本发明专利技术的含硅固化性组合物含有：Mw为3000～10万的含硅聚合物100质量份，其是通过将有机硅烷混合物进行水解、缩合而得到的，所述有机硅烷混合物包含5～50摩尔%R1SiX3、0～50摩尔%R2SiX3、0～40摩尔%R3R4SiX2及0～50摩尔%R5SiX3，且R2SiX3与R3R4SiX2之和为5～60摩尔%；1分子中含有2个以上的Si-H基的预聚物0～200质量份，其是将式（2）的共聚物及式（3）或（3’）的化合物进行氢化硅烷化反应而得到的；环状硅氧烷化合物0～30质量份，其在1分子中含有2个以上的具有与Si-H基的反应性的C-C双键；有机过氧化物0.0001～10质量份及金属催化剂0～1.0质量份；填料10～1500质量份。（R1是C2～6链烯基，R2是C1～6烷基，R3及R4是C1～6烷基等，R5是可被C1～6烷基取代的苯基，X是C1～6烷氧基等。R2～R4中的1个以上是甲基。R6～R8表示C1～6烷基或苯基等，f表示2～10的数，g表示0～8的数。n表示1或2。）
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及含硅固化性组合物及使其固化而成的固化物。本专利技术的含硅固化性组合物及其固化物对于面向半导体的材料、特别是LED用等的封装或引线框基板等是有用的。
技术介绍
对含硅化合物进行了各种研究，工业上也自古以来利用以硅树脂为代表的聚硅氧烷化合物。但是，硅树脂虽然耐热性、挠性优异，但由于释放的气体成分(挥发成分)多，所以在电子部件的制造工序等中因污染问题而限制使用。此外近年，在电子信息领域中，随着技术的发展，对使用的各种材料也要求高度的性能，所以正在研究有效利用硅的具有特长的性质而耐热性、物理、电特性优异的材料。其中，研究了多种应用硅化合物的氢化硅烷化反应来制造有用的化合物的技术。此外，在电子信息领域中的部件制造工序中，多采用光刻工序，逐渐要求高耐碱性、耐溶剂性。因此，逐渐寻求保持高耐碱性、耐溶 剂性，且同时满足高度的耐热性、耐裂性的材料。针对这些要求，提出了各种含硅固化性组合物(例如参照专利文献I 7)。然而，这些文献中提出的技术分别具有各自的特征，但是在最近的电子信息领域中的对材料所要求的耐热性、耐光性、耐裂性、着色性等方面并不令人满意。现有技术文献专利文献专利文献I :美国专利第5645941号说明书专利文献2 日本特开平8-73743号公报专利文献3 日本特开2004-107577号公报专利文献4 :日本特开2005-68295号公报专利文献5 :美国专利申请公开第2009/012256号说明书专利文献6 :日本特开2007-332259号公报专利文献7 :日本特开2009-120732号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题因此，本专利技术的目的在于提供耐热性、耐光性、耐裂性及机械强度优异，在电气、电子材料等中是有用的含硅固化性组合物。用于解决问题的手段本专利技术人等为了解决上述问题而进行了深入研究，结果着眼于特定的含硅化合物的结构和预聚物，从而完成本专利技术。S卩，本专利技术(权利要求I所述的专利技术)提供一种含硅固化性组合物，其特征在于，含有作为(A)成分的重均分子量为3000 10万的含硅聚合物100质量份，其是通过将有机硅烷混合物进行水解、缩合而得到的，所述有机硅烷混合物包含5 50摩尔％下述通式(1-1)表不的有机娃烧(a)的一种以上、O 50摩尔％下述通式(1-2)表不的有机娃烧(b)的一种以上、O 40摩尔％下述通式(1_3)表不的有机娃烧(c)的一种以上及O 50摩尔％下述通式(1-4)表不的有机娃烧(d)的一种以上,且有机娃烧(b)与有机娃烧(c)之和为5 60摩尔％,作为(B)成分的I分子中含有2个以上的Si-H基的预聚物O 200质量份，其是将选自下述式(2)表示的环状硅氧烷共聚物(α )中的I种以上及选自下述式(3)或(3’)表示的化合物(β )中的I种以上进行氢化硅烷化反应而得到的，作为(C)成分的环状硅氧烷化合物O 30质量份，其在I分子中含有2个以上的具有与Si-H基的反应性的碳-碳双键，作为(D)成分的、有机过氧化物O. 0001 10质量份及金属催化剂O I. O质量份，作为(E)成分的填料10 1500质量份。