发光器件制造技术

公开了一种发光器件。发光器件包括：第一段和第二段，其中第一段包括掺杂有第一掺杂剂的第一半导体层、掺杂有第二掺杂剂的第二半导体层、以及在第一半导体层与第二半导体层之间的第一有源层，其中第二段包括：设置在第一段上的具有暴露出的区域的第三半导体层、设置在第三半导体层的除了暴露出的区域之外的区域上的第四半导体层、以及在第三半导体层与第四半导体层之间的第二有源层；设置在第一半导体层上的第一电极；设置在第四半导体层上的第二电极、以及插入到暴露出的区域中的孔中以设置在暴露出的区域和第二半导体层上的第三电极，第三电极电连接至第二半导体层和第三半导体层。

【技术实现步骤摘要】
发光器件相关申请的交叉引用本申请要求2011年9月7日在韩国提交的第10-2011-0090803号、2011年 10月10日在韩国提交的第10-2011-0102995号、2011年10月13日在韩国提交的第 10-2011-0104728 号、2011 年 10 月 20 日在韩国提交的第 10-2011-0107683 号、2011 年 11月23日在韩国提交的第10-2011-0123139号以及2011年12月6日在韩国提交的第 10-2011-0129856号韩国专利申请的优先权，通过引用将其全部内容并入本文。
实施方案涉及一种发光器件。
技术介绍
发光二极管(LED)是发光器件的代表性实例，其利用化合物半导体的特性将电信号转换成红外光或者可见光。这种LED正用于家用电器、遥控器、电子布告板、显不器和各种其它自动化机器中。LED的应用范围正在逐渐增加。通常，将小型LED制造成表面安装器件，以直接安装在印刷电路板(PCB)上，并且从而将用作显示器件的LED灯正在研发成表面安装器件。表面安装器件可以替代传统的简单灯，并且用于各种颜色的开关显示器和文字/图像显示器中。这种LED通常表现出整流特性。因此，在对LED施加AC电力时，LED根据电流的方向重复地打开/关闭，从而难以连续发光并且由于反向电流而受损。因而，近来已经进行了将LED直接连接至AC电源的各种研究。
技术实现思路
本专利技术涉及以下实施方案。I. 一种发光器件,包括包括第一段和第二段的发光结构，其中所述第一段包括掺杂有第一掺杂剂的第一半导体层、掺杂有第二掺杂剂的第二半导体层、以及在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的第一有源层；以及其中所述第二段包括设置在所述第一段上并且掺杂有所述第一掺杂剂的具有暴露出的区域的第三半导体层、设置在除了所述暴露出的区域之外的所述第三半导体层上的并且掺杂有所述第二掺杂剂的第四半导体层、以及在所述第三半导体层与所述第四半导体层之间的第二有源层；设置在所述第一半导体层上的第一电极；设置在所述第四半导体层上的第二电极；以及插入到所述暴露出的区域中的孔中以设置在所述暴露出的区域和所述第二半导体层上的第三电极，所述第三电极电连接至所述第二半导体层和所述第三半导体层。2. 一种发光器件,包括包括第一段和第二段的发光结构，其中所述第一段包括掺杂有第一掺杂剂的第一半导体层、掺杂有第二掺杂剂的第二半导体层、以及在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的第一有源层；其中所述第二段包括设置在所述第一段上并且掺杂有所述第一掺杂剂的具有暴露出的区域的第三半导体层、设置在除了所述暴露出的区域之外的所述第三半导体层上的并且掺杂有所述第二掺杂剂的第四半导体层、以及在所述第三半导体层与所述第四半导体层之间的第二有源层；以及其中从所述第四半导体层到所述第一半导体层形成有第一沟槽；插入到所述第一沟槽中以设置在所述第一沟槽内的所述第一半导体层的暴露出的部分上的第一电极；电连接至所述第四半导体层和所述第一电极的第二电极；以及插入到所述暴露出的区域中的孔中以设置在所述暴露出的区域和所述第二半导体层上的第三电极，所述第三电极电连接至所述第二半导体层和所述第三半导体层。3. 一种发光器件，包括导电支撑构件；包括第一段和第二段的发光结构，其中所述第一段包括设置在所述导电支撑构件上并且掺杂有第一掺杂剂的第一半导体层、掺杂有第二掺杂剂的第二半导体层、以及在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的第一有源层；其中所述第二段包括设置在所述第一段上并且掺杂有所述第一掺杂剂的具有暴露出的区域的第三半导体层、 设置在除了所述暴露出的区域之外的所述第三半导体层上的并且掺杂有所述第二掺杂剂的第四半导体层、以及在所述第三半导体层与所述第四半导体层之间的第二有源层；以及其中从所述第一半导体层到所述第四半导体层形成有第二沟槽；设置在所述导电支撑构件与所述第一半导体层之间的第一电极，所述第一电极电连接至所述第一半导体层；设置在所述第二沟槽中的第二电极，所述第二电极电连接至所述第四半导体层和所述第一电极；以及插入到所述暴露出的区域中的孔中以设置在所述暴露出的区域和所述第二半导体层上的第三电极，所述第三电极电连接至所述第二半导体层和所述第三半导体层。