芯片启动电路制造技术

本发明专利技术公开了一种芯片启动电路，其包括充电模块、辅助电源及第一延时模块，所述充电模块包括输入电源、充电控制电路和第一电容，所述充电控制电路连接在输入电源和第一电容之间以控制输入电源对所述第一电容充电，所述第一电容的电压形成用于启动第一芯片的第一启动电源，所述辅助电源与第一启动电源相连且受控于第一芯片而为第一芯片供电，所述第一启动电源为第一延时模块供电，所述第一延时模块输出至充电控制电路以延迟切断充电模块。本发明专利技术所公开的芯片启动电路采用一延时模块来延长输入电源的供电时间，从而使得辅助电源有足够的时间及时启动而为该芯片供电，解决了现有技术中存在的芯片启动不稳定的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电路
，更具体地涉及一种芯片启动电路。
技术介绍
芯片(如电源控制芯片等)是集成电路的核心组成部分，芯片的正常运行对保证电路的整体工作效果有着重要的作用。随着芯片的广泛应用，人们对芯片的启动要求越来越高，如要求启动时间快、损耗低及成本低等，而更为重要的是要求芯片启动过程满足一定的稳定性，以保证芯片的正常启动和稳定运行。现有技术通常采用如图I所示的启动电路，其包括开关管Q0，该电路的开关管QO选用金属氧化物半导体场效应管(M0S管)，M0S管QO的栅极和漏极分别经第一电阻Rl和第 二电阻R2与输入电源VIN相连，MOS管QO的栅极和源极分别经第一稳压管Zl和第一电容Cl接地，其中MOS管QO的栅极与第一稳压管Zl的阴极相连，所述第一电容Cl的电压VCC即可作为芯片的启动电源；芯片的启动电源VCC同时还连接一辅助电源，该辅助电源包括辅助绕组M和第一二极管D1，其中启动电源VCC与第一二极管Dl的阴极相连，第一二极管Dl的阳极通过辅助绕组M接地。在上述启动电路中，输入电源VIN启动瞬间，由于稳压管Zl的稳定电压的存在，MOS管QO导通，输入电源VIN经第二电阻R2和MOS管QO为第一电容Cl充电，第一电容Cl的电压VCC不断升高，当达到芯片的启动电压值后，芯片开始工作。芯片启动后，由其控制的辅助绕组M开始工作，此后由辅助电源直接为芯片供电。MOS管QO栅极电压为第一稳压管Zl的稳压值，而其源极电压随第一电容Cl的电压的增大而不断增大，导致MOS管QO栅、源极的压降不断减小，当该压降小于MOS管QO的开启电压时，MOS管QO关断，从而切断第二电阻R2，达到降低损耗的效果。如上所述的芯片启动电路虽然能降低损耗，但是却存在启动不稳定的问题芯片的启动电源VCC刚达到芯片的启动电压值时，MOS管QO由于其栅、源极的压降小于MOS管QO的开启电压而截止从而切断充电电路，这样导致启动电源VCC在其启动电压值处的时间极短，如果芯片在该短暂的时间内未启动，或者是辅助绕组M未能及时继续为芯片供电，易出现芯片启动不稳定的情况。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种可实现稳定启动的芯片启动电路以解决现有芯片启动电路所存在的因启动电源在芯片的启动电压处时间极短，而辅助电源不够及时为芯片供电所导致的芯片启动不稳定的技术问题。为了实现本专利技术的目的，本专利技术所采用的技术方案为提供一种芯片启动电路，其包括充电模块、辅助电源及第一延时模块，所述充电模块包括输入电源、充电控制电路和第一电容，所述充电控制电路连接在输入电源和第一电容之间以控制输入电源对所述第一电容充电，所述第一电容的电压形成用于启动第一芯片的第一启动电源，所述辅助电源与第一启动电源相连且受控于所述第一芯片而为所述第一芯片供电，所述第一启动电源为第一延时模块供电，所述第一延时模块输出至充电控制电路以延迟切断充电模块。其进一步技术方案为所述第一延时模块包括第一延时电路和第一开关电路；第一延时电路包括第三二极管、第三电阻、第四电阻、第三电容和第三稳压管，该第一延时电路的输入电压为第一启动电源，该输入电压与第三二极管的阴极相连，第三二极管的阳极依次经第三电阻和第三电容接地，第四电阻并联在由第三二极管和第三电阻所组成的支路的两端，第三稳压管的阴极连接于第三电阻和第三电容的连接点上；第一开关电路包括第一开关管，该第一开关管的基极与第三稳压管的阳极相连，其集电极与开关管的栅极相连，其发射极接地。