R1SiX3 (1-1)R2SiX3 (1-2)R3R4SiX2 (1-3)R5SiX3 (1-4)(式中，R1为碳原子数为2 6的链烯基，R2为碳原子数为I 6的烷基，R3及R4分别独立地为碳原子数为I 6的烷基、碳原子数为2 6的链烯基或可被碳原子数为I 6的烷基取代的苯基，R2> R3及R4中至少I个为甲基，R5为可被碳原子数为I 6的烷基取代的苯基，X为羟基、碳原子数为I 6的烷氧基或卤素原子。)权利要求1.一种含硅固化性组合物，其特征在于，含有 作为(A)成分的重均分子量为3000 10万的含硅聚合物100质量份，其是通过将有机硅烷混合物进行水解、缩合而得到的，所述有机硅烷混合物包含5 50摩尔％下述通式(1-1)表不的有机娃烧(a)的一种以上、O 50摩尔％下述通式(1-2)表不的有机娃烧(b)的一种以上、O 40摩尔％下述通式(1_3)表不的有机娃烧(c)的一种以上及O 50摩尔％下述通式(1-4)表不的有机娃烧(d)的一种以上,且有机娃烧(b)与有机娃烧(c)之和为5 60摩尔％, 作为(B)成分的I分子中含有2个以上的Si-H基的预聚物O 200质量份，其是将选自下述式(2)表示的环状硅氧烷共聚物(α )中的I种以上及选自下述式(3)或(3’ )表示的化合物(β)中的I种以上进行氢化硅烷化反应而得到的， 作为(C)成分的环状硅氧烷化合物O 30质量份，其在I分子中含有2个以上的具有与Si-H基的反应性的碳-碳双键， 作为(D)成分的、有机过氧化物O. 0001 10质量份及金属催化剂O I. O质量份， 作为(E)成分的填料10 1500质量份； R1SiX3 (1-1) R2SiX3 (1-2)R3R4SiX2 (1-3) R5SiX3 (1-4) 式中，R1为碳原子数为2 6的链烯基，R2为碳原子数为I 6的烷基，R3及R4分别独立地为碳原子数为I 6的烷基、碳原子数为2 6的链烯基或可被碳原子数为I 6的烷基取代的苯基，R2、R3及R4中至少I个为甲基，R5为可被碳原子数为I 6的烷基取代的苯基，X为羟基、碳原子数为I 6的烷氧基或卤素原子， 2.根据权利要求I所述的含硅固化性组合物，其中，所述通式(1-2)中，R2为甲基，所述通式(1-3)中，R3及R4为可被碳原子数为I 6的烷基取代的苯基。3.根据权利要求I所述的含硅固化性组合物，其中，所述通式(1-2)中，R2为碳原子数为I 6的烷基，所述通式(1-3)中，R3为碳原子数为I 6的烷基，R4为可被碳原子数为I 6的烷基取代的苯基。4.根据权利要求I 3中任一项所述的含硅固化性组合物，其中，相对于100质量份所述(A)成分，所述(B)成分的含量为10 200质量份。5.根据权利要求I 4中任一项所述的含硅固化性组合物，其中，所述(C)成分为下述式(4)表示的环状硅氧烷， 6.一种固化物，其是使权利要求I 5中任一项所述的含硅固化性组合物固化而形成的。7.—种LED发光元件用引线框基板，其特征在于，其是具备引线框和树脂成型体的LED发光元件用引线框基板，其中，所述树脂成型体由权利要求I 5中任一项所述的含硅固化性组合物形成。8.—种LED发光元件装置，其使用了权利要求7所述的LED发光元件用引线框基板。全文摘要本专利技术的含硅固化性组合物含有Mw为3000～10万的含硅聚合物100质量份，其是通过将有机硅烷混合物进行水解、缩合而得到的，所述有机硅烷混合物包含5～50摩尔%R1SiX3、0～50摩尔%R2SiX3、0～40摩尔%R3R4SiX2及0～50摩尔%R5SiX3，且R2SiX3与R3R4SiX2之和为5～60摩尔%；1分子中含有2个以上的Si-H基的预聚物0～200质量份，其是将式(2)的共聚物及式(3)或(3’)的化合物进行氢化硅烷化反应而得到的；环状硅氧烷化合物0～30质量份，其在1分子中含有2个以上的具有与Si-H基的反应性的C-C双键；有机过氧化物0.0001～10质量份及金属催化剂0～1.0质量份；填料10～1500质量份。(R1是C本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：斋藤雅子，平塚一郎，和田真广，知场亮太，金泽拓哉，吉冈修，塚本健人，户田顺子，
申请(专利权)人：株式会社艾迪科，
类型：
国别省市：
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