，
申请(专利权)人：美敦力公司，
类型：
国别省市：