其进一步技术方案为所述充电控制电路包括第一电阻、第二电阻、开关管、第二二极管和第二稳压管，其中开关管的栅极和漏极分别经第一电阻和第二电阻与输入电源相连，开关管的栅极与第二稳压管的阴极相连，开关管的源极与第二二极管的阳极相连，第二二极管的阳极与第二稳压管的阳极相连，第二二极管的阴极经第一电容接地，所述第一电容的两端还并联有一第四稳压管，该第四稳压管的阳极接地；所述辅助电源包括辅助绕 组和第一二极管，其中第一二极管的阴极与第一启动电源相连，第一二极管的阳极经辅助绕组接地。其进一步技术方案为所述充电控制电路还包括第二开关管和第六电阻，所述第六电阻一端与开关管的源极相连，另一端与第二二极管的阳极相连，所述第二开关管的集电极与开关管的栅极相连，第二开关管的基极与开关管的源极相连，第二开关管的发射极与第二稳压管的阳极相连。其进一步技术方案为所述第一延时模块还包括第五电阻，所述第五电阻连接于所述第一开关管的基极和发射极之间。其进一步技术方案为还包括第二延时模块，所述第二延时模块包括第二延时电路、第二开关电路和第五电容，其中第二延时电路和第二开关电路均连接至所述第一启动电源，所述第二开关电路连接在第二延时电路和第五电容之间以控制第一启动电源对所述第五电容充电，所述第五电容的电压形成用于启动第二芯片的第二启动电源。其进一步技术方案为所述第二延时电路包括第七电阻、第四电容和第五稳压管，该第二延时电路的输入电压为第一启动电源，所述第一启动电源依次经第七电阻和第四电容接地，第五稳压管的阴极连接于第七电阻和第四电容的连接点上；所述第二开关电路包括第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第三开关管和第四开关管，第八电阻连接在第三开关管的基极和发射极之间，第三开关管的发射极与第一启动电源相连，第三开关管的基极经第九电阻与第四开关管的集电极相连，第四开关管的发射极接地，所述第四开关管的基极经第十一电阻与第五稳压管的阳极相连；所述第五电容连接于第三开关管的集电极与第四开关管的发射极之间。其进一步技术方案为所述第二延时模块还包括第十电阻，所述第十电阻连接于所述第四开关管的基极和发射极之间。其进一步技术方案为所述第二延时模块还包括第四二极管，所述第四二极管的阳极与第一启动电源相连，其阴极与第三开关管的发射极相连。其进一步技术方案为所述开关管为N型MOS管。与现有技术相比，本专利技术所提供的芯片启动电路通过增设一第一延时模块来延长输入电源的供电时间，由于第一启动电源在芯片的启动电压值处得到第一延时模块的延迟作用，辅助电源有足够的启动时间及时启动并为芯片供电，避免产生现有技术所存在的芯片启动不稳定的问题。此外，第一延时模块所产生的延迟时间是可控的，可通过选择合适的电路元器件的参数值来调节延迟时间，这样也解决了现有技术中启动时间不可控的技术缺陷。通过以下的描述并结合附图，本专利技术将变得更加清晰，这些附图用于解释本专利技术的实施例。附图说明图I是现有的芯片启动电路的电路图；图2是本专利技术芯片启动电路第一实施例的电路方框图； 图3是图2所示第一实施例的具体电路图；图4是本专利技术芯片启动电路第二实施例的电路方框图；图5是图2所示第二实施例的具体电路图。具体实施例方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，附图中类似的组件标号代表类似的组件。显然，以下将描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。图2和图3展示了本专利技术芯片启动电路的第一实施例。参见图2，本实施例所提供的芯片启动电路包括充电模块11、辅助电源12及第一延时模块13。其中，充电模块11包括输入电源VIN、充电控制电路本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片启动电路，其特征在于：包括充电模块（11）、辅助电源（12）及第一延时模块（13），所述充电模块（11）包括输入电源（VIN）、充电控制电路（111）和第一电容（C1），所述充电控制电路（111）连接在输入电源（VIN）和第一电容（C1）之间以控制输入电源（VIN）对所述第一电容（C1）充电，所述第一电容（C1）的电压形成用于启动第一芯片的第一启动电源（VCC1），所述辅助电源（12）与第一启动电源（VCC1）相连且受控于所述第一芯片而为所述第一芯片供电，所述第一启动电源（VCC1）为第一延时模块（11）供电，所述第一延时模块（11）输出至充电控制电路（111）以延迟切断充电模块（11）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：熊文，
申请(专利权)人：深圳市英威腾电气股份有限公司，
类型：发明
国别省市：