4. 一种发光器件，包括包括第一支撑部和与所述第一支撑部间隔开的第二支撑部的导电支撑构件；包括第一段和第二段的发光结构，其中所述第一段包括设置在所述第一支撑部和所述第二支撑部上并且掺杂有第一掺杂剂的第一半导体层、掺杂有第二掺杂剂的第二半导体层、以及在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的第一有源层；其中所述第二段包括设置在所述第一段上并且掺杂有所述第一掺杂剂的第三半导体层、设置在所述第三半导体层上并且掺杂有所述第二掺杂剂的第四半导体层、以及在所述第三半导体层与所述第四半导体层之间的第二有源层；其中在所述第一支撑部上形成有从所述第一半导体层延伸至所述第四半导体层的第二沟槽；以及其中所述第二支撑部上形成有从所述第一半导体层延伸至所述第三半导体层的第三沟槽；设置在所述第一支撑部与所述第一半导体层之间的第一电极，所述第一电极电连接至所述第一支撑部和所述第一半导体层；设置在所述第二沟槽中并且电连接至所述第四半导体层和所述第一电极的第二电极；以及设置为与所述第三沟槽内的所述第二半导体层和所述第三半导体层的暴露出的部分接触的第三电极，所述第三电极电连接至所述第二半导体层和所述第三半导体层。5.根据实施方案I至4中任一项所述的发光器件，其中所述第一段的厚度等于或大于所述第二段的厚度。6.根据实施方案I至4中任一项所述的发光器件，还包括在所述第一段与所述第二段之间的中间层。7.根据实施方案6所述的发光器件，其中所述中间层包括设置在所述第一段上的第一中间层；以及 设置在所述第二段与所述第一中间层之间的第二中间层。8.根据实施方案7所述的发光器件，其中所述第一中间层的能带隙与所述第二中间层的能带隙不同。9.根据实施方案7所述的发光器件，其中所述第一中间层的折射率与所述第二中间层的折射率不同。10.根据实施方案7所述的发光器件，其中所述第一中间层和所述第二中间层中的至少之一的电阻小于所述第二半导体层和所述第三半导体层中的至少之一的电阻。11.根据实施方案7所述的发光器件，其中所述中间层包括在所述第一中间层与所述第二中间层之间的第三中间层；以及其中所述第三中间层的电阻大于所述第一中间层和所述第二中间层中的至少之一的电阻。12.根据实施方案11所述的发光器件，其中所述第一中间层、所述第二中间层和所述第三中间层包含铝(Al);以及其中所述第三中间层的铝浓度小于所述第一中间层和所述第二中间层中的至少之一的铝浓度。13.根据实施方案7所述的发光器件，其中所述第二半导体层和所述第三半导体层以及所述中间层包含铝(Al);以及其中所述中间层的铝浓度大于所述第二半导体层和所述第三半导体层中的至少之一的铝浓度。14.根据实施方案13所述的发光器件，其中所述中间层中的铝浓度是所述第二半导体层和所述第三半导体层中的至少之一中的铝浓度的2倍至5倍。15.根据实施方案7所述的发光器件，其中所述中间层的厚度在约O. 01 μ m至 2ym之间。16.根据实施方案7所述的发光器件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：包括第一段和第二段的发光结构，其中所述第一段包括掺杂有第一掺杂剂的第一半导体层、掺杂有第二掺杂剂的第二半导体层、以及在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的第一有源层；以及其中所述第二段包括设置在所述第一段上并且掺杂有所述第一掺杂剂的具有暴露出的区域的第三半导体层、设置在除了所述暴露出的区域之外的所述第三半导体层上的并且掺杂有所述第二掺杂剂的第四半导体层、以及在所述第三半导体层与所述第四半导体层之间的第二有源层；设置在所述第一半导体层上的第一电极；设置在所述第四半导体层上的第二电极；以及插入到所述暴露出的区域中的孔中以设置在所述暴露出的区域和所述第二半导体层上的第三电极，所述第三电极电连接至所述第二半导体层和所述第三半导体层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：黄盛珉，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：