头-头连接的氢化P(VDF-TrFE)制备驻极体压电材料的应用和方法技术

技术编号:8388110 阅读:292 留言:0更新日期:2013-03-07 12:39
本发明专利技术公开了头-头连接的氢化P(VDF-TrFE)制备驻极体压电材料的应用和方法,将氢化P(VDF-TrFE)制备成膜,然后加热电场极化后,该聚合物具有了意料不到的结果:具有高压电系数、良好的机电耦合性能等优点,分子链中C-F和C-H键形成的偶极距沿电场方向取向,形成类似于TTTT的链排列方式。由于头-头连接的氢化P(VDF-TrFE)具有操作安全、稳定性好和原料毒性低的特点,并且该方法可大幅度降低P(VDF-TrFE)的制备成本,那么利用氢化P(VDF-TrFE)取代现有的PVDF压电膜和直接共聚的P(VDF-TrFE)作为驻极体压电材料,将大幅度降低驻极体压电材料的制备成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于压电驻极体
,涉及。
技术介绍
驻极体(electret)是一种在无外加电场条件下,能够长期储存空间电荷和极化电荷并具有宏观电矩的电介质材料,它具有优良的电声性能和稳压性能,主要用于传声器、耳机、扬声器、送话器、加速度计、各式换能器、高压电源、放射性剂量计等。20世纪50和60年代,Fukada和其他一些学者发现了聚合物驻极体材料,根据驻极体材料的极化方式的不同,可以将驻极体分为电荷注入型和自发极化型两大类。与电荷注入型驻极体相比,自发极化型驻极体在材料稳定性、抗退极化性能和铁电压电性能等方面具有明显优势,最具代表性的自发极化型聚合物驻极体是聚偏氟乙烯(PVDF)和偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物(P (VDF-TrFE))。1989 年,T. Frukawa 等人对 VDF 含量为 5(T80mol% 的 P (VDF-TrFE)进行研究发现TrFE的引入可以使该共聚物很容易获得β晶型,获得良好的铁电、压电和热释电性能,并具有明显的居里点和铁电-顺电相转变(F-P)现象,且TrFE的含量则直接决定了共聚物的F-P转变温度。P (VDF-TrFE)的制备条件更为简单、温本文档来自技高网...

【技术保护点】
VDF和TrFE单体连接为头?头方式的氢化P(VDF?TrFE)二元共聚物在制备驻极体压电材料中的应用。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张志成夏卫民徐卓张秋萍
申请(专利权)人:西安交通大学
类型:发明
国别省市:

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