一种用于LED外延晶圆制程的石墨承载盘制造技术

本发明专利技术旨在提供一种用于LED外延晶圆制程的石墨承载盘，该石墨承载盘包括若干个设置在承载盘上方的晶圆凹槽，用于置放外延晶圆衬底，所述晶圆凹槽的内边缘为下凹台阶，且具有复数个向内延伸的支撑部；还包括石墨承载盘的边缘以及设置在石墨承载盘中心的轴孔。根据不同工艺参数的需要，可设置不同数量及不同尺寸的凹槽。所述结构能够降低反应室气流干扰、提高晶圆的边缘良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种LED发光二极管外延(Epitaxy)晶圆制程中使用的石墨承载盘 (Wafer carrier)。
技术介绍
发光二极管(英文为Light Emitting Diode，简称LED)是一种固态半导体二极管发光器件，被广泛用于指示灯、显示屏等照明领域。目前，LED外延晶圆很多通过金属有机化合物化学气相沉淀(英文为 Metal-organic Chemical Vapor Deposition ,简称M0CVD)获取,其制程简述如下将外延晶圆衬底(如蓝宝石衬底)放入石墨承载盘(Wafer carrier)的凹槽上,连同石墨承载盘一起被传入MOCVD反应室内，衬底连同石墨承载盘被一起加热到高温1000°C左右，反应室内通入有机金属化合物和五族气体，高温裂解后在晶圆衬底上重新聚合形成LED外延层。LED发光二极管外延(Epitaxy)晶圆制程中，晶圆衬底直接承载在石墨承载盘上， 因此石墨承载盘的结构对外延的良率起到重要的影响，其成为业界研究的重点。
技术实现思路
本专利技术旨在提供一种用于LED外延晶圆制程的石墨承载盘，其用于生长的LED外延片整体良率高，波长均匀性好。本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于LED发光二极管外延制程中的石墨承载盘，其特征在于：包括若干个设置在承载盘上方的晶圆凹槽，用于置放外延晶圆衬底，所述晶圆凹槽的内边缘为下凹台阶，且具有复数个向内延伸的支撑部。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谢祥彬，南琦，潘磊，
申请(专利权)人：安徽三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：