陶瓷构件、探针支架及陶瓷构件的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种作为包含顽辉石和氮化硼作为构成充分且氮化硼单向地取向的烧结体的陶瓷构件、使用陶瓷构件而形成的探针支架及陶瓷构件的制造方法。陶瓷构件的取向度指数为0.8以上。由此，能够提供一种具有易切削性、接近硅的热膨胀系数及高强度的陶瓷构件、使用该陶瓷构件而形成的探针支架及陶瓷构件的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及通过对具有规定的组成的材料进行烧结而得到的陶瓷构件、使用该陶瓷构件形成且对应用于半导体集成电路等的电气特性检查的探针进行保持的探针支架(probe holder)及陶瓷构件的制造方法。
技术介绍
—直以来,为了向用于半导体检查、液晶检查的微接触器(micro contactor)插入 将检查对象的电路结构与发送检查用信号的电路结构电连接的探针，组装有形成多个微小贯通孔的薄板状的探针支架。该探针支架使用具有能够进行机械加工的易切削性的陶瓷构件(可加工陶瓷)(例如，参照专利文献I)。现有技术文献专利文献专利文献I :日本专利第3890915号公报专利技术要解决的问题然而，微接触器例如像硅片的预烧(burn-in)检查那样在常温向高温变化的温度环境下使用。因此，探针支架除了具有所述易切削性之外，还要避免与硅之间的热膨胀系数之差导致的检查时的探针的接触不良，所以希望热膨胀系数更接近硅。另外，近年来，伴随着探针间距的狭间距化，微接触器谋求探针数量的增多。然而，随着探针数量的增多，探针支架的弹簧的总和负载增大，因此在支架尺寸相同的情况下支架本身的弯度增大。当如上所述弯度增大时，微本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村圣，铃木恒平，宫地真也，斋藤慎二，
申请(专利权)人：日本发条株式会社，
类型：
国别省市：